金属化薄膜电容制造技术

本申请涉及薄膜电容技术领域，尤其涉及一种金属化薄膜电容。金属化薄膜电容器包括：薄膜层和金属镀层，金属镀层包括：第一金属层、第二金属层和电荷注入抑制层，所述第一金属层的电阻大于第二金属层的电阻；所述第一金属层设置在金属镀层加厚的一侧，并贴近薄膜层设置；在金属镀层加厚的一侧，所述第二金属层覆盖在第一金属层上，并在金属镀层未加厚的部分贴近薄膜层设置；所述电荷注入抑制层设置在第一金属层和第二金属层之间，电荷注入抑制层的设置厚度与金属镀层的厚度成正比。本申请提供的技术方案能够提高金属化薄膜电容的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及薄膜电容，尤其涉及一种金属化薄膜电容。

技术介绍

1、在电力电子领域中，金属化薄膜电容器被广泛的应用在各类储能器件中。

2、金属化薄膜电容器的喷金时能否与薄膜的金属镀层良好接触，会影响薄膜电容处理浪涌电流的能力，因此为了在喷金步骤中更好的使喷金颗粒与薄膜上的金属镀层接触，在现有技术中，通常会让金属镀层在喷金的一侧加厚，以提高焊接性能和耐电流强度。

3、但是现有技术仍然存在一些问题，导致金属化薄膜电容的使用寿命降低。

技术实现思路

1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种金属化薄膜电容，能够提高金属化薄膜电容的使用寿命。

2、本申请提供了一种金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：

3、薄膜层；

4、金属镀层，所述金属镀层覆盖在薄膜层上，所述金属镀层在靠近薄膜层的一侧加厚，并且在金属镀层加厚的另一侧使薄膜层保留一条未被金属镀层覆盖的边；

5、将两片覆盖有金属镀层的薄膜层卷绕形成圆筒，两片薄膜层未本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：

2.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述电荷注入抑制层为P（VDF-TrFE-CFE）。

3.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述第一金属层为铜蒸镀层，所述第二金属层为银蒸镀层。

4.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述薄膜层包括收缩层和自愈层，金属镀层覆盖在所述收缩层上；

【技术特征摘要】

1.金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：

2.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述电荷注入抑制层为p（vdf-trfe-cfe）。

3.根据权利要求1所述的金...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡金梅，王坤，罗健韵，周智昌，
申请(专利权)人：广东意壳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：