【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜电容，尤其涉及一种金属化薄膜电容。
技术介绍
1、在电力电子领域中，金属化薄膜电容器被广泛的应用在各类储能器件中。
2、金属化薄膜电容器的喷金时能否与薄膜的金属镀层良好接触，会影响薄膜电容处理浪涌电流的能力，因此为了在喷金步骤中更好的使喷金颗粒与薄膜上的金属镀层接触，在现有技术中，通常会让金属镀层在喷金的一侧加厚，以提高焊接性能和耐电流强度。
3、但是现有技术仍然存在一些问题，导致金属化薄膜电容的使用寿命降低。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题或者至少部分地解决上述技术问题，本申请提供了一种金属化薄膜电容，能够提高金属化薄膜电容的使用寿命。
2、本申请提供了一种金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：
3、薄膜层；
4、金属镀层，所述金属镀层覆盖在薄膜层上，所述金属镀层在靠近薄膜层的一侧加厚，并且在金属镀层加厚的另一侧使薄膜层保留一条未被金属镀层覆盖的边；
5、将两片覆盖有金属镀层的薄膜层卷绕形成圆筒，两片薄膜层未被金属镀层覆盖的边位于不同的方向，最后在圆筒两端喷金以形成所述金属化薄膜电容器；
6、所述金属镀层包括：
7、第一金属层、第二金属层和电荷注入抑制层，所述第一金属层的电阻大于第二金属层的电阻；
8、所述第一金属层设置在金属镀层加厚的一侧，并贴近薄膜层设置；
9、在金属镀层加厚的一侧，所述第二金属层覆盖在第一金属层上，并在金属镀层未
10、所述电荷注入抑制层设置在第一金属层和第二金属层之间，电荷注入抑制层的设置厚度与金属镀层的厚度成正比。
11、可选的，所述电荷注入抑制层为p（vdf-trfe-cfe）。
12、可选的，所述第一金属层为铜蒸镀层，所述第二金属层为银蒸镀层。
13、可选的，所述薄膜层包括收缩层和自愈层，金属镀层覆盖在所述收缩层上；
14、所述自愈层由以下步骤制成：
15、制作第一中间反应物：
16、将端羟基聚己内酯原料升温至熔融状态后，将熔融状态的端羟基聚己内酯倒入n,n-二甲基甲酰胺溶液中溶解；
17、将与端羟基聚己内酯原料摩尔计数比1:1.5的二异氰酸酯加入反应中，加入辛酸亚锡作为催化剂在75~95℃下反应6~8小时；
18、将与端羟基聚己内酯原料摩尔计数比1:1.5的多巴胺盐酸盐加入反应中，在45~65℃下反应12~15小时得到第一中间反应物；
19、制作第二中间反应物：
20、将摩尔比为1.5：2的四水氯化亚铁和六水三氯化铁溶于水中，加入溶液总质量比为4%~5%的油醇后进行搅拌，在1000r/min的条件下加入10-20毫升浓度为30%的氨水后，继续搅拌60~120分钟；
21、将上述得到的溶液在干燥箱内干燥成粉末后得到第二中间反应物；
22、制作自愈层：
23、将20:5的质量配比的第一中间反应物和第二中间反应物溶于三氯甲烷溶液中，将配比溶液使用超声振荡后，将配比好的溶液涂覆在收缩层上，放入烘干箱以温度50~60℃加热9~15小时，然后抽真空12-24小时制得自愈层；
24、所述收缩层由以下步骤制成：
25、将纳米二氧化硅、聚对苯二甲酸二乙酯、乙二醇单甲醚和水混合，搅拌分散后，加入聚甲基丙烯酸甲酯，再次搅拌分散后，加热、干燥和研磨后制得第三中间反应物；
26、其中，纳米二氧化硅、聚对苯二甲酸二乙酯、乙二醇单甲醚、聚甲基丙烯酸甲酯和水的重量比为（5~10）：（15~30）：（15~30）：（1~5）：（30~100）；
27、将间同立构聚丙烯、全同立构聚丙烯和聚苯乙烯丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物混合，加热至熔融状态，然后加入第三中间反应物和硅烷偶联剂，混合，加压，挤出，冷却，拉伸，制得所述收缩层；
28、其中，间同立构聚丙烯、全同立构聚丙烯、聚苯乙烯丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、第三中间反应物和硅烷偶联剂的重量比为（40~60）：（60~80）：（50~70）：（15~25）：（20~40）。
29、本申请提供的技术方案与现有技术相比具有如下优点：
30、在金属镀层加厚后，加厚的金属镀层的电流密度会提高，并且在喷金后，喷金颗粒可能会划伤加厚一侧的薄膜，导致薄膜上出现缺陷，当浪涌电流流入电容器后，加厚的金属镀层的电流密度容易导致金属镀层加厚部分的薄膜被击穿，而击穿自愈后金属化薄膜电容器的电容量会下降，从而导致金属化薄膜电容的使用寿命降低。
31、本申请提供的一种金属化薄膜电容器，其金属镀层加厚部分具有第一金属层和第二金属层，其中与薄膜层接触的第一金属层的电阻大于第二金属层的电阻，从而在金属镀层加厚的部分使得电子主要流经不与薄膜层接触的第二金属层。
32、并且在第一金属层和第二金属层之间具有电荷注入抑制层，所述电荷注入抑制层能够捕获从第二金属层进入第一金属层的载流子，从而使得在第一金属层和第二金属层之间形成一层电荷层，进而通过电荷层的斥力进一步的阻碍第二金属层流向第一金属层的电子，从而使得金属镀层加厚的部分，越远离薄膜层其电流密度越高，越靠近薄膜层电流密度越低，进而减少因为过大的电流密度导致薄膜被击穿的概率，从而提高了金属化薄膜电容的使用寿命。
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1.金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：
2.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述电荷注入抑制层为P（VDF-TrFE-CFE）。
3.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述第一金属层为铜蒸镀层，所述第二金属层为银蒸镀层。
4.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述薄膜层包括收缩层和自愈层，金属镀层覆盖在所述收缩层上；
【技术特征摘要】
1.金属化薄膜电容器，所述金属化薄膜电容器包括：
2.根据权利要求1所述的金属化薄膜电容器，其特征在于，所述电荷注入抑制层为p（vdf-trfe-cfe）。
3.根据权利要求1所述的金...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡金梅，王坤，罗健韵，周智昌，
申请(专利权)人：广东意壳电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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