本发明专利技术实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制作方法。本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底一侧的缓冲层；设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的栅极；设置于栅极远离衬底一侧的中断层；沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖栅极，中断层至少部分覆盖电子传输层。本发明专利技术实施例提供的技术方案解决了半导体器件存在电流密度较低，限制或降低半导体器件的性能的问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及半导体器件的制作方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的发展，人们对集成电路性能的要求越来越高。氢化物气体的薄膜沉积，而氢可以很容易扩散进入下面的外延薄膜中，降低半导体器件的电流密度，进而限制或降低半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，以解决半导体器件存在电流密度较低，限制或降低半导体器件的性能的问题。
2、为实现上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：
3、本专利技术实施例提供了一种半导体器件，包括：
4、衬底；
5、设置于衬底一侧的缓冲层；
6、设置于缓冲层远离衬底一侧的电子传输层；
7、设置于电子传输层远离衬底一侧的半导体掺杂层；
8、设置于半导体掺杂层远离衬底一侧的栅极；
9、设置于栅极远离衬底一侧的中断层；
10、沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖栅极，中断层至少部分覆盖电子传输层。
11、可选的，沿垂直于半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖半导体掺杂层和栅极。
12、可选的，中断层的材料包括氮气、氦气或含氮半导体材料。
13、可选的，中断层通过脉冲式等离子掺杂形成。
14、可选的，半导体掺杂层包括p型掺杂层，p型掺杂层包括掺杂mg的gan层；
15、缓冲层的材料包括gan；
>16、电子传输层的材料包括algan；17、栅极的材料包括氮化钛或氮化钨。
18、可选的，半导体器件，还包括：
19、设置于中断层远离衬底一侧的钝化层。
20、可选的，钝化层的材料包括氧化物或氮化物。
21、可选的，中断层的厚度范围包括1nm～3nm。
22、根据本专利技术的另一方面，本实施例提供一种半导体器件的制作方法，包括：
23、提供衬底；
24、在所述衬底的一侧形成缓冲层；
25、在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成电子传输层；
26、在所述电子传输层远离所述衬底的一侧形成半导体掺杂层；
27、在所述半导体掺杂层远离所述衬底的一侧形成栅极；
28、在所述栅极远离所述衬底的一侧形成中断层；其中，沿所述半导体器件的厚度方向，所述中断层至少部分覆盖所述栅极，所述中断层至少部分覆盖所述电子传输层。
29、可选的，所述在所述栅极远离所述衬底的一侧形成中断层，包括：
30、采用脉冲式等离子掺杂在所述栅极远离所述衬底的一侧形成中断层；其中，沿垂直于所述半导体器件的厚度方向，所述中断层至少部分覆盖所述半导体掺杂层和所述栅极。
31、本专利技术实施例提供的半导体器件通过在栅极远离衬底一侧的设置中断层，且沿半导体器件的厚度方向，中断层至少部分覆盖栅极，中断层至少部分覆盖电子传输层。这样设置，使得中断层可以较好的阻挡由电子传输层和栅极远离衬底一侧的h的沉积。在半导体器件的清洗、钝化层制作等后续制程中的氢化物气体的薄膜沉积中，中断层可以较好的阻挡h的透过。这样设置可以使得电子传输层的电流密度较高，提高栅极的稳定性，改善半导体器件的稳定性。
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【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述半导体器件，还包括：
7.根据权利要求6所述半导体器件，其特征在于，
8.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极远离所述衬底的一侧形成中断层，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
3.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
4.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
5.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，
6.根据权利要求1所述半导体器件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：何有丰，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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