一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备，涉及半导体生产设备技术领域；晶圆顶针包括顶针本体，所述顶针本体设有均压通道，所述均压通道用于连通所述顶针本体上端与所述顶针本体所处的环境，在顶针本体上设有均压通道，且均压通道能够连通顶针本体上端与顶针本体所处的环境，当顶针上移时，顶针孔内的气体可经均压通道排出，使得晶圆上下两端的气压相等，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生。晶圆顶推装置，包括推板和直线驱动组件，于所述推板上竖向间隔设有上述的晶圆顶针。气相沉积设备，在气相沉积室内设有加热盘和上述晶圆顶推装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产设备，具体涉及一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备。

技术介绍

1、在半导体ic(集成电路)制程中，需采用化学气相沉积(cvd)法在晶圆表面沉积固态薄膜(film)。在成膜过程中，晶圆下端置于加热器(加热盘)顶部的凹槽内，为便于转移沉积完成的晶圆，需要通过顶针将晶圆向上顶离加热器。现有晶圆顶针，为实心的杆体。

2、经专利技术人研究发现，由于晶圆下端贴合在加热盘上端，在顶针顶推晶圆时，晶圆上端与下端之间存在气压差，顶针顶出的阻力较大，且容易导致晶圆相对于加热盘滑动，使得晶圆厚度不均匀，并且晶圆与加热盘摩擦将产生粉末，影响晶圆的质量。

技术实现思路

1、针对现有晶圆顶推装置在顶推晶圆时，晶圆容易与加热器产生相对滑动的技术问题；本专利技术提供了一种晶圆顶针、顶推装置及气相沉积设备，能够平衡晶圆上端和晶圆下端之间的气压，以减小顶针顶推晶圆的阻力和确保晶圆受力均衡，从而避免晶圆相对于加热盘滑动，确保晶圆厚度的均匀性，并避免粉末的产生而影响晶圆的质量。

2、本专利技术通过下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆顶针，包括顶针本体(100)，其特征在于，所述顶针本体(100)设有均压通道(110)，所述均压通道(110)用于连通所述顶针本体(100)上端与所述顶针本体(100)所处的环境。

2.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)包括竖向孔(111)，所述竖向孔(111)沿所述顶针本体(100)长度方向贯穿所述顶针本体(100)。

3.根据权利要求2所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)还包括侧向孔(112)，所述侧向孔(112)由所述顶针本体(100)侧面延伸至所述竖向孔(111)。

4.根据权利要求3所述...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆顶针，包括顶针本体(100)，其特征在于，所述顶针本体(100)设有均压通道(110)，所述均压通道(110)用于连通所述顶针本体(100)上端与所述顶针本体(100)所处的环境。

2.根据权利要求1所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)包括竖向孔(111)，所述竖向孔(111)沿所述顶针本体(100)长度方向贯穿所述顶针本体(100)。

3.根据权利要求2所述的晶圆顶针，其特征在于，所述均压通道(110)还包括侧向孔(112)，所述侧向孔(112)由所述顶针本体(100)侧面延伸至所述竖向孔(111)。

4.根据权利要求3所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)沿所述顶针本体(100)长度方向交错设置。

5.根据权利要求4所述的晶圆顶针，其特征在于，所述侧向孔(112)在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐康元，
申请(专利权)人：成都高真科技有限公司，
类型：发明
国别省市：