衬底处理方法技术

一种能够防止损坏反应器和下膜的衬底处理方法，包括：供应具有图案结构的衬底；在图案结构上形成层；通过在衬底上施加等离子体来产生活性物质；以及通过在层上执行各向同性蚀刻来选择性地蚀刻由活性物质产生的图案结构上的层，其中施加等离子体包括：增加活性物质的密度；并且增加活性物质的迁移率。

【技术实现步骤摘要】

一个或多个实施例涉及衬底处理方法，更具体地，涉及用于在包括在衬底中的图案结构的顶部或侧面上选择性地形成膜的衬底处理方法。

技术介绍

1、随着半导体器件的电路线宽减小，构成半导体器件的结构的形状也在改变。例如，在3d vnand的情况下，多个栅极结构以竖直形式配置，以克服集成的限制。在竖直结构的情况下，为了堆叠多个绝缘层并在每个绝缘层的一端的顶部或侧面连接电极层，需要在相应表面上选择性地沉积层的技术。

2、美国专利号us10134757公开了一种使用等离子体原子层方法在阶梯形图案结构的暴露顶部上选择性形成sin膜的方法。更详细地，公开了一种通过施加rf功率以形成sin膜来区分阶梯顶部和侧面上的sin膜的蚀刻特性，从而去除阶梯结构侧面上的sin膜同时保留阶梯结构顶部上的sin膜的方法。例如，由于施加rf功率时的离子轰击效应，形成在阶梯结构顶部的sin膜可以变得更致密，并且与侧面的sin膜相比，可以提高抗蚀刻性。

3、可替代地，通过进一步增加施加的rf功率，形成在阶梯结构顶部的sin膜可能被破坏，并且通过降低sin膜的硬度，抗蚀刻性可能小本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，在所述图案结构上形成层包括：

3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，

4.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中，

5.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

7.根据权利要求6所述的衬底处理方法，其中，

8.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

9.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

10.根据权利要求9所述的衬底处理方法，其中，

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【技术特征摘要】

1.一种衬底处理方法，包括：

2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，在所述图案结构上形成层包括：

3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，

4.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中，

5.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中，

6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

7.根据权利要求6所述的衬底处理方法，其中，

8.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

9.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，

10.根据权利要求9所述的衬底处理方法，其中，

【专利技术属性】
技术研发人员：H·I·金，李学周，K·K·金，Y·W·郑，Y·M·金，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：