【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
1、在半导体衬底上成膜时，有时使用在向设置在气体供给管的罐(tank)内填充气体后将填充于罐内的气体供给至处理室内的分批式的衬底处理装置(例如参见专利文献1及专利文献2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2006-222265号公报
5、专利文献2：日本特开2012-67328号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、在单片式的衬底处理装置中，也为了针对高纵横比结构的衬底提高覆盖(coverage)性能而预想使用向处理容器内一次供给大量气体的罐来进行处理。此外，为了均匀地加热这些罐，需要对各个罐进行加热的加热装置，出现需要节能化的课题。
3、本专利技术提供能利用处理容器内的热来实现节能化、并且提高形成在衬底上的膜的特性的技术。
4、用于解决课题的手段
5、根据本专利技术的一个方式，提供下
【技术保护点】
1.衬底处理装置，其具有：
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述温度调节部构成为能将所述贮留容器内的温度调节为比贮留在该贮留容器内的气体的分解温度低的温度。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述温度调节部构成为能将所述贮留容器内的温度调节为比所述衬底的处理温度低的温度。
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述气体被以第1压力供给至所述贮留容器后，以所述第1压力以下的第2压力贮留所述气体。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在与所述贮留容器不同的贮留容器内贮留非活性气体。
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【技术特征摘要】
1.衬底处理装置，其具有：
2.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述温度调节部构成为能将所述贮留容器内的温度调节为比贮留在该贮留容器内的气体的分解温度低的温度。
3.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，所述温度调节部构成为能将所述贮留容器内的温度调节为比所述衬底的处理温度低的温度。
4.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在所述气体被以第1压力供给至所述贮留容器后，以所述第1压力以下的第2压力贮留所述气体。
5.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在与所述贮留容器不同的贮留容器内贮留非活性气体。
6.如权利要求1所述的衬底处理装置，其中，在向所述处理容器内供给第1气体之后，供给与所述第1气体不同的第2气体。
7.如权利要求6所述的衬底处理装置，其中，在所述贮留容器内贮留所述第1气体和所述第2气体之中的至少一种气体。
8.半导体器件的制造方法，其包括：
9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，在所述贮留气体的工序中，利用所述温度调节部将所述贮留容器内的温度调节为比贮留在该贮留容器内的所述气体的分解温度低的温度。
10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其中，所述温度调节部构成为能将所述贮留容器内的温度调节为比所述衬底的处理温度低的温度。
11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其包括以第1压力将所述气体供给至所述贮留容器内的工序，
12.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其包括在与所述贮...
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