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本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。本发明的课题在于提供能利用处理容器内的热来实现节能化、并且提高形成在衬底上的膜的特性的技术。其具有对衬底进行处理的处理容器；贮留容器，其至少一部分与前述处理容器的外壁接触、并贮留向前述...
该专利属于株式会社国际电气所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社国际电气授权不得商用。

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