存储器器件及ZQ校准方法技术

本公开实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器器件和ZQ校准方法，包括：连接同一ZQ校准电阻的两个校准电阻接口；共同连接至ZQ校准电阻的第一主芯片、第一从芯片、第二主芯片和第二从芯片；在命令模式下，第一信号接收器用于接收ZQ校准命令，第二信号接收器用于接收并延迟ZQ校准命令，第一主芯片和第二主芯片基于ZQ校准命令开始校准，第一主芯片和第二主芯片完成校准后通过第二传输端发送ZQ标志信号；第三信号接收器用于通过第一传输端接收ZQ标志信号，第一从芯片和第二从芯片基于ZQ标志信号开始校准，第一从芯片和第二从芯片完成校准后通过第二传输端发送ZQ标志信号，本公开实施例用于实现理论上无数量限制的多芯片共享ZQ校准电阻。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种存储器器件及zq校准方法。

技术介绍

1、zq校准是动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中非常重要的一项功能，具体关系到输出端口的输出阻抗是否准确，输入端口的终结电阻是否准确，这些参数的偏移会导致信号在传输过程中由于阻抗不匹配引起严重的失真，且信号频率越高，失真对信号造成的影响越大。

2、在jedec的封装定义中已经规定了lpddr5需要的zq校准电阻的个数，比如：对于dis315类芯片中具备一个zq校准电阻，对于pop496类芯片中具备两个zq校准电阻，由此可见，lpddr5中zq校准电阻的数量明显少于lpddr4中zq校准电阻的数量。

3、随着对lpddr容量的需求越来越高，导致在lpddr的一个封装体中，会放入越来越多的芯片，而每个芯片由于个体差异都需要进行单独的zq校准，尤其lpddr5的封装，zq校准电阻的数量比lpddr4中zq校准电阻的数量明显减少，需要更多的芯片共享一个zq，如何实现多芯片共享zq校准电阻进行zq校准，是当下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述第一主芯片还包括：第四传输端，所述第四传输端在后台模式下开启，用于传输所述ZQ标志信号，所述第四传输端连接最后一级所述第二从芯片的第二传输端。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，包括：

6.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，包括：

7.根据权利要求5或6所述的存储器器件，其特征在于，包括：...

【技术特征摘要】

1.一种存储器器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，包括：

4.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述第一主芯片还包括：第四传输端，所述第四传输端在后台模式下开启，用于传输所述zq标志信号，所述第四传输端连接最后一级所述第二从芯片的第二传输端。

5.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，包括：

6.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，包括：

7.根据权利要求5或6所述的存储器器件，其特征在于，包括：

8.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一主芯片、所述第一从芯片、所述第二主芯片和所述第二从芯片被封装在同一存储器器件中。

9.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：田凯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：