【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及碳纳米管密度控制，尤其涉及一种调控碳纳米管阵列密度的方法。
技术介绍
1、大多数现有技术中只是致力于半导体碳纳米管密度或者碳纳米管平行阵列密度的提高，但是并不能根据需要将已获取的碳纳米管平行阵列调控至需要的密度，这使得在实际应用过程中，只能获取特定密度的碳纳米管平行阵列，不能对已获取的碳纳米管平行阵列的密度进行调控。
技术实现思路
1、本专利技术意在提供一种调控碳纳米管阵列密度的方法，以解决现有技术中存在的不足，本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案来实现。
2、本专利技术提供的调控碳纳米管阵列密度的方法，包括：
3、在基底上制备出碳纳米管平行阵列；
4、对所述碳纳米管平行阵列进行退火处理；
5、在经过退火处理的碳纳米管平行阵列上光刻条带；
6、对所述碳纳米管平行阵列上的条带进行镀膜处理；
7、根据需要获取的碳纳米管平行阵列的密度，对经过镀膜处理得到的碳纳米管平行阵列采用相应的溶剂进行冲洗，且对冲洗时的转速和冲洗的时间进行选取，得到特定密度的碳纳米管平行阵列。
8、在上述的方案中，所述基底为氧化硅、氧化铪或氧化铝。
9、在上述的方案中，通过维度限制法碳纳米管自组装技术或双液层技术制备出碳纳米管平行阵列。
10、在上述的方案中，在基底上制备出的碳纳米管平行阵列的密度为400根/微米。
11、在上述的方案中，退火处理所采用的温度为80-800度。p>
12、在上述的方案中，所述溶剂为氯仿、二氯甲烷、甲苯或二氯乙烷。
13、在上述的方案中，冲洗时的转速为100-8000rpm。
14、在上述的方案中，冲洗的时间为30s-30min。
15、在上述的方案中，所述条带宽度为10nm-10μm。
16、在上述的方案中，镀膜处理所采用的材料为氧化硅、氧化铪、氧化铝或氮化硅。本专利技术实施例包括以下优点：
17、本专利技术实施例提供的调控碳纳米管阵列密度的方法，通过在基底上制备出碳纳米管平行阵列，通过退火使得碳纳米管平行阵列与基底的空隙消除，贴合的更近，有更强的范德华力，然后对冲洗条件进行设置，获得不同密度的碳纳米管平行阵列，从而可根据需要将已获取的碳纳米管平行阵列调控至需要的密度。
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1.一种调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，所述基底为氧化硅、氧化铪或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，通过维度限制法碳纳米管自组装技术或双液层技术制备出碳纳米管平行阵列。
4.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，在基底上制备出的碳纳米管平行阵列的密度为400根/微米。
5.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，退火处理所采用的温度为80-800度。
6.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，冲洗时的转速为100-8000rpm。
8.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，冲洗的时间为30s-30min。
9.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，所述条带宽度为10nm-10μm。
...【技术特征摘要】
1.一种调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，所述基底为氧化硅、氧化铪或氧化铝。
3.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，通过维度限制法碳纳米管自组装技术或双液层技术制备出碳纳米管平行阵列。
4.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，在基底上制备出的碳纳米管平行阵列的密度为400根/微米。
5.根据权利要求1所述的调控碳纳米管阵列密度的方法，其特征在于，退火处理所采用的温度为80-...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，
申请(专利权)人：苏州烯晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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