【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米管表面分子去除，尤其涉及一种碳纳米管表面分散剂的去除方法。
技术介绍
1、现有技术中大多数通过直接退火或对碳纳米管表面有机分散剂进行去除，然而，在通过直接退火方式去除碳纳米管表面有机分散剂的过程中，虽然可通过调节气氛、温度、压力和时间等参数进行退火，但是可调参数有限，这使得碳纳米管表面有机分散剂去除不干净。
技术实现思路
1、本专利技术意在提供一种碳纳米管表面分散剂的去除方法，以解决现有技术中存在的不足，本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案来实现。
2、本专利技术提供的碳纳米管表面分散剂的去除方法，包括：
3、将表面具有有机分散剂的碳纳米管放置在恒温腔室中；
4、对所述恒温腔室进行抽真空处理；
5、将脉冲气体通入至所述恒温腔室中对碳纳米管表面的有机分散剂进行选择性吸附，去除碳纳米管表面的有机分散剂。
6、在上述的方案中，对所述恒温腔室进行抽真空的时间为5min-10min。
7、在上述的方案中，对所述恒温腔室进行抽真空处理后，所述恒温腔室的压力为10-2pa～10-4pa。
8、在上述的方案中，所述恒温腔室外接脉冲电磁阀。
9、在上述的方案中，通过所述脉冲电磁阀控制所述脉冲气体间歇性通入至所述恒温腔室中。
10、在上述的方案中，每两次通入脉冲气体的间隔时间为2s-2000s，每次通入脉冲气体的时间为5ms-2000ms，通入所述脉冲气体的总次数为5次-
11、在上述的方案中，所述恒温腔室内的温度为200度-900度。
12、在上述的方案中，所述脉冲气体采用氧气、臭氧或等离子体气体。
13、在上述的方案中，在将脉冲气体通入至所述恒温腔室前，通入氮气作为载气。
14、在上述的方案中，通入氮气的流量为5sccm-1000sccm。
15、本专利技术实施例包括以下优点：
16、本专利技术实施例提供的碳纳米管表面分散剂的去除方法，基于碳纳米管表面和有机分散剂对气体分子或者等离子体吸附能力不同，通过脉冲气体选择性去除碳纳米管表面的有机分散剂，降低了对碳纳米管的损伤，且脉冲电磁阀控制所述脉冲气体间歇性通入至所述恒温腔室中与碳纳米管表面的有机分散剂进行反应，可控性更好。
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1.一种碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，对所述恒温腔室进行抽真空的时间为5min-10min。
3.根据权利要求2所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，对所述恒温腔室进行抽真空处理后，所述恒温腔室的压力为10-2Pa～10-4Pa。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述恒温腔室外接脉冲电磁阀。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，通过所述脉冲电磁阀控制所述脉冲气体间歇性通入至所述恒温腔室中。
6.根据权利要求5所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，每两次通入脉冲气体的间隔时间为2s-2000s，每次通入脉冲气体的时间为5ms-2000ms，通入所述脉冲气体的总次数为5次-1000次，所述脉冲气体的脉冲压力为5Pa-20000Pa。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述恒温腔室内的温度为200度-900度
8.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述脉冲气体采用氧气、臭氧或等离子体气体。
9.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，在将脉冲气体通入至所述恒温腔室前，通入氮气作为载气。
10.根据权利要求9所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，通入氮气的流量为5sccm-1000sccm。
...【技术特征摘要】
1.一种碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，对所述恒温腔室进行抽真空的时间为5min-10min。
3.根据权利要求2所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，对所述恒温腔室进行抽真空处理后，所述恒温腔室的压力为10-2pa～10-4pa。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，所述恒温腔室外接脉冲电磁阀。
5.根据权利要求4所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，通过所述脉冲电磁阀控制所述脉冲气体间歇性通入至所述恒温腔室中。
6.根据权利要求5所述的碳纳米管表面分散剂的去除方法，其特征在于，每...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，
申请(专利权)人：苏州烯晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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