【技术实现步骤摘要】
本申请涉及谐振器,例如涉及一种声表面波谐振器、mems设备。
技术介绍
1、声表面波谐振器通常包括压电衬底、设置在压电衬底上的叉指电极结构和设置在叉指电极结构上的金属条。但是,由于金属条与叉指电极结构之间存在较大的电容,往往导致声表面波谐振器的抗esd
2、(electro-static discharge,静电放电)能力恶化。相关技术中,通常增加金属条与叉指电极结构之间的介质层的厚度,以改善声表面波谐振器的抗esd能力。但是增加金属条与叉指电极结构之间的介质层的厚度,会导致声表面波谐振器的体积较大。由此,如何在不增加声表面波谐振器的体积的情况下,改善声表面波谐振器的抗esd能力,亟待解决。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
2、本专利技术实施例提供一种声表面波谐振器、mems设备,以在不增加声表面波谐振器的
...【技术保护点】
1.一种声表面波谐振器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一温度补偿层设置有第四通孔;第二温度补偿层设置有第二通孔;第一钝化层设置有第三通孔;第四通孔、第二通孔和第三通孔连通,暴露出叉指电极结构的汇流条;声表面波谐振器还包括:
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
6.根据权利要求1
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
3.根据权利要求2所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
4.根据权利要求3所述的声表面波谐振器,其特征在于,第一温度补偿层设置有第四通孔;第二温度补偿层设置有第二通孔;第一钝化层设置有第三通孔;第四通孔、第二通孔和第三通孔连通,暴露出叉指电极结构的汇流条;声表面波谐振器还包括:
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器,其特征在于,声表面波谐振器还包括:
6.根据权利要求1至5任一项所述的声表面波谐振器,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵虎,邹洁,唐供宾,
申请(专利权)人:深圳新声半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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