光电转换装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种新的光电转换装置及其制造方法。在具有透光性的基础衬底上形成具有透光性的绝缘层、中间夹着绝缘层而固定的单晶半导体层。在单晶半导体层的表层中或表面上以带状的方式设置多个具有一种导电型的第一杂质半导体层，并且以带状的方式设置多个具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，所述第二杂质半导体层与所述第一杂质半导体层彼此不重叠地交替。设置与第一杂质半导体层接触的第一电极和与第二杂质半导体层接触的第二电极，由此实现背接触型元件，得到基础衬底一侧为受光面的光电转换装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种。
技术介绍
全球变暖形势严峻，正在商讨代替化石燃料的能源的利用。其中，尤其是也称为太 阳能电池的光电转换装置，作为下一代典型的创造能量的装置而被认为最有前途。此外，近 年来，对该光电转换装置进行的研究和开发非常活跃，其市场也正急剧扩大。光电转换装置是将无穷无尽的太阳光作为能源并在发电时不排放二氧化碳的有 很大吸引力的发电装置。然而，其现状存在每单位面积的光电转换效率不够、发电量受日照 时间影响等问题，为了收回原始成本需要二十年左右的很长期间。上述问题妨碍了将光电 转换装置普及到一般住宅，从而要求光电转换装置的高效率化、低成本化。光电转换装置可以使用硅类材料、化合物半导体类材料制造，市场上出售的光电 转换装置主要是块状型硅太阳能电池、薄膜型硅太阳能电池等硅类太阳能电池。由单晶硅 片、多晶硅片形成的块状型硅太阳能电池具有较高的转换效率。然而，实际上用于光电转换 的区域不过是硅片的厚度方向上的一部分，其他区域仅仅用作具有导电性的支撑体。此外， 当从锭块切出硅片时切出部分的损失、需要研磨加工等也是块状型硅太阳能电池的成本无 法降低的主要原因。另一方面，薄膜型硅太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电转换装置，包括：具有透光性的基础衬底；所述基础衬底上具有透光性的绝缘层；所述绝缘层上的单晶半导体层；在所述单晶半导体层的表层中以带状的方式设置的多个分别具有一种导电型的第一杂质半导体层；在所述单晶半导体层的表层中的多个分别具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中所述多个第二杂质半导体层以带状的方式设置，所述多个第一杂质半导体层与所述多个第二杂质半导体层彼此不重叠地交替设置；与所述多个第一杂质半导体层接触的多个第一电极；以及与所述多个第二杂质半导体层接触的多个第二电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：下村明久，井坂史人，加藤翔，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]