【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体加工，尤其是涉及一种准直器及应用其的磁控溅射设备。
技术介绍
1、随着电子行业的飞速发展，半导体产品的需求量也与日俱增。在半导体的加工工艺中，物理气相沉积技术(physical vapor deposition，pvd)是一种常用的在基片表面沉积薄膜的技术，磁控溅射技术是pvd技术中应用最为广泛的一类薄膜沉积技术。
2、现有的磁控溅射技术是通过磁控溅射设备来实现的，在磁控溅射过程中，真空腔体内的反应气体电离产生等离子体，通过等离子体轰击靶材，使靶材发生溅射，从而在基片上沉积形成薄膜。然而，溅射产生的目标粒子由于出射角度过大，使得大角度的粒子无法进入基片表面的沟槽中以实现对沟槽表面镀膜，并且，大角度的粒子还会在沟槽的开口位置堆积从而影响后续的粒子进入沟槽中并形成空腔。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种准直器及应用其的磁控溅射设备，能够有效的过滤入射角度较大的靶材粒子，使得到达基片表面的靶材粒子均为基本垂直于基片表面的入射角度较小的靶材粒子，从而有效提高了台阶覆盖率。
2、为达到上述目的及其他相关目的，本申请提供一种准直器，包括栅格板，所述栅格板围成所述准直器中的通孔，且所述通孔的横截面为等边三角形结构；
3、沿所述准直器的中心到边缘的方向，所述准直器包括n个通道区域；
4、其中，每个所述通道区域包括多个所述通孔，且同一个通道区域中多个通孔的等边三角形横截面的边长相等，n为正整数。
5、可选地，沿所述
6、可选地，所述通孔的等边三角形横截面的边长介于2mm～4mm。
7、可选地，所述栅格板的厚度介于0.4mm～1mm。
8、可选地，所述通孔的深度与所述准直器的厚度相同，且所述准直器的厚度介于40mm～60mm。
9、可选地，沿所述准直器的中心到边缘的方向，n个所述通道区域分别记为第一通道区域、第二通道区域、第n通道区域，并且在所述准直器的俯视图中，所述第一通道区域呈正六边形结构。
10、可选地，沿所述准直器的中心到边缘的方向，n个所述通道区域分别记为第一通道区域、第二通道区域、第n通道区域，其中，第n通道区域的厚度小于或等于第n-1通道区域的厚度，并且第n通道区域中与第n-1通道区域相邻的通孔所在区域的厚度为等高设置，n为所述通道区域的序号，且2≤n≤n。
11、本申请还提供一种磁控溅射设备，包括靶材背板、基座和准直器组件，所述准直器组件包括至少一个如前述实施方式中所述的任一种准直器；
12、所述靶材背板用于安装靶材，所述基座用于放置基片，所述基座与所述靶材背板相对设置，并且所述基座放置基片的一侧与所述靶材背板安装靶材的一侧相对设置，所述准直器组件设置在所述靶材背板与所述基座之间。
13、可选地，所述准直器组件包括至少两个准直器，沿所述靶材背板到所述基座的方向上，多个所述准直器同轴错位布设。
14、可选地，相邻两个所述准直器之间的距离介于20mm～40mm。
15、本申请提供的准直器及应用其的磁控溅射设备，至少具有以下有益效果：
16、本申请的准直器中，由栅格板围成了准直器中的通孔，通孔的横截面为等边三角形结构，通孔的深度与准直器的厚度相同，呈等边三角形结构的通孔能够有效的过滤出射角度较大的靶材粒子，并且，准直器的n个通道区域沿准直器中心到边缘的方向，通孔的等边三角形横截面的边长逐渐变大，准直器的厚度逐渐减小，从而提高了基片表面沉积薄膜厚度的均匀性，同时第n通道区域中与第n-1通道区域相邻的通孔所在区域的厚度为等高设置，能够进一步提高沉积薄膜厚度的均匀性。因此，本申请提供的准直器能够有效的过滤具有较大出射角度的靶材粒子，提高了沉积薄膜的台阶覆盖率，同时能够保证基片表面沉积薄膜的厚度具有较好的均匀性。
17、本申请提供的磁控溅射设备包括准直器组件，该准直器组件包括前述实施方式中的任一种准直器，因此同样具有上述实施方式的有益效果。并且，该磁控溅射设备中的准直器组件可以包括两个及以上的准直器，沿靶材背板到基座的方向，多个准直器同轴错位布设，从而提高了准直器组件对大角度溅射粒子的过滤效果，进一步提高了其台阶覆盖率。
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1.一种准直器，用于磁控溅射设备，其特征在于，包括栅格板，所述栅格板围成所述准直器中的通孔，且所述通孔的横截面为等边三角形结构；
2.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，沿所述准直器的中心到边缘的方向，N个所述通道区域中，对应通孔的等边三角形横截面的边长逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述通孔的等边三角形横截面的边长介于2mm～4mm。
4.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述栅格板的厚度介于0.4mm～1mm。
5.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述通孔的深度与所述准直器的厚度相同，且所述准直器的厚度介于40mm～60mm。
6.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，沿所述准直器的中心到边缘的方向，N个所述通道区域分别记为第一通道区域、第二通道区域、第N通道区域，并且在所述准直器的俯视图中，所述第一通道区域呈正六边形结构。
7.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，沿所述准直器的中心到边缘的方向，N个所述通道区域分别记为第一通道区域、第二通道区域、第N通道区
8.一种磁控溅射设备，其特征在于，包括靶材背板、基座和准直器组件，所述准直器组件包括至少一个如权利要求1～7中任一项所述的准直器；
9.根据权利要求8所述的磁控溅射设备，其特征在于，所述准直器组件包括至少两个准直器，沿所述靶材背板到所述基座的方向上，多个所述准直器同轴错位布设。
10.根据权利要求9所述的磁控溅射设备，其特征在于，相邻两个所述准直器之间的距离介于20mm～40mm。
...【技术特征摘要】
1.一种准直器，用于磁控溅射设备，其特征在于，包括栅格板，所述栅格板围成所述准直器中的通孔，且所述通孔的横截面为等边三角形结构；
2.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，沿所述准直器的中心到边缘的方向，n个所述通道区域中，对应通孔的等边三角形横截面的边长逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述通孔的等边三角形横截面的边长介于2mm～4mm。
4.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述栅格板的厚度介于0.4mm～1mm。
5.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，所述通孔的深度与所述准直器的厚度相同，且所述准直器的厚度介于40mm～60mm。
6.根据权利要求1所述的准直器，其特征在于，沿所述准直器的中心到边缘的方向，n个所述通道区域分别记为第一通道区域、第二通道区域、第n通道区域，并且在所述准...
【专利技术属性】
技术研发人员：苏显月，闫晓晖，拉海忠，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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