【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层、第一电极和第二电极，其中，外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层。第二电极位于第二半导体层远离衬底的表面，第二半导体层具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于凹槽且与第一半导体层相连。
3、然而，当led处于有温度、湿度以及在外加电场作用下，电子受到电场力的作用会发生定向移动。当电子在电场作用下发生定向移动时产生电子云，电子云给电极中的金属离子以力的作用，发生金属迁移。特别是电极中较活泼金属如cr、al等极易在电场下沿着电场方向移动，或者带动外层包覆的au同时发生移动。随着迁移的逐渐发生并加剧，当第一电极中的金属迁移至与第二电极连通时，极易造成led的
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)、第一电极(31)、第二电极(32)和阻挡结构(40)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第一电极(31)与所述第一半导体层(21)相连，所述第二电极(32)与所述第二半导体层(23)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)和阻挡凸起(42)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)，所述阻挡凹槽(4...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)、第一电极(31)、第二电极(32)和阻挡结构(40)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第一电极(31)与所述第一半导体层(21)相连，所述第二电极(32)与所述第二半导体层(23)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)和阻挡凸起(42)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)，所述阻挡凹槽(41)从所述第一半导体层(21)向远离所述第一电极(31)的一侧延伸，或从所述第二半导体层(23)向远离所述第二电极(32)的一侧延伸；或者，
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述阻挡结构(40)包括阻挡凸起(42)的情况下，所述阻挡凸起(42)远离所述外延层(20)的表面具有第一凹槽(421)。
5.根据权利要求2至4任一项所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：王绘凝，栗伟，江平，夏章艮，刘传桂，佘晓敏，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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