【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、发光二极管(英文：light emitting diode，简称：led)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。
2、相关技术中，发光二极管包括衬底、外延层、第一电极和第二电极，其中，外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层。第二电极位于第二半导体层远离衬底的表面，第二半导体层具有露出第一半导体层的凹槽，第一电极位于凹槽且与第一半导体层相连。
3、然而，当led处于有温度、湿度以及在外加电场作用下，电子受到电场力的作用会发生定向移动。当电子在电场作用下发生定向移动时产生电子云，电子云给电极中的金属离子以力的作用，发生金属迁移。特别是电极中较活泼金属如cr、al等极易在电场下沿着电场方向移动，或者带动外层包覆的au同时发生移动。随着迁移的逐渐发生并加剧，当第一电极中的金属迁移至与第二电极连通时，极易造成led的漏电甚至短路。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法，能改善电极中金属迁移的问题，提升发光二极管的可靠性。所述技术方案如下：
2、一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括外延层、第一电极、第二电极和阻挡结构，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一
3、可选地，所述阻挡结构包括阻挡凹槽和阻挡凸起中的至少一种。
4、可选地，所述阻挡结构包括阻挡凹槽，所述阻挡凹槽从所述第一半导体层向远离所述第一电极的一侧延伸，或从所述第二半导体层向远离所述第二电极的一侧延伸；或者，所述阻挡结构包括阻挡凸起，所述阻挡凸起位于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面；或者，所述阻挡结构包括阻挡凹槽和阻挡凸起，所述阻挡凹槽从所述第一半导体层向远离所述第一电极的一侧延伸，或从所述第二半导体层向远离所述第二电极的一侧延伸；所述阻挡凸起位于所述第一半导体层或所述第二半导体层的表面，所述阻挡凸起环绕所述阻挡凹槽，且所述阻挡凸起的至少部分位于所述阻挡凹槽内。
5、可选地，在所述阻挡结构包括阻挡凸起的情况下，所述阻挡凸起远离所述外延层的表面具有第一凹槽。
6、可选地，所述第二半导体层具有露出所述第一半导体层的第二凹槽，所述第一电极位于所述第二凹槽内，所述第二电极位于所述第二半导体层上；所述阻挡结构包括多个所述阻挡凹槽，多个所述阻挡凹槽位于所述第一电极和所述第二电极之间，位于所述第二半导体层上的所述阻挡凹槽，沿着从所述第二电极至所述第一电极的方向，多个所述阻挡凹槽的槽深逐渐减小，位于所述第二凹槽内的所述阻挡凹槽，沿着从所述第一电极至所述第二电极的方向，多个所述阻挡凹槽的槽深逐渐减小。
7、可选地，所述阻挡结构在所述第一半导体层远离所述第一电极的表面的正投影为扇环形。
8、可选地，从所述第二电极至所述第一电极的方向上，位于所述第二半导体层上的所述阻挡结构对应的圆弧的圆心角逐渐减小。
9、可选地，所述阻挡凸起为绝缘材料凸起。
10、可选地，所述阻挡凹槽的分布间距为5μm至30μm，所述阻挡凸起的分布间距为5μm至30μm。
11、另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：制作外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；在所述外延层上制作第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层相连，所述第二电极与所述第二半导体层相连；在所述外延层上形成阻挡结构，所述阻挡结构围绕所述第一电极和所述第二电极中的至少一个，所述阻挡结构用于阻挡金属迁移。
12、本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
13、本公开实施例提供的发光二极管在外延层上设有阻挡结构，阻挡结构围绕第一电极和第二电极中的至少一个。由于阻挡结构能阻挡金属迁移，因此，通过在第一电极和/或第二电极周围设置围绕的阻挡结构，能有效阻挡一个电极上的金属向外延层的边缘和另一个电极扩散，防止金属迁移至连通两个电极，而造成发光二极管的漏电或短路，提升发光二极管的可靠性。
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1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)、第一电极(31)、第二电极(32)和阻挡结构(40)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第一电极(31)与所述第一半导体层(21)相连，所述第二电极(32)与所述第二半导体层(23)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)和阻挡凸起(42)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)，所述阻挡凹槽(41)从所述第一半导体层(21)向远离所述第一电极(31)的一侧延伸，或从所述第二半导体层(23)向远离所述第二电极(32)的一侧延伸；或者，
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述阻挡结构(40)包括阻挡凸起(42)的情况下，所述阻挡凸起(42)远离所述外延层(20)的表面具有第一凹槽(421)。
5.根据权利要求2至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层(23
6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)在所述第一半导体层(21)远离所述第一电极(31)的表面的正投影为扇环形。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，从所述第二电极(32)至所述第一电极(31)的方向上，位于所述第二半导体层(23)上的所述阻挡结构(40)对应的圆弧的圆心角逐渐减小。
8.根据权利要求2至4、权利要求6和权利要求7任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡凸起(42)为绝缘材料凸起。
9.根据权利要求2至4、权利要求6和权利要求7任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡凹槽(41)的分布间距为5μm至30μm，所述阻挡凸起(42)的分布间距为5μm至30μm。
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括外延层(20)、第一电极(31)、第二电极(32)和阻挡结构(40)，所述外延层(20)包括依次层叠的第一半导体层(21)、多量子阱层(22)和第二半导体层(23)，所述第一电极(31)与所述第一半导体层(21)相连，所述第二电极(32)与所述第二半导体层(23)相连；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)和阻挡凸起(42)中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述阻挡结构(40)包括阻挡凹槽(41)，所述阻挡凹槽(41)从所述第一半导体层(21)向远离所述第一电极(31)的一侧延伸，或从所述第二半导体层(23)向远离所述第二电极(32)的一侧延伸；或者，
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，在所述阻挡结构(40)包括阻挡凸起(42)的情况下，所述阻挡凸起(42)远离所述外延层(20)的表面具有第一凹槽(421)。
5.根据权利要求2至4任一项所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：王绘凝，栗伟，江平，夏章艮，刘传桂，佘晓敏，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：
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