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改善金属迁移的发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:39962114
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本公开提供了一种改善金属迁移的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层、第一电极、第二电极和阻挡结构,所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层,所述第一电极与所述第一半导体层相连,所述第二...
该专利属于华灿光电(浙江)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华灿光电(浙江)有限公司授权不得商用。
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