一种紫外发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种紫外发光二极管外延片，包括衬底，依次生长于衬底之上的AlN层、AlGaN过渡层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，还包括超晶格应力释放层，具体包括第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层，第一超晶格插入层生长于AlN层和AlGaN过渡层之间，第二超晶格插入层生长于N型半导体层和有源层之间，第三超晶格插入层生长于有源层和电子阻挡层之间；第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层均为交替层叠的BN层和GaN层组成的超晶格结构。本发明专利技术将超晶格应力释放层插入深紫外结构中，既可以调控应力，也可以起到湮灭位错的效果，进而提高晶体质量、提高内量子。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料的，尤其涉及一种紫外发光二极管外延片及其制备方法。

技术介绍

1、紫外发光二极管(紫外led)是指可发出紫外光的发光二极管，可被广泛用于医疗杀菌、生物科技、防伪鉴定、水及空气等的净化领域、计算机数据存储和军事等方面。而且随着技术的发展，新的应用会不断出现以替代原有的技术和产品，紫外led有着广阔的市场应用前景，如紫外led光疗仪是未来很受欢迎的医疗器械，但是技术还处于成长期。

2、紫外led通常选用algan基掺杂，而与gan基蓝光led相比，紫外led的研制面临着许多独特的技术困难，不论n型掺杂还是p型掺杂。一方面，高al组分algan的材料的外延生长困难，一般而言，al组分越高，晶体质量越低，位错密度普遍在109～1010/cm2乃至更高；另一方面，随着al组分的增加，外延层的电导率均迅速降低，尤其是p型algan的掺杂，掺杂剂mg受主的激活能随着al组分增加而线性增大，使其激活效率低下，导致空穴不足，导电性和发光效率锐降。此外，algan生长过程中应力大，也会导致晶体表面尤其是边缘出现龟裂现象，进而可用面积减少，产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次生长于所述衬底之上的AlN层、AlGaN过渡层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，

2.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层的生长循环周期数均≥10。

3.如权利要求2所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格插入层的生长循环周期数为30～70；

4.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述BN层的厚度为0.3～3nm；所述GaN层的厚度为0.3～3nm。

<p>5.如权利要求4...

【技术特征摘要】

1.一种紫外发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次生长于所述衬底之上的aln层、algan过渡层、n型半导体层、有源层、电子阻挡层和p型半导体层，

2.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层的生长循环周期数均≥10。

3.如权利要求2所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格插入层的生长循环周期数为30～70；

4.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述bn层的厚度为0.3～3nm；所述gan层的厚度为0.3～3nm。

5.如权利要求4所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述bn层的厚度与所述gan层的厚度相同或不同。

6.如权利要求1所述的紫外发光二极管外延片，其特征在于，所述第一超晶格插入层的厚度＞...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘春杨，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：