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本发明公开了一种紫外发光二极管外延片，包括衬底，依次生长于衬底之上的AlN层、AlGaN过渡层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，还包括超晶格应力释放层，具体包括第一超晶格插入层、第二超晶格插入层和第三超晶格插入层，第一超晶格...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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