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【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件的形成方法,特别涉及一种半导体器件保护层的形成方法。
技术介绍
1、在半导体领域中,功率器件(例如mosfet)因为其具有电压控制、单极导电等特点被广泛应用于高频低功耗的场合中。近年来,随着新能源产业的兴起,功率器件被大量运用于电动汽车的电控系统中,因此mosfet器件的可靠性稳定性就越来越被人们重视。
2、现有技术中,造成功率mosfet器件可靠性失效的因素很多。其中晶圆与封装工艺应力不匹配,导致晶圆端保护层(passivationlayer,简称pa)失效是常见的原因之一。一般情况下,保护层是由氮化硅层(sin)组成,但是氮化硅层(sin)具有较好的致密性可以很好的隔绝外界可动离子及湿气进入器件内部。但是sin本身应力值较大,容易造成氮化硅层(sin)与封装材料应力不匹配,在严重的情况下巨大的应力会导致保护层开裂(pa crack),这对于器件的可靠性及稳定性均带来极大的隐患。
3、因此急需一种防开裂的保护层,提高功率器件的稳定性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是提供一种半导体器件的形成方法,从而有效降低保护层与封装材料的应力。
2、为了实现以上目的,本专利技术通过以下技术方案实现:
3、提供一种半导体器件的形成方法,包括步骤:
4、s1、形成初步半导体器件;
5、s2、在所述初步半导体器件上沉积氮化硅层;
6、s3、在所述氮化硅层上沉积顶部氧化层,以形成保护层。<
...【技术保护点】
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括步骤:
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤S2之前还包括步骤:在所述初步半导体器件上沉积底部氧化层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述顶部氧化层的厚度为
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述初步半导体器件为MOSFET。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤S1中,所述初步半导体器件为SGT-MOSFET、IGBT或超结。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤S1中,形成初步半导体器件包括:
7.一种半导体器件,通过如权利要求1-6任一所述的半导体器件的形成方法制造。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括步骤:
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤s2之前还包括步骤:在所述初步半导体器件上沉积底部氧化层。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,所述顶部氧化层的厚度为
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法,其特征在于,在所述步骤s1中,所述初...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘科科,钟义栋,董云,
申请(专利权)人:中晶新源上海半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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