【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学机械研磨，具体涉及一种化学机械研磨垫、研磨平台及研磨装置。
技术介绍
1、化学机械研磨(chemical mechanical planarization，cmp)是采用化学与机械相结合作用在半导体晶圆片上，将晶圆片上的多余材料去除至目标厚度，并使晶圆片获得高度平坦化表面的抛光工艺。cmp工艺中最关键的两个工艺耗材是研磨垫和研磨液，研磨液可以与晶圆表面产生化学反应来增加研磨效率而研磨垫用于研磨晶圆。
2、当前常用的研磨垫是由接触层和缓冲层叠堆后粘接连接组合，其中，接触层的密度较大，用于与晶圆接触研磨；缓冲层的密度较小，具有较大的弹性。工作时，晶圆和研磨垫本体之间通过自身旋转及晶圆在研磨垫本体上的水平运动,利用晶圆表面加工层与研磨垫本体和研磨液之间的机械以及化学作用，达到晶圆表面沉积层的去除和晶圆加工表面平坦化。
3、然而，在对晶圆做抛光作用的时候，由于缓冲层的密度较小，研磨垫受到压力会同时做出反作用力，产生的压缩变量较大，导致容易影响晶圆加工表面的平坦化效果。
技术实现思路
1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中叠堆型研磨垫在使用时，由于缓冲层的压缩变量较大，导致容易影响晶圆加工表面的平坦化效果的问题，从而提供一种化学机械研磨垫、研磨平台及研磨装置。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种化学机械研磨垫，包括：研磨垫本体，所述研磨垫本体采用单层结构，厚度为75-85mil，所述研磨垫本体的上表面用于研磨待研
3、可选地，所述研磨垫本体的密度为0.5—0.8g/cm3。
4、可选地，所述研磨垫本体的密度为0.6—0.7g/cm3。
5、可选地，所述研磨垫本体产生孔洞的发泡微球尺寸为10—40um。
6、可选地，所述研磨垫本体产生孔洞的发泡微球尺寸为10—30um。
7、可选地，所述沟槽为两端开口的通槽。
8、可选地，所述沟槽为直条形槽。
9、可选地，若干所述沟槽在所述研磨垫本体的上表面设置为十字方格结构。
10、可选地，相邻两个所述沟槽的间距为600—1600mil之间。
11、可选地，相邻两个所述沟槽的间距为700—900mil之间。
12、可选地，所述沟槽的深度为15—45mil之间，宽度为10—80mil之间。
13、可选地，所述沟槽的深度为30—40mil之间，宽度为65—80mil之间。
14、本专利技术提供一种研磨平台，包括：上述方案中任一项所述的化学机械研磨垫，所述化学机械研磨垫通过粘贴胶固定在所述研磨平台上。
15、本专利技术提供一种研磨装置，包括上述方案中所述的研磨平台。
16、本专利技术技术方案，具有如下优点：
17、1.本专利技术提供的化学机械研磨垫，在使用时，研磨垫本体的上表面与待研磨件接触并发生机械摩擦，同时沟槽内储存的研磨液与待研磨件的表面产生化学反应增加研磨效率，采用单层结构的研磨垫本体，去除了压缩变量较大的缓冲层，相比于传统的堆叠型研磨垫具有更小的压缩比，厚度为78-85mil的研磨垫本体，整体的压缩变量较小，可以在抛光作业时提高待研磨件表面的平坦化；本专利技术提供的化学机械研磨垫，解决了现有技术中叠堆型研磨垫在使用时，由于缓冲层的压缩变量较大，导致容易影响晶圆加工表面的平坦化效果的问题。
18、2.本专利技术提供的化学机械研磨垫，密度为0.5—0.8g/cm3的研磨垫本体，使研磨垫本体的硬度变低，可以抵消没有缓冲层作用带来的待研磨件表面加工均匀度不好和划伤的不良影响。
19、3.本专利技术提供的化学机械研磨垫，优选密度为0.6—0.7g/cm3的材料制作研磨垫本体，能够更好地抵消没有缓冲层作用带来的待研磨件表面加工均匀度不好和划伤的不良影响。
20、4.本专利技术提供的化学机械研磨垫，通过尺寸为10-40um的发泡微球产生研磨垫本体上的孔洞，可以降低研磨垫本体表面的粗糙度，使研磨垫本体表面与待研磨件的加工表面的接触面积增大，提升去除速率并减少待研磨件表面划伤的情况。
21、5.本专利技术提供的化学机械研磨垫，优选尺寸为10-30um的发泡微球产生研磨垫本体上的孔洞，可以降低研磨垫本体表面的粗糙度，使研磨垫本体表面与待研磨件的加工表面的接触面积增大，提升去除速率并减少待研磨件表面划伤。
22、6.本专利技术提供的化学机械研磨垫，沟槽设置为两端开口的通槽，可以通过沟槽内研磨液的流体传输将加工副产物带走，减少待研磨件表面的加工缺陷。
23、7.本专利技术提供的化学机械研磨垫，直条形槽可以提高沟槽内的研磨液传输速度，快速将加工副产物带走，减少待研磨件表面的加工缺陷。
24、8.本专利技术提供的化学机械研磨垫，研磨垫本体的上表面的沟槽设置为十字方格结构，可以提高沟槽的研磨液贮存能力，且可以依靠流体将加工副产物快速带走，提升去除速率并减少待研磨件表面划伤。
25、9.本专利技术提供的化学机械研磨垫，将相邻两个沟槽的间距控制在600-1600mil之间，在增加研磨垫本体与待研磨件加工表面的接触面积的同时，增加研磨垫本体与待研磨件之间的液膜含量，从而提升去除速率并减少待研磨件表面划伤。
26、10.本专利技术提供的化学机械研磨垫，将相邻两个沟槽的间距优选控制在700—900mil之间，在增加研磨垫本体与待研磨件加工表面的接触面积的同时，增加研磨垫本体与待研磨件之间的液膜含量，从而提升去除速率并减少待研磨件表面划伤。
27、11.本专利技术提供的化学机械研磨垫，沟槽的深度设置为15—45mil之间，宽度设置为10—80mil之间，能够提升沟槽内研磨液的贮存能力和加工副产物去除能力。
28、12.本专利技术提供的化学机械研磨垫，沟槽的深度设置为30—40mil之间，宽度设置为65—80mil之间，能够提升沟槽内研磨液的贮存能力和加工副产物去除能力。
29、13.本专利技术提供的研磨平台，化学机械研磨垫通过粘贴胶固定在研磨平台上，用于对待研磨件的研磨，由于采用上述化学机械研磨垫，因此具有上述任一项优点。
30、14.本专利技术提供的研磨装置，由于采用上述研磨平台，因此具有上述任一项优点。
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1.一种化学机械研磨垫，其特征在于，包括：研磨垫本体(1)，所述研磨垫本体(1)采用单层结构，厚度为75-85mil，所述研磨垫本体(1)的上表面用于研磨待研磨件(4)，所述研磨垫本体(1)的上表面具有用于储存研磨液(3)的沟槽(2)。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)的密度为0.5—0.8g/cm3。
3.根据权利要求2所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)的密度为0.6—0.7g/cm3。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)产生孔洞(5)的发泡微球尺寸为10—40um。
5.根据权利要求4所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)产生孔洞(5)的发泡微球尺寸为10—30um。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽(2)为两端开口的通槽。
7.根据权利要求6所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽(2)为直条形槽。
8.根据权利要求7所述的化学机械研磨垫
9.根据权利要求8所述的化学机械研磨垫，其特征在于，相邻两个所述沟槽(2)的间距为600—1600mil之间。
10.根据权利要求9所述的化学机械研磨垫，其特征在于，相邻两个所述沟槽(2)的间距为700—900mil之间。
11.根据权利要求7-10中任一项所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽(2)的深度为15—45mil之间，宽度为10—80mil之间。
12.根据权利要求11所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽(2)的深度为30—40mil之间，宽度为65—80mil之间。
13.一种研磨平台，其特征在于，包括：权利要求1-12中任一项所述的化学机械研磨垫，所述化学机械研磨垫通过粘贴胶固定在所述研磨平台上。
14.一种研磨装置，其特征在于，包括：权利要求13所述的研磨平台。
...【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨垫，其特征在于，包括：研磨垫本体(1)，所述研磨垫本体(1)采用单层结构，厚度为75-85mil，所述研磨垫本体(1)的上表面用于研磨待研磨件(4)，所述研磨垫本体(1)的上表面具有用于储存研磨液(3)的沟槽(2)。
2.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)的密度为0.5—0.8g/cm3。
3.根据权利要求2所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)的密度为0.6—0.7g/cm3。
4.根据权利要求1所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)产生孔洞(5)的发泡微球尺寸为10—40um。
5.根据权利要求4所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述研磨垫本体(1)产生孔洞(5)的发泡微球尺寸为10—30um。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽(2)为两端开口的通槽。
7.根据权利要求6所述的化学机械研磨垫，其特征在于，所述沟槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔云承，张康，王磊，
申请(专利权)人：北京晶亦精微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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