【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及太阳能电池，特别涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、化石能源存在大气污染并且储量有限，而太阳能具有清洁、无污染和资源丰富等优点，因此，太阳能正在逐步成为替代化石能源的核心清洁能源，由于太阳能电池具有良好的光电转化效率，太阳能电池成为了清洁能源利用的发展重心。
2、topcon(tunnel oxide passivated contact，隧穿氧化层钝化接触)电池以其较好的光电转换性能而受到越来越多的关注.topcon电池是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池技术。在topcon太阳能电池中，通过在基底表面形成钝化接触结构，实现载流子的选择性传输。钝化接触结构包括隧穿层以及掺杂导电层。当前的topcon电池的光电转换效率有限。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种太阳能电池及其制备方法，至少有利于提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。
2、本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对的正面和背面；隧穿氧化层，所述隧穿氧化层位于所述基底的背面上；半导体导电层，所述半导体导电层位于所述隧穿氧化层远离所述基底的表面上，沿垂直于所述基底背面的方向上，所述半导体导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述隧穿氧化层接触，所述第二部分包括交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一部分的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；电极，所述电极位于所述半导
3、在一些实施例中，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度与所述半导体导电层的厚度之间的比值为0.2至0.85。
4、在一些实施例中，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度为30nm至50nm。
5、在一些实施例中，所述第二掺杂区的方阻大于所述第一掺杂区的方阻。
6、在一些实施例中，所述第二掺杂区的方阻为30ω/sq至50ω/sq。
7、在一些实施例中，所述第一部分包括与所述第一掺杂区正对的第三掺杂区和与所述第二掺杂区正对的第四掺杂区，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
8、在一些实施例中，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度。
9、在一些实施例中，所述第二掺杂区的掺杂浓度为1×1021/cm3至5×1021/cm3。
10、相应的本申请实施例还提供了一种太阳能电池制备方法，包括：提供基底，所述基底具有相对的正面和背面，所述基底的背面上包括沿垂直于所述基底背面的方向层叠设置的隧穿氧化层和初始半导体导电层，所述隧穿氧化层与所述基底的背面接触；对所述初始半导体导电层远离所述基底的表面进行选择性激光处理，形成半导体导电层，沿垂直于所述基底背面的方向上，所述半导体导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述隧穿氧化层接触，所述第二部分包括交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第一部分的掺杂浓度小于所述第二掺杂区的掺杂浓度；形成电极，所述电极与所述第二掺杂区欧姆接触。
11、在一些实施例中，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光功率为10w至30w，激光光斑的能量密度为0.6j/cm2至1.2j/cm2。
12、在一些实施例中，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光波长为260nm至360nm。
13、在一些实施例中，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光光斑的大小60μm至150μm，激光扫描速度为40m/s至60m/s。
14、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：
15、本申请实施例提供的太阳能电池中，位于基底背面的隧穿氧化层上的半导体导电层由邻近基底的第一部分和远离基底的第二部分构成，且半导体导电层的第二部分包括交替排布的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度，第一部分的半导体导电层的掺杂浓度也小于第二掺杂区的半导体导电层的掺杂浓度，太阳能电池背面的电极位于半导体导电层远离基底的表面上，并与第二掺杂区欧姆接触。通过在半导体导电层远离基底的一侧形成多个重掺杂区，提高载流子半导体导电层远离基底的一侧的横向传输效率，并且降低半导体导电层整体掺杂浓度过大带来的载流子复合损失，从而有效的提升太阳能电池的填充因子和光电转换效率。
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1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度与所述半导体导电层的厚度之间的比值为0.2至0.85。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度为30nm至50nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的方阻大于所述第一掺杂区的方阻。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的方阻为30Ω/sq至50Ω/sq。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一部分包括与所述第一掺杂区正对的第三掺杂区和与所述第二掺杂区正对的第四掺杂区，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的掺杂浓度为1×1021/cm3至5
9.一种太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光功率为10w至30w，激光光斑的能量密度为0.6J/cm2至1.2J/cm2。
11.根据权利要求9所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光波长为260nm至360nm。
12.根据权利要求9所述的太阳能电池制备方法，其特征在于，所述选择性激光处理的工艺参数包括：激光光斑的大小60μm至150μm，激光扫描速度为40m/s至60m/s。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度与所述半导体导电层的厚度之间的比值为0.2至0.85。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在沿垂直于所述基底的背面的方向上，所述第二掺杂区的厚度为30nm至50nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的方阻大于所述第一掺杂区的方阻。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区的方阻为30ω/sq至50ω/sq。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一部分包括与所述第一掺杂区正对的第三掺杂区和与所述第二掺杂区正对的第四掺杂区，所述第四掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度。
7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：于琨，刘长明，张昕宇，徐国平，王晓凡，赵朋松，
申请(专利权)人：晶科能源海宁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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