基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器及制备制造技术

基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器及制备，属于光电探测器技术领域。器件依次由Au电极、MoO<subgt;3</subgt;传输层、钙钛矿单晶、PCBM：C<subgt;60</subgt;传输层、BCP传输层、Cu电极组成。本发明专利技术通过GAI掺杂，改进Cs<subgt;0.1</subgt;FA<subgt;0.9</subgt;Pb(I<subgt;0.9</subgt;Br<subgt;0.1</subgt;)<subgt;3</subgt;的A位阳离子组分得到性能更优的Cs<subgt;0.1</subgt;FA<subgt;0.85</subgt;GA<subgt;0.05</subgt;Pb(I<subgt;0.9</subgt;Br<subgt;0.1</subgt;)<subgt;3</subgt;钙钛矿单晶，接着通过滴涂的方式制备PCBM：C<subgt;60</subgt;传输层，最后通过蒸镀的方式制备MoO<subgt;3</subgt;传输层、Au电极、BCP传输层和Cu电极，完成钙钛矿单晶X射线探测器的制备。本发明专利技术制备的X射线探测器电荷传输性能优异、响应速度快、暗电流和噪声低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于钙钛矿光电器件，具体涉及一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器及其制备方法。

技术介绍

1、自x射线发现以来，已在医学、地质、文物保护等众多领域实现了广泛的应用。x射线探测技术包括直接探测与间接探测。一个典型的x射线探测器包括探测材料(如闪烁体等)、光电转换阵列和电路部分。而光电转换阵列与电路即组成了光电传感器。一般来说，光电传感器的线性动态范围、响应速度、光谱灵敏度、颜色精度和分辨率主要由探测材料决定，因此探测材料在很大程度上决定了光电传感器的成像质量。目前为止，大多数商业数字传感器，如电荷耦合设备和互补金属氧化物半导体设备，通常是基于非晶态硅或晶体硅(si)。尽管基于si的光电传感器的性能已经得到了证明，但它们仍然存在载流子迁移率低和光响应性能差的缺点。

2、有机-无机铅卤钙钛矿因其具有制备简单、光电转换效率高的优势，近年来基于钙钛矿的太阳能电池等领域已经成为全球研究热点，同时它也被认为是一种适合x射线探测的新型半导体材料。钙钛矿材料在光电应用中最为常见的两种形式是多晶薄膜和单晶结构。然而，多晶薄膜存在大量的缺陷，严本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器及其制备方法，其步骤如下：

2.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤1)中的搅拌时间为8～12h。

3.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤2)中是将Cs0.1FA0.85GA0.05Pb(I0.9Br0.1)3溶液升温至80～85℃。

4.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的X射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤3)中的升温速度为0.25～0.75℃/h。

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【技术特征摘要】

1.一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器及其制备方法，其步骤如下：

2.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤1)中的搅拌时间为8～12h。

3.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤2)中是将cs0.1fa0.85ga0.05pb(i0.9br0.1)3溶液升温至80～85℃。

4.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器的制备方法，其特征在于：步骤3)中的升温速度为0.25～0.75℃/h。

5.如权利要求1所述的一种基于掺杂剂作用的甲脒钙钛矿单晶的x射线探测器的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈亮，王雪东，周敬然，姜继忠，马尧，魏薇，
申请(专利权)人：吉林大学，
类型：发明
国别省市：