半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括芯片安装部分和经由导电粘合材料设置在芯片安装部分上的半导体芯片。这里，半导体芯片的平面形状是四边形。此外，在平面视图中，多个薄部分被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处。此外，被分别形成在半导体芯片的多个拐角部分处的多个薄部分彼此间隔开。此外，多个薄部分中的每个薄部分的厚度小于除多个薄部分之外半导体芯片的厚度。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体器件及其制造技术，并且例如，涉及可以有效地应用于包括功率晶体管的半导体器件的技术及其制造技术。

技术介绍

1、这里，公开了以下列出的技术。

2、[专利文献1]日本未审查专利申请公开第2016-157880号

3、专利文献1公开了一种在半导体芯片的背表面的外围边缘部分中形成凹部的技术。

技术实现思路

1、在半导体器件中，半导体芯片例如经由导电粘合材料安装在芯片安装部分(管芯焊盘)上。在如上所述配置的半导体器件中，执行温度循环测试以确保半导体器件的可靠性。然后，当执行温度循环测试时，由于半导体芯片的热膨胀系数与芯片安装部分的热膨胀系数之间的差异，大的应力被施加到半导体芯片的拐角部分的背表面与导电粘合材料之间的界面。结果，在具有低可靠性的半导体器件中，当执行温度循环测试时，裂纹在导电粘合材料内部从半导体芯片的拐角部分的背表面(其中大的应力被施加到该拐角部分的背表面)与导电粘合材料之间的界面开始发展，作为起点，从而导致热阻缺陷(热阻失效)。出于这个原因，期望实现具有高可靠性的半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个薄部分中的每个薄部分的平面形状是三角形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述垂直型沟槽功率MOSFET的沟道平面是{100}平面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个薄部分中的每个薄部分由多个狭缝凹槽部分组成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个薄部分中的每个薄部分的平面形状是三角形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述垂直型沟槽功率mosfet的沟道平面是{100}平面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个薄部分中的每个薄部分由多个狭缝凹槽部分组成。

9.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：中柴康隆，波多俊幸，柳川洋，关口智久，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：