System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有集成电阻器及双感测放大器的电流感测电路制造技术_技高网

具有集成电阻器及双感测放大器的电流感测电路制造技术

技术编号:39929333 阅读:5 留言:0更新日期:2024-01-08 21:41
本公开涉及具有集成电阻器及双感测放大器的电流感测电路。第一放大器被视为常开放大器。所述常开放大器为一或多个模拟控制回路提供跨集成多晶硅电阻器的电流(Isns)的连续测量。第二放大器被视为切换放大器。所述切换放大器为一或多个数字控制回路提供所述电流(Isns)的测量。所述切换放大器由一或多个开关切换以便以高准确度执行偏移测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及无线电力,且更具体来说,涉及电流感测。


技术介绍

1、电流感测是无线电力系统中的一个块。所感测电流与电压测量一起提供系统的电力测量。电力测量对了解多少电力实际从传输器接收且输送到负载(例如电池)来说至关重要。特定来说,无线电力系统必须非常准确地测量电力以帮助外物检测。不期望外物从传输器接收电力且开始过热。接收器可包含电流感测功能性以测量所接收的电力以确定由外物造成的电力损失。可通过更准确地确定所接收的电流来预测由外物造成的电力损失。因此,期望以给定准确度水平确定所接收的电流。然而,无线电力系统的电流感测功能可包含由一或多个来源引入的不准确度。

2、鉴于上述情况,本公开的一或多个实施例提供一种包含经改进电流感测能力的集成电路。


技术实现思路

1、根据本公开的一或多个说明性实施例,描述一种集成电路。在一些实施例中,所述集成电路包含耦合于第一节点与第二节点之间的第一电阻器。在一些实施例中,所述第一电阻器包含第一电阻(rs)。在一些实施例中,所述第一电阻器经配置以当所述第一节点包含第一电压(vrect)且所述第二节点包含第二电压(vmid)时跨所述第一电阻器载送第一电流(isns)。在一些实施例中,所述集成电路包含第一放大器,其包含耦合到所述第一节点的第一输入及耦合到所述第二节点的第二输入。在一些实施例中,所述第一放大器经配置以输出第三电压(vo)。在一些实施例中,所述集成电路包含第二电阻器及第三电阻器。在一些实施例中,所述第二电阻器及所述第三电阻器各自包含第二电阻(rt)。在一些实施例中,所述第二电阻器耦合于所述第一节点与所述第一放大器的第一输入之间。在一些实施例中,所述第三电阻器耦合于所述第二节点与所述第一放大器的第二输入之间。在一些实施例中,所述集成电路包含用于测量偏移的多个开关。在一些实施例中,所述集成电路包含第二放大器,其包含耦合到所述第一节点的第三输入及耦合到所述第二节点的第四输入。在一些实施例中,所述第二放大器经配置以输出第四电压(van)。

2、根据本公开的一或多个说明性实施例,描述一种无线电力系统。在一个说明性实施例中,所述无线电力系统包含线圈。在一些实施例中,所述无线电力系统包括集成电路。在一些实施例中,所述集成电路包括经配置以从所述线圈接收交流电且产生第一电压(vrect)的整流器电路。在一些实施例中,所述集成电路包括电流感测电路。在一些实施例中,所述电流感测电路包括耦合于第一节点与第二节点之间的第一电阻器。在一些实施例中,所述第一电阻器包含第一电阻(rs)。在一些实施例中,所述第一电阻器经配置以当所述第一节点包含所述第一电压(vrect)且所述第二节点包含第二电压(vmid)时跨所述第一电阻器载送第一电流(isns)。在一些实施例中,所述电流感测电路包括第一放大器,其包含耦合到所述第一节点的第一输入及耦合到所述第二节点的第二输入。在一些实施例中,所述第一放大器经配置以输出第三电压(vo)。在一些实施例中,所述电流感测电路包括第二电阻器及第三电阻器。在一些实施例中,所述第二电阻器及所述第三电阻器各自包含第二电阻(rt)。在一些实施例中,所述第二电阻器耦合于所述第一节点与所述第一放大器的第一输入之间。在一些实施例中,其中所述第三电阻器耦合于所述第二节点与所述第一放大器的第二输入之间。在一些实施例中,所述电流感测电路包括用于测量偏移的多个开关。在一些实施例中,第二放大器包含耦合到所述第一节点的第三输入及耦合到所述第二节点的第四输入。在一些实施例中,所述第二放大器经配置以输出第四电压(van)。在一些实施例中,所述集成电路包括经配置以调节所述第二电压(vmid)的电压调节器电路。在一些实施例中,所述集成电路包括处理器。在一些实施例中,所述处理器经配置以接收所述第三电压(vo)的一或多个数字信号且基于所述第三电压(vo)确定所述电流(isns)。在一些实施例中,所述无线电力系统包括电池充电系统。

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【技术保护点】

1.一种集成电路,其包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二放大器使用所述第一电流(Isns)为一或多个模拟控制回路提供模拟通道。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一放大器使用所述第一电流(Isns)为一或多个数字控制回路提供数字通道。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其进一步包括经配置以接收所述第三电压(Vo)的一或多个数字信号且进一步经配置以基于所述第三电压(Vo)来确定所述第一电流(Isns)的处理器;其中所述处理器经配置以通过切换所述多个开关中的一或多个开关来测量所述偏移;其中所述处理器经配置以当确定所述第一电流(Isns)时补偿所述偏移。

5.根据权利要求4所述的集成电路,其进一步包括经配置以向所述处理器提供所述第三电压(Vo)的所述一或多个数字信号的至少一个模/数转换器。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中当所述多个开关中的所述一或多个开关经切换以确定所述偏移时,所述处理器无法确定所述第一电流(Isns)。

7.根据权利要求6所述的集成电路,其中当所述第一节点具有所述第一电压(Vrect)且所述第二节点具有所述第二电压(Vmid)时,所述第二放大器接通。

8.根据权利要求7所述的集成电路,其中当所述多个开关中的所述一或多个开关经切换以确定所述偏移时,所述第二放大器保持接通以确保所述模拟通道持续接收所述第一电流(Isns)。

9.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述集成电路的所述一或多个模拟控制回路包括电压调节器。

10.根据权利要求1所述的集成电路,其进一步包括:

11.根据权利要求10所述的集成电路,其进一步包括第六电阻器及第七电阻器;其中

12.根据权利要求11所述的集成电路,其中所述第四电阻器由第一多个多晶硅片形成;其中所述第五电阻器由第二多个多晶硅片形成;其中所述第六电阻器由第三多个多晶硅片形成;其中所述第七电阻器由第四多个多晶硅片形成;其中所述第一多个多晶硅片、所述第二多个多晶硅片、所述第三多个多晶硅片及所述第四多个多晶硅片安置于所述集成电路的层上。

13.根据权利要求12所述的集成电路,其中所述第一多个多晶硅片与所述第二多个多晶硅片、所述第三多个多晶硅片及所述第四多个多晶硅片指叉;其中所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片及所述第四多个多晶硅片指叉;其中所述第三多个多晶硅片与所述第四多个多晶硅片指叉。

14.根据权利要求13所述的集成电路,其中所述第一多个多晶硅片关于轴线与所述第二多个多晶硅片成镜像;其中所述第三多个多晶硅片关于所述轴线与所述第四多个多晶硅片成镜像。

15.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二放大器包含用于偏移校正的斩波反馈回路。

16.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一放大器的增益是基于所述第一电阻(Rs)。

17.根据权利要求1所述的集成电路,其进一步包括整流器、电流感测放大器及电压调节器;其中所述电流感测放大器包含所述第一电阻器、所述第二电阻器、所述第三电阻器、所述第一放大器、所述多个开关及所述第二放大器;其中所述整流器经配置以从线圈接收交流电且对所述交流电进行整流以向所述第一节点提供所述第一电压(Vrect);其中所述电压调节器经配置以调节所述第二电压(Vmid)。

18.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第一放大器及所述第二放大器各自包括差分放大器。

19.一种系统,其包括:

20.根据权利要求19所述的系统,其中所述系统能够配置于接收模式与传输模式之间;其中当所述系统处于所述接收模式中时,所述第一电流(Isns)从所述整流器跨所述第一电阻器而提供到所述电压调节器;其中所述处理器经配置以当所述系统处于所述接收模式中时确定所述第一电流(Isns)。

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【技术特征摘要】

1.一种集成电路,其包括:

2.根据权利要求1所述的集成电路,其中所述第二放大器使用所述第一电流(isns)为一或多个模拟控制回路提供模拟通道。

3.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述第一放大器使用所述第一电流(isns)为一或多个数字控制回路提供数字通道。

4.根据权利要求3所述的集成电路,其进一步包括经配置以接收所述第三电压(vo)的一或多个数字信号且进一步经配置以基于所述第三电压(vo)来确定所述第一电流(isns)的处理器;其中所述处理器经配置以通过切换所述多个开关中的一或多个开关来测量所述偏移;其中所述处理器经配置以当确定所述第一电流(isns)时补偿所述偏移。

5.根据权利要求4所述的集成电路,其进一步包括经配置以向所述处理器提供所述第三电压(vo)的所述一或多个数字信号的至少一个模/数转换器。

6.根据权利要求5所述的集成电路,其中当所述多个开关中的所述一或多个开关经切换以确定所述偏移时,所述处理器无法确定所述第一电流(isns)。

7.根据权利要求6所述的集成电路,其中当所述第一节点具有所述第一电压(vrect)且所述第二节点具有所述第二电压(vmid)时,所述第二放大器接通。

8.根据权利要求7所述的集成电路,其中当所述多个开关中的所述一或多个开关经切换以确定所述偏移时,所述第二放大器保持接通以确保所述模拟通道持续接收所述第一电流(isns)。

9.根据权利要求2所述的集成电路,其中所述集成电路的所述一或多个模拟控制回路包括电压调节器。

10.根据权利要求1所述的集成电路,其进一步包括:

11.根据权利要求10所述的集成电路,其进一步包括第六电阻器及第七电阻器;其中

12.根据权利要求11所述的集成电路,其中所述第四电阻器由第一多个多晶硅片形成;其中所述第五电阻器由第二多个多晶硅片形成;其...

【专利技术属性】
技术研发人员:R·德罗齐埃J·阿克曼M·鲁斯福德
申请(专利权)人:安华高科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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