一种自举式SIC负压驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种自举式SIC负压驱动电路，包括负压产生电路和自举式驱动电路；负压产生电路包括变压器、第一稳压管、第二稳压管、整流二极管、第一电容、第二电容、第三电容；变压器从线圈的一端与第一稳压管的正极和第一电容相连，还作为接地端GND1，另一端与整流二极管的正极相连；第一稳压管的负极与第一电阻、第二电容和第一电容相连，还作为接地端GND2；第二稳压管的负极与整流二极管的负极、第三电容相连，还作为电源端VCC2，正极与第一电阻、第二电容、第三电容相连，还作为电源端VCC1；自举式驱动电路与接地端GND1、电源端VCC1和电源端VCC2相连，输出端用于控制SIC的启闭。本实用新型专利技术采用负压控制碳化硅的关断，避免由于弥勒电容和寄生电感导致的误导通。避免由于弥勒电容和寄生电感导致的误导通。避免由于弥勒电容和寄生电感导致的误导通。

【技术实现步骤摘要】
一种自举式SIC负压驱动电路


[0001]本技术属于碳化硅(SIC)驱动
，具体涉及一种自举式SIC负压驱动电路。

技术介绍

[0002]碳化硅(SIC)作为一种新型复合型半导体材料，在实际应用中具有多种优势。在新能源汽车行业，随着高压平台的逐渐普及和对零部件越来越严苛的要求，很多厂商开始用碳化硅(SIC)来代替IGBT，碳化硅(SIC)相对于IGBT具有更高的击穿电压，更低的导通电阻，和更高的热导率。这使得碳化硅(SIC)器件可以在更高的电压平台和更快的开关频率下工作。
[0003]在一些低成本应用中，自举式驱动电路非常受欢迎，不仅涉及设计简单，而且成本很低，在实际应用中只需要一路电源就可以驱动上下桥的两个开关管。但是碳化硅(SIC)的IGBT开启的阈值电压要低很多，如果还是用0V去控制关管，容易发生误导通。

技术实现思路

[0004]针对上述问题，本技术提出一种自举式SIC负压驱动电路，能够实现只通过一路电源驱动上下桥的碳化硅(SIC)，采用负压控制关断，避免了由于弥勒电容和寄生电感导致的误导通。
[0005]为了实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术通过以下技术方案实现：
[0006]一种自举式SIC负压驱动电路，包括相连的负压产生电路和自举式驱动电路；
[0007]所述负压产生电路包括变压器、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一整流二极管D3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3；
[0008]所述变压器从线圈的第一端分别与第一稳压管D1的正极和第一电容C1的第一端相连，还作为接地端GND1，其第二端与所述第一整流二极管D3的正极相连；
[0009]所述第一稳压管D1的负极分别与第一电阻R1的第一端、第二电容C2的第一端和第一电容C1的第二端相连，还作为接地端GND2；
[0010]所述第二稳压管D2的负极分别与第一整流二极管D3的负极、第三电容C3的第二端相连，还作为电源端VCC2，其正极分别与所述第一电阻R1的第二端和第二电容C2的第二端，以及第三电容C3的第一端相连，还作为电源端VCC1；
[0011]所述自举式驱动电路的电源端分别与所述接地端GND1、电源端VCC1和电源端VCC2相连，其输出端用于与SIC相连，控制SIC的启闭。
[0012]可选地，所述负压产生电路还包括第四电容C4，所述第四电容C4的第一端与所述变压器从线圈的第一端相连，其第二端与所述第一整流二极管D3的负极相连。
[0013]可选地，所述自举式驱动电路包括上桥和下桥，所述上桥的电源端分别接地端GND1和电源端VCC2相连；所述下桥的电源端分别接地端GND1和电源端VCC1相连。
[0014]可选地，所述上桥包括第十电容C10、第二电阻R2、第二整流二极管D4、第一驱动芯
片U1、第六电容C6、第四电阻R4、第三稳压管D5、第五电容C5、第三电阻R3和第七电容C7；
[0015]所述第十电容C10的两端分别与接地端GND1和电源端VCC2相连；
[0016]所述第二电阻R2的一端与第十电容C10和电源端VCC2之间的连接点相连，另一端与所述第二整流二极管D4的正极相连，所述第二整流二极管D4的负极与第一驱动芯片U1的第一输入端相连，所述第二整流二极管D4的负极还通过第五电容C5与第一驱动芯片U1的第二输入端相连；所述第二电阻R2、第二整流二极管D4和第五电容C5构成自举电路；
[0017]所述第一驱动芯片U1的输出端与所述第三电阻R3的一端相连，所述第三电阻R3的另一端用于与SIC的栅极相连；
[0018]所述第三稳压管D5的正极与所述第五电容C5与第一驱动芯片U1的第二输入端之间的连接点相连，负极用于与SIC的源极相连；
[0019]所述第六电容C6的两端分别与第二整流二极管D4和第三稳压管D5的负极相连；
[0020]所述第七电容C7的一端与第三稳压管D5的负极相连，另一端与第三电阻R3上远离第一驱动芯片U1的一端相连。
[0021]可选地，所述上桥还包括第五电阻R5，所述第五电阻R5的一端与第三电阻R3和第七电容C7之间的连接点相连，另一端与第三稳压管D5的负极相连。
[0022]可选地，所述下桥包括第二驱动芯片U2、第八电容C8和第六电阻R6；
[0023]所述第二驱动芯片U2的第一输入端和第二输入端分别与接地端GND1和电源端VCC1相连；
[0024]所述第八电容C8的两端分别与接地端GND1和电源端VCC1相连；
[0025]所述第二驱动芯片U2的输出端与所述第六电阻R6的一端相连，所述第六电阻R6的另一端用于与SIC的栅极相连。
[0026]可选地，所述下桥还包括第七电阻R7和第九电容C9，所述第七电阻R7和第九电容C9的其中一端均用于与SIC的源极相连，二者的另一端均用于与SIC的栅极相连。
[0027]与现有技术相比，本技术的有益效果：
[0028]本技术提供了一种自举式SIC负压驱动电路，能够实现只通过一路电源驱动上下桥布置的SIC，采用负压控制关断，避免了由于弥勒电容和寄生电感导致的误导通。
附图说明
[0029]为了使本专利技术的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中：
[0030]图1为本技术一种实施例的负压产生电路的原理示意图；
[0031]图2为本技术一种实施例的自举式驱动电路的原理示意图。
具体实施方式
[0032]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术的保护范围。
[0033]在本技术专利的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新
型专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术专利的限制。
[0034]在本技术专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0035]下面结合附图对本技术的应用原理作详细的描述。
[0036]本技术中提供了一种自举式SIC负压驱动电路，包括相连的负压产生电路和自举式驱动电路；
[0037]如图1所示，所述负压产生电路包括变压器、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一整流二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自举式SIC负压驱动电路，其特征在于：包括相连的负压产生电路和自举式驱动电路；所述负压产生电路包括变压器、第一稳压管D1、第二稳压管D2、第一整流二极管D3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3；所述变压器从线圈的第一端分别与第一稳压管D1的正极和第一电容C1的第一端相连，还作为接地端GND1，其第二端与所述第一整流二极管D3的正极相连；所述第一稳压管D1的负极分别与第一电阻R1的第一端、第二电容C2的第一端和第一电容C1的第二端相连，还作为接地端GND2；所述第二稳压管D2的负极分别与第一整流二极管D3的负极、第三电容C3的第二端相连，还作为电源端VCC2，其正极分别与所述第一电阻R1的第二端和第二电容C2的第二端，以及第三电容C3的第一端相连，还作为电源端VCC1；所述自举式驱动电路的电源端分别与所述接地端GND1、电源端VCC1和电源端VCC2相连，其输出端用于与SIC相连，控制SIC的启闭。2.根据权利要求1所述的一种自举式SIC负压驱动电路，其特征在于：所述负压产生电路还包括第四电容C4，所述第四电容C4的第一端与所述变压器从线圈的第一端相连，其第二端与所述第一整流二极管D3的负极相连。3.根据权利要求1所述的一种自举式SIC负压驱动电路，其特征在于：所述自举式驱动电路包括上桥和下桥，所述上桥的电源端分别接地端GND1和电源端VCC2相连；所述下桥的电源端分别接地端GND1和电源端VCC1相连。4.根据权利要求3所述的一种自举式SIC负压驱动电路，其特征在于：所述上桥包括第十电容C10、第二电阻R2、第二整流二极管D4、第一驱动芯片U1、第六电容C6、第四电阻R4、第三稳压管D5、第五电容C5、第三电阻R3和第七电容C7；所述第十电容C10的两端分别与接地端GND1和电源端VCC2相连；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗跃文，符胜高，施佳丽，张臻，陈雷，牛敬彬，
申请(专利权)人：江苏首智新能源技术有限公司，
类型：新型
国别省市：