【技术实现步骤摘要】
一种基于碳化硅的功率场效应晶体管
[0001]本技术涉及晶体管
,特别是一种基于碳化硅的功率场效应晶体管
。
技术介绍
[0002]功率场效应晶体管是电压控制器件,在功率场效应晶体管中较多采用的是
V
沟槽工艺,这种工艺生产地管称为
VMOS
场效应晶体管,它的栅极做成
V
型,有沟道短
、
耐压能力强
、
跨导线性好
、
开关速度快等优点,故在功率应用领域有着广泛的应用
。
[0003]现有的功率场效应晶体管通过安装板和螺丝固定在基座上,安装拆卸十分便捷,但是当晶体管比较靠近发热元器件时,晶体管容易受热损坏,同时震动也会影响晶体管的正常使用
。
技术实现思路
[0004]本技术的目的旨在至少解决所述技术缺陷之一
。
[0005]本技术的目的在于克服现有技术的缺点,解决
技术介绍
中所提到的问题,提供一种基于碳化硅的功率场效应晶体管
。
[0006]本技术的目的通过以下技术方案来实现:一种基于碳化硅的功率场效应晶体管,包括晶体管,所述晶体管的一侧固定连接有第一安装板,所述晶体管另一侧的左右两边均固定连接有第二安装板,所述第一安装板和第二安装板的内部均开设有第一安装孔;
[0007]所述第一安装板的左右两侧均开设有滑槽,所述滑槽的内部滑动连接有滑板,所述滑板的一侧固定连接有第一连接板,所述第一连接板的顶部固定连接有框板,所述框板另一侧的左右 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种基于碳化硅的功率场效应晶体管,其特征在于:包括晶体管
(1)
,所述晶体管
(1)
的一侧固定连接有第一安装板
(2)
,所述晶体管
(1)
另一侧的左右两边均固定连接有第二安装板
(3)
,所述第一安装板
(2)
和第二安装板
(3)
的内部均开设有第一安装孔
(4)
;所述第一安装板
(2)
的左右两侧均开设有滑槽
(5)
,所述滑槽
(5)
的内部滑动连接有滑板
(6)
,所述滑板
(6)
的一侧固定连接有第一连接板
(7)
,所述第一连接板
(7)
的顶部固定连接有框板
(8)
,所述框板
(8)
另一侧的左右两边均固定连接有第二连接板
(9)
,所述第二连接板
(9)
的底部固定连接有第三安装板
(10)。2.
根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的功率场效应晶体管,其特征在于:所述第三安装板
(10)
的内部内嵌安装有环形板
(11)
,所述环形板
(11)
的中心处固定连接有垫块
(12)
,所述垫块
(12)
的中心处开设有第二安装孔
(13)。3.
根据权利要求1所述的一种基于碳化硅的功率场效应晶体管,其特征在于:所述第二安装板
(3)
的数量为两个,两个所述第二安装板
(3)
分别位于晶体管
(1)
一侧的左右两边,所述第一安装板
(2)
和第二安装板
(...
【专利技术属性】
技术研发人员:李想,
申请(专利权)人:深圳市珑威盛科电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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