一种集成电路芯片封装体制造技术

本发明专利技术公开了一种集成电路芯片封装体，包括ＩＣ芯片、引线和引线框架内引脚，其中，所述引线材质为ＩＩＩＢ族元素金属合金；所述引线用于固定连接所述ＩＣ芯片和引线框架内引脚。本发明专利技术的引线具有良好电学性能、热学性能和机械性能，并且，成本较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种集成电路芯片封装体。
技术介绍
现有技术中，金丝具有电导率大、耐腐蚀、韧性好等优点，广泛应用于集成电路，但 是由于金丝价格昂贵，导致集成电路产品成本较高。较常用的铜丝、铝丝在空气中容易被氧化，并且，铜丝的硬度较强，而铝丝由于存 在形球非常困难等问题，只能采用楔键合，主要应用在功率器件、微波器件和光电器件。随着高密度封装的发展，金丝球焊的缺点将日益突出，同时微电子行业为降低成 本、提高可靠性，必将寻求工艺性能好、价格低廉的金属材料来代替价格昂贵的金。因此，现有技术存在缺陷，需要改进。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种采用具有良好电学性能、热学性能和机 械性能，并且，成本较低的IIIB组元素金属合金作为引线的集成电路芯片封装体。本专利技术的技术方案如下一种集成电路芯片封装体，包括IC芯片、引线和引线框 架内引脚，其中，所述引线材质为IIIB族元素金属合金；所述引线用于固定连接所述IC芯 片和引线框架内引脚。所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土合金或者锕系元素合金。所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜合金或者锕系元素合金 ο所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铝合金或者锕系元素合金 O所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜铝合金或者锕系元素合金 O所述的集成电路芯片封装体，其中，所述稀土，至少包括镧系稀土金属元素其中之一ο所述的集成电路芯片封装体，其中，所述稀土为镧和/或铈。所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质，包括镧系稀土金属元素其中之 一、以及锕系稀土金属元素其中之一。所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线的直径为0.01-0. 35mm。所述的集成电路芯片封装体，其中，所述引线的直径为0. 05-0. 1mm。采用上述方案，本专利技术通过将所述引线材质为IIIB族元素金属合金，IIIB族元素 金属合金引线具有良好电学性能、热学性能和机械性能，可以代替传统的金引线，提高引线 性能，从而可以降低成本。附图说明图1是本专利技术的一种示意图。 具体实施例方式以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进行详细说明。实施例1如图1所示本实施例提供了一种集成电路芯片封装体，所述集成电路芯片封装体 包括IC芯片101、引线103和引线框架内引脚104 ；并且，各元件通过密封材料102封装。 其中，IC芯片101可以为各集成电路芯片，如为驱动芯片、控制芯片等，所述IC芯片一般应 用于LED领域，用于驱动或控制各LED单元；并且，所述引线103用于固定连接所述IC芯片 101和引线框架内引脚104，从而使IC芯片101内部电路与外部电路接通。其中，所述引线材质为IIIB族元素金属合金，所述IIIB族元素金属合金，是IIIB 族元素与一种或多种金属元素所形成的合金，IIIB族元素是化学元素周期表中，原子序数 为21、39、57 71、89 103的32种化学元素的统称。IIIB族元素常见价态为+3，具有活 泼的金属特性。例如，所述引线材质为稀土合金；即为稀土元素与一种或多种金属元素所形成的 合金。稀土元素是化学元素周期表中IIIB族中，原子序数为21、39和57 71的17种化 学元素的统称。其中原子序数为57 71的15种化学元素又统称为镧系元素。稀土元素 包括钪、钇、镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥。通常把镧、铈、镨、钕、钷、 钐、铕称为轻稀土元素；而钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钇称为重稀土元素。又如，所述引线材质为锕系元素合金，锕系元素为锕、钍镤、铀、镎、钚、镅、锔、锫、 锎、锿、镄、钔、锘、铹15种元素的总称，锕系元素都是金属，与镧系元素一样，化学性质比较 活泼。一般，IC芯片的引线要求具有良好导电、导热性，较高的强度，弹性优良，屈服强度 高，耐热性和耐氧化性好，具有一定的耐蚀性，表面质量好，可焊性高等特点。IIIB族元素，尤其稀土元素，具有活泼的金属性能，大多数稀土金属呈现顺磁性。 钆在o°c时比铁具更强的铁磁性。铽、镝、钬、铒等在低温下也呈现铁磁性，镧、铈的低熔点和 钐、铕、镱的高蒸气压表现出稀土金属的物理性质有极大差异。钐、铕、钇的热中子吸收截面 比广泛用于核反应堆控制材料的镉、硼还大。稀土金属具有可塑性，以钐和镱为最好。除镱 夕卜，钇组稀土较铈组稀土具有更高的硬度。而在合金中加入稀土元素可以大大改善该合金 的性质，从而可以提高合金的导电、导热、强度、弹性、耐腐蚀、耐热性和耐氧化性等等性质。 并且，我国拥有丰富的稀土矿产资源，成矿条件优越，稀土合金成本较低。例如，钢铁中加入少量稀土元素，可大大改善钢的机械性能，因此稀土元素可称为 钢铁的“维生素”。例如在生铁里加进铈，可得到球墨铸铁，使生铁具有韧性且耐磨，可以铁 代钢，以铸代锻。本实施例不限制各合金的比例，以实际可用的各种IIIB族元素合金即可，S卩，可 以选用已知的各种IIIB族元素合金，下同。实施例2在上述各例基础上，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体，其中，所述引线材质为稀土铜合金或锕系元素铜合金，即稀土元素或锕系元素与铜元素形成的合金。 铜具有良好的电学性能和热学性能，其中，铜的电导率为0. 62 ( μ Ω /cm) _1，比金 的电导率Ω/cnO-l]大，同时铜的热导率也高于金，因此在直径相同的条件下铜 丝可以承载更大电流，使得铜引线不仅用于功率器件中，也应用于更小直径引线以适应高 密度集成电路封装；并且，铜的机械性能也非常好，在铜中加入稀土元素或锕系元素，制成 的稀土铜合金或锕系元素铜合金，能够集合铜和稀土元素或锕系元素的优良性能，具有良 好的电学性能和热学性能，以及还有好的机械性能，并且，成本较低。或者，所述引线材质为稀土铝合金或锕系元素铝合金，即稀土元素或锕系元素与铝元素形成的合金，铝是银白色的轻金属，面心立方结构，有较好的导电性和导热性，稳定 性高，并具有高度的柔韧性，且易于折叠，并且，价格较低，与稀土元素或锕系元素形成合 金，可以用于制作引线，成本较低，并且，性能好。或者，所述引线材质为稀土铜铝合金或锕系元素铜铝合金，即稀土元素或锕系元 素，与铜元素和铝元素形成的合金，从而可以通过调整合金的重量比、以及合金中稀土元素 或锕系元素的组成，使引线的性能更好。本实施例不限制各合金的比例，以实际可用的各种IIIB族元素合金即可。实施例3在上述各例基础上，本实施例所提供的一种集成电路芯片封装体，其中，所述稀 土，至少包括镧系稀土金属元素其中之一。镧系元素通常是银白色有光泽的金属，比较软，有延展性并具有顺磁性。镧系元素 的化学性质比较活泼。优选地，所述稀土金属选用镧或铈、或者，镧和铈；其中，镧为银白色的软金属，有 延展性。化学性质活泼；铈为灰色活泼的金属，是镧系金属中自然丰度最高的一种，性质活 泼。或者，应用于上述各例，所述引线的材质还包括锕系金属元素其中之一，锕系金属 元素包括锕、钍镤、铀、镎、钚、镅、锔、锫、锎、锿、镄、钔、锘、铹15种元素。通过选用锕系金属 合金，即锕系元素与一种或多种金属元素所形成的合金，可以使锕系金属合金同样具有良 好的电学性能、热学性能和机械性能。实施例4在上述各例基础上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路芯片封装体，包括ＩＣ芯片、引线和引线框架内引脚，其特征在于，所述引线材质为采用ⅢＢ族元素金属合金；所述引线用于固定连接所述ＩＣ芯片和引线框架内引脚。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：商松，
申请(专利权)人：北京中庆微数字设备开发有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]