半导体封装制造技术

一种半导体封装包括：半导体管芯，具有第一表面

【技术实现步骤摘要】
半导体封装


[0001]典型地在封装中提供诸如功率晶体管器件之类的半导体器件。封装可以包括：衬底或引线框，其包括用于在再分布板(诸如，印刷电路板)上安装封装的外接触部。封装还包括：从半导体器件到衬底或引线框的内部电连接；以及外壳，其可以包括覆盖半导体器件和内部电连接的塑料模塑化合物。用于功率应用的公共晶体管器件包括硅基硅基功率MOSFET、硅基绝缘栅双极晶体管(IGBT)、碳化硅(SiC)功率器件和III
‑
N族半导体器件，诸如氮化镓(GaN)器件。

技术介绍

[0002]US 2004/104489 A1公开了用于高频应用的源极安装半导体器件封装。半导体封装包括半导体管芯，该半导体管芯具有第一和第二相对主要表面、在相应主要表面上设置的第一和第二主要电极、以及在第二主要表面上设置的控制电极。在高频应用中，趋肤效应现象导致封装电阻中的增加。为了减小封装电阻，提供了薄金属夹，其电连接到管芯的第一主要电极且具有相对大的表面积。
[0003]适于中频应用的半导体封装是期望的。

技术实现思路

[0004]根据本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，包括：半导体管芯(11)，具有第一表面(24)、与所述第一表面(24)相对的第二表面(25)、所述第一表面(24)上的第一接触焊盘(26)和所述第二表面(26)上的第二接触焊盘(27)；管芯焊盘(13)以及与所述管芯焊盘(13)间隔开的至少一个引线(14)，其中所述半导体管芯(11)的第一接触焊盘(26)被安装在所述管芯焊盘(13)上，并且所述第二接触焊盘(27)通过连接器(15)电连接到所述至少一个引线(14)；模塑化合物(16)，覆盖所述半导体管芯(11)、所述连接器(15)以及所述管芯焊盘(13)和所述至少一个引线(14)的上表面(28)；金属构件(17)，其电感耦合到所述连接器(15)且与所述连接器(15)电阻绝缘；其中所述金属构件(17)包括：网状部分(34)，被布置在所述半导体管芯(11)的第二表面(26)上面；以及至少一个外围边沿部分(35)，其在向着所述半导体管芯(11)的第一表面(24)的方向上从所述网状部分(34)延伸。2.根据权利要求1所述的半导体封装(10、10
’
、10”、100)，其中所述金属构件(17)是电浮动的。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，其中所述金属构件(17)通过所述模塑化合物(16)的部分与所述连接器(15)电阻绝缘。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，其中所述金属构件(17)的网状部分(34)是基本上平面的，并且所述至少一个外围边沿部分(35)具有与所述连接器(15)附着到的所述至少一个引线(14)的上表面(23)间隔开的远端(36)。5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体封装(10
’
、10”、10”'、100)，其中所述金属构件(17)包括：两个外围边沿部分(35)，从所述网状部分(34)的相对横向边延伸；或者三个外围边沿部分(25)，从所述网状部分(34)的邻接横向边延伸；或者四个外围边沿部分(35)，从所述网状部分(34)的邻接横向边延伸。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，其中所述金属构件(17)部分地覆盖所述半导体管芯(11)的第二表面(26)，或完全覆盖所述半导体管芯(11)的第二表面(26)。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，其中所述金属构件(17)部分地覆盖所述连接器(15)或完全覆盖所述连接器(15)。8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100)，其中所述连接器(15)是接触夹，所述接触夹具有：夹网状部分(20)，被安装在所述第二接触焊盘(26)上；以及夹外围部分(21)，被安装在所述至少一个引线(14)上。9.根据权利要求8所述的半导体封装(10、10
’
、10”、10”'、100...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：