成膜方法技术

本发明专利技术为一种成膜方法，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜方法，其包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及，在所述成膜部对所述雾进行热处理，从而在基体上进行成膜的工序，当将所述载气的流量设为

【技术实现步骤摘要】
成膜方法
本专利技术是申请号为
201980055286.4、
申请日为
2019
年6月
13
日
、
专利技术名称为“成膜方法”的中国专利申请的分案申请，本申请要求
2018
年8月
27
日在日本提出申请的日本特愿
2018
‑
158078
的优先权
。


[0001]本专利技术涉及使用雾状原料在基体上进行成膜的成膜方法
。

技术介绍

[0002]以往，已开发出能够实现脉冲激光沉积法
(Pulsed laser deposition:PLD)、
分子束外延法
(Molecular beam epitaxy:MBE)、
溅射法等的非平衡状态的高真空成膜装置，变得能够制作无法通过之前的熔融法而制作的氧化物半导体
。
此外，已开发出一种使用经雾化的雾状原料在基板上使晶体生长的雾化化学气相沉积法
(Mist Chemical VaporDep本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种成膜装置，其是在成膜部对雾进行热处理而进行成膜的成膜装置，其特征在于，具备：将原料溶液雾化而产生雾的雾化部
、
供给用于输送雾的载气的载气供给部
、
对雾进行热处理而在基体上进行成膜的成膜部
、
连接所述雾化部和所述成膜部并通过载气输送雾的输送部
、
及对所述成膜装置进行控制的控制部，当将供给至所述成膜部的所述载气的流量设为
Q(L/
分
)、
将所述载气的温度设为
T(℃)
时，所述控制部以7＜
T+Q
＜
67
的方式对进行所述成膜时的供给至所述成膜部的所述载气的流量
Q
和所述载气的温度
T
进行控制
。2.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述控制部以
17
＜
T+Q
＜
57
的方式对供给至所述成膜部的所述载气的流量
Q
和所述载气的温度
T
进行控制
。3.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜部具备成膜室，用于加热所述基体的加热板设置在所述成膜室的外部或内部
。4.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述载气供给部具备用于调节所述载气的流量的流量调节阀
。5.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置在载气供给管道上具备调节所述载气的温度的载气温度控制部
。6.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述成膜装置具备调节所述载气的温度的载气温度控制部，所述载气温度控制部设置在所述载气供给部与所述输送部的连接部和
/
或所述载气供给部与所述雾化部的连接部
。7.
根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述控制部基于所述载气供给部与所述输送部的所述连接部的管道的外壁和
/
或所述载气供给部与所述雾化部的所述连接部的管道的外壁处所测定的温度，对所述载气的温度
T
进行控制
。8.
根据权利要求1～7中任一项所述的成膜装置，其特征在于，所述控制部进一步基于所述输送部与所述成膜部的连接部处所测定的温度，对所述载气的温度
T
进行控制
。9.
一种成膜基体的制造方法，其特征在于，使用权利要求1～8中任一项所述的成膜装置，将具有刚玉结构的氧化镓
(
α
‑
Ga2O3)
在所述基体上成膜
。10.
一种成膜基体的制造方法，其是在成膜部对雾进行热处理而在基体上进行成膜的成膜基体的制造方法，其特征在于，包括：在雾化部将原料溶液雾化而产生雾的工序；经由连接所述雾化部和所述成膜部的输送部，通过载气将所述雾从所述雾化部输送至所述成膜部的工序；以及在所述成膜部对所述雾进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部武纪，桥上洋，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：