用于高质量氧化硅薄膜的原子层沉积的组合物制造技术

公开了以

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于高质量氧化硅薄膜的原子层沉积的组合物

技术介绍

[0001]本文描述了用于形成高质量氧化硅膜的组合物
。
更具体地，本文描述了使用原子层沉积
(ALD)
工艺在约
600℃
或更低的一个或多个沉积温度下形成氧化硅膜的组合物和方法
。
[0002]含
‑
SiH3部分的有机氨基硅烷是沉积含硅膜
(
例如但不限于氧化硅和氮化硅膜或其掺杂形式
)
的理想前体
。
例如，挥发性化合物，例如但不限于有机氨基硅烷
、
有机氨基乙硅烷和
/
或有机氨基碳硅烷，是用于在半导体器件制造中沉积含硅膜的重要前体
。
有机氨基硅烷化合物的特定实施方案包括二异丙基氨基硅烷
(DIPAS)
和二仲丁基氨基硅烷
(DSBAS)
，其先前已被证明对于这种膜的受控沉积表现出理想的物理性质
。
[0003]现有技术描述了用于产生有机氨基硅烷化合物的一些方法/>。
日本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于沉积高质量氧化硅膜的方法，所述方法包括以下步骤：
a.
在反应器中提供衬底；
b.
向所述反应器中引入至少一种硅前体，其中所述至少一种硅前体具有由
H3SiNR1R2表示的结构，其中
R1和
R2各自独立地选自
C1‑
10
直链烷基
、C3‑
10
支链烷基
、C3‑
10
环烷基
、C2‑
10
烯基
、C4‑
10
芳基
、C4‑
10
杂环基，条件是
R1和
R2不能同时为
C1‑2直链烷基或
C3支链烷基，并且其中所述至少一种硅前体基本上不含一种或多种选自卤化物
、
金属离子
、
金属及其组合的杂质；
c.
用吹扫气体吹扫反应器；
d.
将氧源引入所述反应器中；
e.
用吹扫气体吹扫反应器；其中重复步骤
b
至
e
，直至沉积所需厚度，并且其中工艺温度范围为
20
至
600℃
，并且所述反应器中的压力范围为
50
毫托
(mT)
至
760
托
。2.
根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种硅前体选自二仲丁基氨基硅烷
、
二叔丁基氨基硅烷
、
苯基甲基氨基硅烷
、
苯基乙基氨基硅烷
、
环己基甲基氨基硅烷
、
环己基乙基氨基硅烷
、2,6
‑
二甲基哌啶子基硅烷
、2,5
‑
二甲基吡咯基硅烷及其混合物
。3.
根据权利要求1所述的方法，其中所述硅前体中的所述卤化物包括氯化物
。4.
根据权利要求3所述的硅前体，其中所述氯化物，如果存在，以通过
IC
测量的
10ppm
或更低的氯化物浓度存在
。5.
根据权利要求3所述的硅前体，其中所述氯化物，如果存在，以通过
IC
测量的
5ppm
或更低的氯化物浓度存在
。6.
根据权利要求3所述的硅前体，其中所述氯化物，如果存在，以通过
IC
测量的
1ppm
氯化物或更低的浓度存在
。7.
根据权利要求1所述的方法，其中所述吹扫气体选自氮气
、
氦气和氩气
。8.
根据权利要求1所述的方法，其中所述氧源选自氧
、
过氧化物
...

【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：弗萨姆材料美国有限责任公司，
类型：发明
国别省市：