降低制造技术

本发明专利技术提供一种降低

【技术实现步骤摘要】
降低TOPCon电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及
TOPCon
电池，具体是一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法
。

技术介绍

[0002]在
TOPCon
电池生产中
ALD
制备氧化铝膜层沉积在电池正面，用于钝化接触膜层，减少表面复合，提升电池片效率
。
[0003]ALD
法沉积制备氧化铝膜层一般通过三甲基铝作为第一反应前驱体，水或者臭氧作为第二反应前驱体反应
。
工业化生产为提高产能一般通过单槽双插方法使氧化铝只沉积在正面，但由于插片贴合会有部分氧化铝绕过正面沉积在背面，也就是发生绕镀，此类绕镀会导致电池背面边缘与中间膜层产生差异进而导致：
a、
外观边缘色差；
b、
背面边缘有氧化铝，中间无氧化铝导致背面浆料及烧结产生差异，进而有发生效率下降
、EL
不良风险
。
[0004]当制备相同厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
对硅基底进行清洗，去除表面的杂质和污染物；
S2、
对硅基底正面进行活化处理；
S3、
第一层沉积：在
ALD
反应室中，将硅基底放置在加热台上，并将三甲基铝作为第一反应前驱体引入反应室中；三甲基铝在硅基底正面发生吸附反应，生成一层单原子层的三甲基铝沉积；
S4、
气体清洗
:
将
ALD
反应室中的三甲基铝排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的三甲基铝；
S5、
第二层沉积
:
将水蒸气作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
a
，参与反应的水蒸气量设为
x
；
S6、
气体清洗
:
将反应室中的水蒸气排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的水蒸气；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新兴，朱露，张飞，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：