降低制造技术

本发明专利技术提供一种降低

【技术实现步骤摘要】
降低TOPCon电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及
TOPCon
电池，具体是一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法
。

技术介绍

[0002]在
TOPCon
电池生产中
ALD
制备氧化铝膜层沉积在电池正面，用于钝化接触膜层，减少表面复合，提升电池片效率
。
[0003]ALD
法沉积制备氧化铝膜层一般通过三甲基铝作为第一反应前驱体，水或者臭氧作为第二反应前驱体反应
。
工业化生产为提高产能一般通过单槽双插方法使氧化铝只沉积在正面，但由于插片贴合会有部分氧化铝绕过正面沉积在背面，也就是发生绕镀，此类绕镀会导致电池背面边缘与中间膜层产生差异进而导致：
a、
外观边缘色差；
b、
背面边缘有氧化铝，中间无氧化铝导致背面浆料及烧结产生差异，进而有发生效率下降
、EL
不良风险
。
[0004]当制备相同厚度的氧化铝膜的条件下，使用水作为前驱体时，硅片背面绕镀范围为
10
‑
15mm
；使用臭氧作为前驱体时，硅片背面绕镀范围为3‑
5mm。
[0005]由此可知，使用臭氧产生的绕镀范围更小，但是电池片成品的转换效率，使用臭氧作为前驱体低于使用水作为前驱体
。
[0006]综上所述，如何在沉积氧化铝膜时，同时使用水蒸气和臭氧，在确保电池片的转换效率的基础上，降低绕镀范围，成为了本领域技术人员亟待解决的问题
。

技术实现思路

[0007]为解决
技术介绍
中的技术问题，本专利技术公开了一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法
。
[0008]本专利技术提供一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法，包括以下步骤：
S1、
对硅基底进行清洗，去除表面的杂质和污染物；
S2、
对硅基底正面进行活化处理；
S3、
第一层沉积：在
ALD
反应室中，将硅基底放置在加热台上，并将三甲基铝作为第一反应前驱体引入反应室中；三甲基铝在硅基底正面发生吸附反应，生成一层单原子层的三甲基铝沉积；
S4、
气体清洗
:
将
ALD
反应室中的三甲基铝排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的三甲基铝；
S5、
第二层沉积
:
将水蒸气作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
a
，参与反应的水蒸气量设为
x
；
S6、
气体清洗
:
将反应室中的水蒸气排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的水蒸气；
S7、
重复步骤
S3
‑
S4
；然后将臭氧作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
b
，参与反应的臭氧量设为
y
；
S8、
气体清洗
:
将反应室中的臭氧排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的臭氧；
S9、
重复步骤
S3
‑
S8
，直至形成所需厚度的氧化铝薄膜；单独使用水蒸气或臭氧生成一层原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
c
，
a+b=c
；设
z=x/
（
x+y
），
z
值的范围为
30
‑
70%。
[0009]第二反应中，水蒸气和臭氧作为前驱体交替使用，并在水蒸气量的占比范围为
30
‑
70%
的共同作用下，绕镀范围可减少至6‑
7mm
，转换效率为
24.957
‑
25.03%
；从而在确保电池片转化效率的基础上，降低外观边缘色差
、
降低硅基底背面浆料和烧结产生的差异，避免产生
EL
不良风险
。
[0010]优选的，
z
值为
50%。
如此设置，绕镀范围可减少至
6.5mm
，转化效率可达到
25.03%。
具体实施方式
[0011]实施例一：本专利技术公开一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法，包括以下步骤：
S1、
通过超声波清洗的方式对硅基底进行清洗，去除表面的杂质和污染物；
S2、
通过等离子体处理的方式对硅基底正面进行活化处理，增加表面的反应活性；
S3、
第一层沉积：在
ALD
反应室中，将硅基底放置在加热台上，并将三甲基铝作为第一反应前驱体引入反应室中；三甲基铝在硅基底正面发生吸附反应，生成一层单原子层的三甲基铝沉积；
S4、
气体清洗
:
将
ALD
反应室中的三甲基铝排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的三甲基铝；本实施例中惰性气体为氦气；
S5、
第二层沉积
:
将水蒸气作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
a
，参与反应的水蒸气量设为
x
；
S6、
气体清洗
:
将反应室中的水蒸气排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的水蒸气；本实施例中惰性气体为氦气；
S7、
重复步骤
S3
‑
S4
；然后将臭氧作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
b
，参与反应的臭氧量设为
y
；
S8、
气体清洗
:
将反应室中的臭氧排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的臭氧；本实施例中惰性气体为氦气；
S9、
重复步骤
S3
‑
S8
，直至形成所需厚度的氧化铝薄膜；单独使用水蒸气或臭氧生成一层原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
c
，
a+b=c
；设
z=x/
（
x+y
），
z
值的范围为
30
‑
70%。
如此形成的电池片数据，与单独使用水蒸气或臭氧形成的电池片数据，两者进行对比时，参考价值最大
。
[0012]本实施例中，步骤
S5
中的水蒸气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种降低
TOPCon
电池制备氧化铝膜产生绕镀的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、
对硅基底进行清洗，去除表面的杂质和污染物；
S2、
对硅基底正面进行活化处理；
S3、
第一层沉积：在
ALD
反应室中，将硅基底放置在加热台上，并将三甲基铝作为第一反应前驱体引入反应室中；三甲基铝在硅基底正面发生吸附反应，生成一层单原子层的三甲基铝沉积；
S4、
气体清洗
:
将
ALD
反应室中的三甲基铝排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的三甲基铝；
S5、
第二层沉积
:
将水蒸气作为第二反应前驱体引入反应室中，与三甲基铝反应，生成一层单原子层的氧化铝膜沉积，厚度设为
a
，参与反应的水蒸气量设为
x
；
S6、
气体清洗
:
将反应室中的水蒸气排出，并通过情性气体进行清洗，以去除残留的水蒸气；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新兴，朱露，张飞，孙铁囤，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：