闪存器件的制作方法技术

本申请公开了一种闪存器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底上形成有第一氧化物层，第一氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上形成有隔离层，隔离层上形成有第二多晶硅层，第二多晶硅层上形成有第二氧化物层，第二氧化物层

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种存储器件的制作方法
。

技术介绍

[0002]在非易失性存储器
(non
‑
volatile memory
，
NVM)
中，闪存
(flash)
器件由于具有低成本
、
低功耗
、
存取速度快的优点得到了广泛的应用
。
[0003]闪存器件在工作时有写
(program)、
擦
(erase)、
读
(read)
三种基本操作，其中比较常用的是采用发生在浮栅
(floating gate
，
FG)
和字线
(word line
，
WL)
之间的福勒诺海
(Fowler Nordheim
，
F
‑
N)
遂穿来实现浮栅中电子的擦除，而浮栅的尖端结构辅助
F
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种闪存器件的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有第一氧化物层，所述第一氧化物层上形成有第一多晶硅层，所述第一多晶硅层上形成有隔离层，所述隔离层上形成有第二多晶硅层，所述第二多晶硅层上形成有第二氧化物层，所述第二氧化物层
、
所述第二多晶硅层和所述隔离层中形成有沟槽；形成氮化物隔离层，所述氮化物隔离层覆盖所述沟槽表面；进行刻蚀，去除所述沟槽底部的第一多晶硅层，刻蚀至所述第一氧化物层中的预定深度；进行回刻蚀，在所述第一多晶硅层边缘的顶部形成尖端结构
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行刻蚀，去除所述沟槽底部的第一多晶硅层，包括：通过干法刻蚀工艺进行刻蚀去除所述沟槽底...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志斌，李志国，徐杰，吴志涛，柳邦杰，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：