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本申请公开了一种闪存器件的制作方法，包括：提供一衬底，该衬底上形成有第一氧化物层，第一氧化物层上形成有第一多晶硅层，第一多晶硅层上形成有隔离层，隔离层上形成有第二多晶硅层，第二多晶硅层上形成有第二氧化物层，第二氧化物层
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该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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