一种管式制造技术

本实用新型专利技术公开了一种管式

【技术实现步骤摘要】
一种管式PECVD用新型石墨舟舟叶


[0001]本技术涉及石墨舟
，具体涉及一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶
。

技术介绍

[0002]晶体硅太阳电池生产制造过程中，硅片表面的氮化硅镀膜，普遍使用管式
PECVD
技术，其中用来装载硅片的载具为石墨舟，用管式
PECVD
的石墨舟载具进行晶体硅太阳电池的硅片镀膜，发现在较低的沉积温度（
300
°
以下）条件下，或者硅片的电阻率比较高（大于
4ohm*cm
）
、
厚度比较薄（低于
140um
）的情况下，容易出现硅片表面镀膜均匀性变差的情况，即膜厚不均匀度从
3%
升高到
5%
以上，甚至超过
10%。
[0003]如公告号为
CN 206015086U
的一种适用于
PERC
电池双面管式
PECVD
镀膜的石墨舟，包括若干石墨舟片，各石墨舟片，在其厚度方向上间隔设置，所述石墨舟片的表面为平坦结构
。
[0004]随着晶体硅太阳电池行业的发展，管式
PECVD
镀膜技术的应用范围逐渐扩大，出现低沉积温度，或者硅片的电阻率比较高
、
厚度比较薄的应用场景，此时硅片自身的导电性相对较差，硅片作为正负极激发电场和等离子体的均匀性较差，使得硅片表面镀膜均匀性变差，因此，亟需设计一种管式
>PECVD
用新型石墨舟舟叶来解决上述问题
。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是提供一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，以解决现有技术中的上述不足之处
。
[0006]为了实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0007]一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，包括石墨舟叶本体，所述石墨舟叶本体的表面设置有镂空区域，且镂空区域为放置硅片的区域，所述镂空区域的外壁上开设有周期排列的镂空结构，所述镂空结构的形状为圆形或者倒角方形，相邻所述镂空结构沿硅片长度或者宽度方向的间距，为硅片在这一方向尺寸的
1/30
到
1/4
之间
。
[0008]优选的，所述镂空结构的直径或者边长为其最小相邻单元间距的
1/2
到
4/5
之间，所述石墨舟叶本体靠近镂空区域的表面设置有若干个石墨卡钉
。
[0009]优选的，所述石墨卡钉和镂空区域上的硅片固定连接，且硅片为正负极的电极板并产生电场
。
[0010]在上述技术方案中，本技术提供的一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，本技术能够将原来放置硅片的完整镂空区域改成按周期排列的镂空结构，使得硅片背面和石墨舟叶本体的电连接接触由原来的局部边缘接触，改变成边缘接触和背面多点均匀接触相结合，进而实现多点多区域的导电，减小了对硅片自身导电能力的依赖，在硅片电阻率较高
、
厚度较薄或者
PECVD
沉积温度较低的情况下，保证硅片作为正负极激发均匀电场和等离子体，实现管式
PECVD
的均匀镀膜；本技术放置硅片的区域，还设置有若干石墨卡钉，用来固定硅片，改善硅片和舟叶的电接触，有助于改善镀膜均匀性
。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0012]图1为本技术一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶实施例提供的正面示意图
。
[0013]图2为本技术一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶实施例提供的局部正面示意图
。
[0014]图3为本技术一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶实施例提供的镂空结构形状示意图
。
[0015]附图标记说明：
[0016]1石墨舟叶本体
、2
镂空区域
、3
石墨卡钉
、4
镂空结构
。
具体实施方式
[0017]为了使本领域的技术人员更好地理解本技术的技术方案，下面将结合附图对本技术作进一步的详细介绍
。
[0018]如图1‑3所示，本技术实施例提供的一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，包括石墨舟叶本体1，石墨舟叶本体1的表面设置有镂空区域2，且镂空区域2为放置硅片的区域，镂空区域2的外壁上开设有周期排列的镂空结构
4。
[0019]具体的，本实施例中，包括石墨舟叶本体1，石墨舟叶本体1的表面设置有镂空区域2，石墨舟由若干石墨舟叶本体1沿舟叶的厚度方向平行排列，且镂空区域2为放置硅片的区域，可将硅片放在镂空区域2上，镂空区域2的外壁上开设有周期排列的镂空结构4，周期排列的镂空结构4将原来放置硅片的完整镂空区域替代，硅片背面和石墨舟叶本体1的电连接接触成边缘接触和背面多点均匀接触相结合，即可多点多区域的导电
。
[0020]本技术提供的一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，本技术能够将原来放置硅片的完整镂空区域改成按周期排列的镂空结构4，使得硅片背面和石墨舟叶本体1的电连接接触由原来的局部边缘接触，改变成边缘接触和背面多点均匀接触相结合，进而实现多点多区域的导电，减小了对硅片自身导电能力的依赖，在硅片电阻率较高
、
厚度较薄或者
PECVD
沉积温度较低的情况下，保证硅片作为正负极激发均匀电场和等离子体，实现管式
PECVD
的均匀镀膜
。
[0021]本技术提供的一个实施例中，如图
1、
图2和图3所示的，镂空结构4的形状为圆形或者倒角方形，相邻镂空结构4沿硅片长度或者宽度方向的间距，为硅片在这一方向尺寸的
1/30
到
1/4
之间
。
[0022]本技术提供的一个实施例中，如图
1、
图2和图3所示的，镂空结构4的直径或者边长为其最小相邻单元间距的
1/2
到
4/5
之间，石墨舟叶本体1靠近镂空区域2的表面设置有若干个石墨卡钉3，相邻镂空区域2的表面设有多列石墨卡钉3，石墨卡钉3将硅片固定在石墨舟叶本体1上
。
[0023]本技术提供的一个实施例中，如图
1、
图2和图3所示的，石墨卡钉3和镂空区域2上的硅片固定连接，且硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种管式
PECVD
用新型石墨舟舟叶，包括石墨舟叶本体（1），其特征在于，所述石墨舟叶本体（1）的表面设置有镂空区域（2），且镂空区域（2）为放置硅片的区域，所述镂空区域（2）的外壁上开设有周期排列的镂空结构（4），所述镂空结构（4）的形状为圆形或者倒角方形，相邻所述镂空结构（4）沿硅片长度或者宽度方向的间距，为硅片在这一方向尺寸的
1/30
到
1/4
之间
。2.
根据权利要求1所述的一种管...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩宜辰，仇加亮，朱皓杰，邢军，刘志梅，刘莹莹，
申请(专利权)人：安徽旭合新能源科技有限公司，
类型：新型
国别省市：