RPD制造技术

本发明专利技术公开了一种

【技术实现步骤摘要】
RPD镀膜装置


[0001]本专利技术涉及太阳能光伏镀膜
，尤其涉及一种
RPD
镀膜装置
。

技术介绍

[0002]RPD(Reactive Plasma Deposition)
等离子体沉积镀膜的原理是采用等离子束轰击靶锭表面，在真空环境下，升华的靶材离子在等离子体区域被激活而形成离子态，并与通入的反应气体反应形成沉积在衬底表面的薄膜；相关技术中，不同的反应气体的离化率具有差异，如氧气的解离度远不及其他气体，由于气体离子在镀膜腔体内受到磁场的影响而偏向，造成衬底上薄膜沉积的区块含氧比例不均，影响薄膜沉积的厚度及方阻的均匀性
。

技术实现思路

[0003]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一
。
为此，本专利技术提出一种
RPD
镀膜装置，能够提升氧气的解离度，以及薄膜的沉积厚度与方阻的均匀性
。
[0004]根据本专利技术实施例中的
RPD
镀膜装置，包括：
[0005]镀膜室，内部具有真空腔；
[0006]炉膛，部分位于所述真空腔内，用于装载并加热靶锭；
[0007]等离子体发生器，位于所述镀膜室的侧部，并向所述真空腔内发射等离子束；
[0008]传送机构，用于装载待镀基板，所述传送机构与所述炉膛相对设置；
[0009]输气机构，所述输气机构包括输气主体，所述输气主体位于所述炉膛朝向所述传送机构的一侧，所述输气主体具有排气孔，所述排气孔用于朝向所述炉膛排放反应气体，所述输气主体具有沿所述炉膛与所述传送机构的排布方向贯穿的反应腔
。
[0010]根据本专利技术实施例的
RPD
镀膜装置，至少具有如下有益效果：
[0011]本专利技术的实施例中将输气主体设置于靠近靶锭的高温升华区域，且排气孔朝向炉膛扩散反应气体，反应气体从输气主体排出后扩散至炉膛中央附近，借由炉膛的高热促进反应气体中氧气的解离，可以有效提升氧气的解离度以及在待镀基板上分布的均匀度，降低因离子受到磁场的作用而偏向造成待镀基板上薄膜的不同区块含氧比例不均匀的影响，进而提高待镀基板上所沉积的薄膜的厚度与方阻的均匀性
。
[0012]根据本专利技术的一些实施例，所述输气主体呈环形，且位于所述炉膛的正上方
。
[0013]根据本专利技术的一些实施例，所述输气主体至少包括呈环形
、
螺旋形
、
曲线形或网格形的输气部
。
[0014]根据本专利技术的一些实施例，所述排气孔设置于所述输气主体朝向炉膛的一侧，并朝向所述炉膛的中心
。
[0015]根据本专利技术的一些实施例，所述输气主体环绕于等离子束的外围
。
[0016]根据本专利技术的一些实施例，在所述炉膛与所述传送机构的排布方向上，所述输气主体位于所述等离子体发生器与所述炉膛之间
。
[0017]根据本专利技术的一些实施例，所述输气机构可转动和
/
或可移动连接于所述镀膜室
的内壁
。
[0018]根据本专利技术的一些实施例，所述
RPD
镀膜装置还包括补偿板，所述补偿板凸出设置于所述镀膜室至少一侧的内壁，相对的所述补偿板之间或者所述补偿板与相对的所述镀膜室的内壁之间限定出镀膜口，所述待镀基板于所述镀膜口处裸露
。
[0019]根据本专利技术的一些实施例，所述输气机构还包括支撑主体，所述支撑主体可拆卸连接于所述镀膜室的内壁，所述支撑主体与所述输气主体连接
。
[0020]根据本专利技术的一些实施例，所述镀膜室的内壁覆盖有遮板，所述输气机构还包括支撑主体，所述支撑主体安装于所述遮板，所述支撑主体与所述输气主体连接
。
[0021]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到
。
附图说明
[0022]下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明，其中：
[0023]图1为本专利技术
RPD
镀膜装置一个实施例的工作示意图；
[0024]图2为本专利技术
RPD
镀膜装置一个实施例的立体示意图；
[0025]图3为输气机构一个实施例的示意图；
[0026]图4为输气部不同实施例的示意图
。
[0027]附图标记：
[0028]待镀基板
10
，镀膜室
100
，真空腔
110
，遮板
120
，镀膜口
130
，补偿板
140
，炉膛
200
；等离子体发生器
300
；传送机构
400
；输气机构
500
，输气主体
510
，排气孔
511
，反应腔
512
，输气部
513
，支撑主体
520
；靶锭
600。
具体实施方式
[0029]下面详细描述本专利技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件
。
下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制
。
[0030]在本专利技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上
、
下
、
前
、
后
、
左
、
右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位
、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制
。
[0031]在本专利技术的描述中，若干的含义是一个以上，多个的含义是两个以上，大于
、
小于
、
超过等理解为不包括本数，以上
、
以下
、
以内等理解为包括本数
。
如果有描述到第一
、
第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系
。
[0032]本专利技术的描述中，除非另有明确的限定，设置
、
安装
、
连接等词语应做广义理解，所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本专利技术中的具体含义
。
[0033]本专利技术的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、
或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.RPD
镀膜装置，其特征在于，包括：镀膜室，内部具有真空腔；炉膛，部分位于所述真空腔内，用于装载并加热靶锭；等离子体发生器，位于所述镀膜室的侧部，并向所述真空腔内发射等离子束；传送机构，用于装载待镀基板，所述传送机构与所述炉膛相对设置；输气机构，所述输气机构包括输气主体，所述输气主体位于所述炉膛朝向所述传送机构的一侧，所述输气主体具有排气孔，所述排气孔用于朝向所述炉膛排放反应气体，所述输气主体具有沿所述炉膛与所述传送机构的排布方向贯穿的反应腔
。2.
根据权利要求1所述的
RPD
镀膜装置，其特征在于，所述输气主体呈环形，且位于所述炉膛的正上方
。3.
根据权利要求1所述的
RPD
镀膜装置，其特征在于，所述输气主体至少包括呈环形
、
螺旋形
、
曲线形或网格形的输气部
。4.
根据权利要求1所述的
RPD
镀膜装置，其特征在于，所述排气孔设置于所述输气主体朝向炉膛的一侧，并朝向所述炉膛的中心
。5.
根据权利要求1至4中任一项所述的
RPD
镀膜装置，其特征在于，所述输气主体环绕于等离子束的外围
...

【专利技术属性】
技术研发人员：余仲，陈厚模，林静影，苏超颖，蔡泽，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：