一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，涉及半导体光电器件技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，具体为一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片
。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示
、
激光电视
、
激光投影仪
、
通讯
、
医疗
、
武器
、
制导
、
测距
、
光谱分析
、
切割
、
精密焊接
、
高密度光存储等领域
。
激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体
、
气体
、
液体
、
半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小
、
效率高
、
重量轻
、
稳定性好
、
寿命长
、
结构简单紧凑
、
小型化等优点
。
激光器与氮化物半导体发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，包括衬底
(100)、
下限制层
(101)、
下波导层
(102)、
有源层
(103)、
上波导层
(104)、
上限制层
(105)
，其特征在于：所述上限制层与上波导层之间具有拓扑线性色散层
(106)
，所述拓扑线性色散层
(106)
的厚度为5～
5000
埃米，所述拓扑线性色散层
(106)
为
ZrTe5@CdAs,ZrTe5@HgTe,(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3,Ta2NiSe5@WTe2,MoP2@Bi2Mg3的任意一种或任意组合的中空拓扑纳米结构
。2.
根据权利要求1所述的一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，其特征在于：所述有源层
(103)
为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为
3≥m≥1
，阱层为
InGaN、InN、AlInN、GaN
的任意一种或任意组合，厚度为
10
～
85
埃米，垒层为
GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN
的任意一种或任意组合，厚度为
10
～
120
埃米
。3.
根据权利要求1所述的一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，其特征在于：所述拓扑线性色散层
(106)
的任意组合包括以下二元组合的中空拓扑纳米结构：
ZrTe5@CdAs/ZrTe5@HgTe,ZrTe5@CdAs/(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3,ZrTe5@CdAs/Ta2NiSe5@WTe2,ZrTe5@CdAs/MoP2@Bi2Mg3,ZrTe5@HgTe/(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3,ZrTe5@HgTe/Ta2NiSe5@WTe2,ZrTe5@HgTe/MoP2@Bi2Mg3,(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3/Ta2NiSe5@WTe2,(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3/MoP2@Bi2Mg3,Ta2NiSe5@WTe2/MoP2@Bi2Mg3。4.
根据权利要求1所述的一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，其特征在于：所述拓扑线性色散层
(106)
的任意组合包括以下三元组合的中空拓扑纳米结构：
ZrTe5@CdAs/ZrTe5@HgTe/(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3,ZrTe5@CdAs/ZrTe5@HgTe/Ta2NiSe5@WTe2,ZrTe5@CdAs/ZrTe5@HgTe/MoP2@Bi2Mg3,ZrTe5@HgTe/(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3/Ta2NiSe5@WTe2,ZrTe5@HgTe/(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3/MoP2@Bi2Mg3,(C4H9NH3)2PbBr4@Bi2Mg3/Ta2NiSe5@WTe2/MoP2@Bi2Mg3。5.
根据权利要求1所述的一种具有拓扑线性色散层的半导体激光芯片，其特征在于：所述拓扑线性色散层
(106)
的任意组合包括以下四元组合的中空拓扑纳米结构：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈婉君，王星河，胡志勇，季徐芳，蒙磊，陈三喜，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：