一种半导体激光元件制造技术

本发明专利技术提出了一种半导体激光元件，所述半导体激光元件具有横向声速梯度

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光元件


[0001]本申请涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种半导体激光元件
。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示
、
激光电视
、
激光投影仪
、
通讯
、
医疗
、
武器
、
制导
、
测距
、
光谱分析
、
切割
、
精密焊接
、
高密度光存储等领域
。
激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体
、
气体
、
液体
、
半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小
、
效率高
、
重量轻
、
稳定性好
、
寿命长
、
结构简单紧凑
、
小型化等优点
。
[0003]激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别：
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体激光元件，其特征在于，包括从下至上依次设置的衬底
、
下包覆层
、
下波导层
、
有源层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层，所述有源层为阱层和垒层组成的周期结构，所述下波导层
、
有源层阱层
、
有源层垒层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层之间构成横向声速梯度
、
电子渡越速率梯度
、
折射率系数梯度
、
热导率梯度和功函数梯度
。2.
根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层阱层的横向声速为
a
，有源层垒层的横向声速为
b
，所述下波导层的横向声速峰值为
c1
，所述下波导层的横向声速谷值为
c2
，所述上波导层的横向声速峰值为
d1
，所述上波导层的横向声速谷值为
d2
，所述第一上包覆层的横向声速为
f
，所述电子阻挡层的横向声速为
g
，所述第二上包覆层的横向声速为
h
，所述下波导层
、
有源层阱层
、
有源层垒层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层的横向声速形成横向声速梯度：
a≤c2≤d2≤c1≤d1≤b≤f≤h≤g。3.
根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层阱层的电子渡越速率为
j
，有源层垒层的电子渡越速率为
k
，所述下波导层的电子渡越速率峰值为
l1
，所述下波导层的电子渡越速率谷值为
l2
，所述上波导层的电子渡越速率峰值为
m1
，所述上波导层的电子渡越速率谷值为
m2
，所述第一上包覆层的电子渡越速率为
n
，所述电子阻挡层的电子渡越速率为
p
，所述第二上包覆层的电子渡越速率为
q
，所述下波导层
、
有源层阱层
、
有源层垒层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层的电子渡越速率形成电子渡越速率梯度：
j≤l2≤m2≤l1≤m1≤k≤n≤q≤p。4.
根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层阱层的折射率系数为
r
，有源层垒层的折射率系数为
s
，所述下波导层的折射率系数峰值为
t1
，所述下波导层的折射率系数谷值为
t2
，所述上波导层的折射率系数峰值为
u1
，所述上波导层的折射率系数谷值为
u2
，所述第一上包覆层的折射率系数为
v
，所述电子阻挡层的折射率系数为
w
，所述第二上包覆层的折射率系数为
z
，所述下波导层
、
有源层阱层
、
有源层垒层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层的折射率形成折射率梯度：
w≤z≤v≤s≤u2≤t2≤u1≤t1≤r。5.
根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层阱层的热导率为
A
，有源层垒层的热导率为
B
，所述下波导层的热导率峰值为
C1
，所述下波导层的热导率谷值为
C2
，所述上波导层的热导率峰值为
D1
，所述上波导层的热导率谷值为
D2
，所述第一上包覆层的热导率为
F
，所述电子阻挡层的热导率为
G
，所述第二上包覆层的热导率为
H
，所述下波导层
、
有源层阱层
、
有源层垒层
、
上波导层
、
第一上包覆层
、
电子阻挡层和第二上包覆层的热导率形成热导率梯度：
A≤C2≤D2≤C1≤D1≤B≤F≤H≤G。6.
根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，所述有源层阱层...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，陈婉君，胡志勇，蓝家彬，李水清，王星河，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：