检测基板制造技术

检测基板

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】检测基板、检测器以及检测装置


[0001]本公开涉及检测基板
、
检测器以及检测装置
。

技术介绍

[0002]在专利文献1中，公开了利用
SQUID
元件，测量试样的各点上的磁场的装置
。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开
2016
‑
014541
号

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]在专利文献1记载的技术中，在试样和
SQUID
元件之间插入蓝宝石窗，并且，需要在蓝宝石窗和
SQUID
元件之间设置用于绝热的一定距离
。
因此，不能使
SQUID
元件靠近试样
。
因此，难以将接近的磁场分布分离而分别观察
。
如此地，检测精度存在改善的余地
。
[0008]解决课题的手段
[0009]一种实施方式的检测基板，具备：在一边的表面形成
NV
中心的金刚石晶体；以及，位于所述金刚石晶体中的与形成
NV
中心的表面相反的一侧的表面的辐射体
。
[0010]一种实施方式的检测器，具备：检测基板以及电介质基体；所述检测基板具备：形成
NV
中心的金刚石晶体；以及，设置在所述金刚石晶体的辐射体
。
[0011]一种实施方式的检测装置，具备上述的检测器
、
发光元件以及受光元件；所述发光元件向所述
NV
中心照射光；所述受光元件接收所述
NV
中心的荧光
。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开的一种方式的检测基板
、
检测器以及检测装置，能够高精度地检测磁场
。
附图说明
[0014]图1是说明第一实施方式的检测器的检测基板的概略的剖视图
。
[0015]图2是说明第一实施方式的检测器以及检测装置的一例的概略图
。
[0016]图3是说明第一实施方式的检测器以及检测装置的其他例子的概略图
。
[0017]图4是说明电介质基体的其他例子的概略图
。
[0018]图5是说明信号控制部的一例的框图
。
[0019]图6是说明第二实施方式的检测器的检测基板的概略的剖视图
。
[0020]图7是说明第二实施方式的检测器以及检测装置的一例的概略图
。
[0021]图8是说明检测基板的一例的概略图
。
[0022]图9是说明天线导体的一例的俯视图
。
[0023]图
10
是说明天线导体的其他例子的俯视图
。
[0024]图
11
是说明天线导体的其他例子的俯视图
。
[0025]图
12
是说明天线导体的反射特性的一例的图表
。
具体实施方式
[0026]以下，对实施方式的检测器以及检测装置进行说明
。
检测器以及检测装置用于检测在检测对象中产生的磁场
。
图1是说明第一实施方式的检测器的检测基板的概略的剖视图
。
图2是说明第一实施方式的检测器以及检测装置的一例的概略图
。
图3是说明第一实施方式的检测器以及检测装置的其他例子的概略图
。
[0027][
第一实施方式
][0028](
检测对象
)
[0029]检测对象是检测器
10
以及检测装置1进行检测的对象，换言之，是试样
。
检测对象通过电流而产生磁场
。
在图1所示的例子中，检测对象具有：电介质
100、
和配置在电介质
100
的内部的导体
101、
导体
102、
导体
103
以及导体
104。
导体
101、
导体
102
以及导体
103
在电介质
100
的表面
100a
侧隔开间隔而配置
。
导体
101、
导体
102
以及导体
103
的宽度
d21
例如为1μ
m
左右
。
导体
104
配置在电介质
100
的表面
100b
侧
。
在导体
101
中，电流
I1
从图1中的跟前侧向里侧流动
。
电流
I1
在电介质
100
的表面
100a
侧流动
。
电流
I1
产生的磁场
F1
的方向用箭头表示
。
在导体
102
中，电流
I2
从图1中的里侧向跟前侧流动
。
电流
I2
在电介质
100
的表面
100a
侧流动
。
电流
I2
产生的磁场
F2
的方向用箭头表示
。
在导体
103
中，电流
I3
从图1中的跟前侧向里侧流动
。
电流
I3
在电介质
100
的表面
100a
侧流动
。
电流
I3
产生的磁场
F3
的方向用箭头表示
。
在导体
104
中，电流
I4
从图1中的左侧向右侧流动
。
电流
I4
在电介质
100
的表面
100b
侧流动
。
电流
I4
产生的磁场
F4
的方向用箭头表示
。
[0030](
检测器
)
[0031]检测器
10
具备检测基板
11
和电介质基体
13。
[0032]检测基板
11
是所谓的金刚石传感器
。
检测基板
11
包括金刚石晶体
111、NV
中心
112、
未图示的高频线路导体
、
以及作为辐射体的天线导体
113。
[0033]金刚石晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
检测基板，具备：形成
NV
中心的金刚石晶体；以及，设置在所述金刚石晶体的辐射体
。2.
根据权利要求1所述的检测基板，所述
NV
中心配置在所述金刚石晶体的一边的表面；所述辐射体配置在所述金刚石晶体中的与形成所述
NV
中心的面相反的一侧的表面
。3.
根据权利要求2所述的检测基板，所述金刚石晶体的一边的表面配置为靠近检测对象
。4.
根据权利要求1所述的检测基板，所述辐射体具有：第一边，具有第一梳部；第二边，具有第二梳部；第一梳部和第二梳部以啮合的方式配置而形成电容形成部
。5.
检测器，具备：权利要求1至4中任一项所述的检测基板；以及，电介质基体
。6.
根据权利要求5所述的检测器，所述
NV
中心配置在所述金刚石晶体的一边的表面；所述辐射体配置在所述金刚石晶体中的与形成所述
NV
中心的面相反的一侧的表面
。7.
根据权利要求6所述的检测器，所述金刚石晶体的一边的表面配置为靠近检测对象
。8.
根据权利要求5至7中任一项所述的检测器，所述电介质基体经由所述辐射体与所述检测基板电连接
。9.
根据权利要求8所述的检测器，所述电介质基体具备振荡元件，所述振荡元件与所述电介质基体上的配线电连接；所述辐射体经由所述配线与所述振荡元件电连接
。10.
根据权利要求9所述的检测器，所述振荡元件与所述电介质基体接触
。11.
根据权利要求
10
所述的检测器，所述振荡元件位于与形成所述
NV
中心的表面相反的一侧的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：岸田裕司，吉川博道，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：