多晶硅生产用高温水淬篮制造技术

本实用新型专利技术公开了多晶硅生产用高温水淬篮，包括篮体，篮体的内部固定设置有压盖圈，压盖圈上设置有安装面，安装面与篮体的内壁固定相连，压盖圈中设置有用于支撑多晶硅的氮化硅陶瓷，安装面上设置有第一安装孔，第一安装孔的底部设置有第二安装孔，篮体上设置有填料孔，氮化硅陶瓷大端的端面与篮体的内壁之间设置有卡簧，篮体上设置有第一漏水孔，篮体的底部设置有定位放置台

【技术实现步骤摘要】
多晶硅生产用高温水淬篮


[0001]本技术涉及多晶硅生产设备领域，特别涉及多晶硅生产用高温水淬篮
。

技术介绍

[0002]目前国内多晶硅
、
单晶硅行业大多采用简单的人工破碎，人工破碎存在许多弊端，例如产品质量不稳定，易产生非硅，生产效率低，占用面积大，人工成本高
、
防护用品消耗大，随着机械破碎技术的成熟，从而取代人工破碎，机械破碎虽然效率高，占用人工少，但晶体硅未进行应力释放时，采用机械破碎会产生较大的硅粉料占比，通常是传统人工破碎的3倍，造成硅料的损耗，现目前通多晶硅水淬机
(
应力释放炉
)
的应用，可以将硅棒进行应力释放，通过应力释放后硅棒破碎后的小料占比得到明显减小和降低损耗，同时料型更加美观，更易破碎，但是只能对很完整和达到一定长度的硅棒才能通过应力释放炉进行应力释放
。
因此就需要将小块的料和短棒料盛装在托盘里经过应力释放炉进行处理，但多晶硅应力释放的原理是将硅棒加热到
600
‑
700
度左右再放入水中急冷，从而达到应力释放的目的，但多晶硅不能与金属接触，所以传统的金属篮子就不能应用，就需要开发一种非金属材料的篮子用于存放多晶硅，但该篮子需要在高温状态下迅速进入冷水，又不会开裂和损坏及变形
。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服现有技术的不足，开发了一种能进行高温加热，同时还能在高温状态下迅速放入水中不变形
、
不开裂
、
不损坏，能反复循环使用
、
不污染多晶硅
、
而且成本要低的托盘来盛装小块的硅料和短棒料进行水淬应力释放，提供多晶硅生产用高温水淬篮
。
[0004]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0005]多晶硅生产用高温水淬篮，包括篮体
、
压盖圈
、
卡簧
、
定位放置台和氮化硅陶瓷，所述篮体的内部固定设置有多个所述压盖圈，所述压盖圈上设置有安装面，所述安装面与所述篮体的内壁固定相连，所述压盖圈中设置有用于支撑多晶硅的所述氮化硅陶瓷，所述安装面上设置有未贯穿且与所述氮化硅陶瓷大端配合的第一安装孔，所述第一安装孔的底部设置有贯穿且与所述氮化硅陶瓷小端配合的第二安装孔，且所述第一安装孔的截面积大于所述第二安装孔的截面积，所述篮体上设置有贯穿且与所述第一安装孔配合的填料孔，所述填料孔的截面积大于所述第二安装孔的截面积，所述氮化硅陶瓷大端的端面与所述篮体的内壁之间设置有所述卡簧，所述篮体上设置有贯穿的第一漏水孔，所述篮体的底部可拆卸设置有所述定位放置台
。
[0006]进一步地，所述篮体的底部呈方形设置，四个侧面向外倾斜设置
。
[0007]进一步地，所述篮体的底部和侧面上均固定设置有所述压盖圈
。
[0008]进一步地，所述篮体的底部和侧面上均设置有所述第一漏水孔
。
[0009]进一步地，所述篮体的底部设置有两个所述定位放置台，两个所述定位放置台呈对称设置
。
[0010]进一步地，所述定位放置台上设置有第二漏水孔
。
[0011]进一步地，所述卡簧呈
C
型设置，所述卡簧的两端均设置有受力孔
。
[0012]进一步地，所述第一安装孔
、
所述第二安装孔和所述填料孔均为圆形孔且同轴设置
。
[0013]进一步地，所述篮体
、
所述压盖圈
、
所述卡簧和所述定位放置台上均覆盖有碳化钨涂层或者氮化硅涂层
。
[0014]进一步地，所述氮化硅陶瓷为阶梯状氮化硅柱，所述阶梯状氮化硅柱的小端上设置有
R
角
。
[0015]本技术的有益效果是：
[0016]通过本高温水淬篮能实现除了多晶硅长棒料以外的短棒料或短块料通过水淬机
(
应力释放炉
)
进行应力释放，进一步减小了多晶硅生产过程中的损耗，提高了多晶硅的产量和降低能源的消耗
。
由于氮化硅柱采用实心柱状设计，并套设于压盖圈内，有效避免了高温水淬篮里氮化硅陶瓷的开裂损坏现象
。
附图说明
[0017]图1为本高温水淬篮的立体结构图一；
[0018]图2为本高温水淬篮的立体结构图二；
[0019]图3为卡簧的立体结构图；
[0020]图4为氮化硅陶瓷在压盖圈的连接结构图；
[0021]图中，1‑
篮体，2‑
压盖圈，3‑
卡簧，4‑
定位放置台，5‑
氮化硅陶瓷，6‑
第一安装孔，7‑
第二安装孔，8‑
填料孔，9‑
第一漏水孔，
10
‑
第二漏水孔，
11
‑
受力孔
。
具体实施方式
[0022]下面将结合实施例，对本技术的技术方案进行清楚
、
完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围
。
[0023]参阅图1‑
图4，本技术提供一种技术方案：
[0024]多晶硅生产用高温水淬篮，包括篮体
1、
压盖圈
2、
卡簧3和
、
定位放置台4和氮化硅陶瓷5，篮体1的内部固定设置有若干多个压盖圈2，压盖圈2上设置有安装面，安装面与篮体1的内壁固定相连，压盖圈2中设置有用于支撑多晶硅的氮化硅陶瓷5，安装面上设置有未贯穿且与氮化硅陶瓷5大端配合的第一安装孔6，第一安装孔6的底部设置有贯穿且与氮化硅陶瓷5小端配合的第二安装孔7，且第一安装孔6的截面积大于第二安装孔7的截面积，篮体1上设置有贯穿且与第一安装孔6配合的填料孔8，填料孔8的截面积大于第二安装孔7的截面积，氮化硅陶瓷5大端的端面与篮体1的内壁之间设置有卡簧3，篮体1上设置有贯穿的第一漏水孔9，篮体1的底部可拆卸设置有定位放置台
4。
第一安装孔
6、
第二安装孔7和填料孔8均为圆形孔且同轴设置
。
篮体1的底部和侧面上均设置有第一漏水孔
9。
氮化硅陶瓷5为阶梯状氮化硅柱，阶梯状氮化硅柱的小端上设置有
R
角
。
其中，定位放置台4属于壳体零件，其功能是承载篮体1进行加热，加热到
700
度左右，篮体
1、
压盖圈
2、
卡簧3和定位放置台4都不会变
形
。
装料过程是将氮化硅陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
多晶硅生产用高温水淬篮，其特征在于：包括篮体
(1)、
压盖圈
(2)、
卡簧
(3)、
定位放置台
(4)
和氮化硅陶瓷
(5)
，所述篮体
(1)
的内部固定设置有多个所述压盖圈
(2)
，所述压盖圈
(2)
上设置有安装面，所述安装面与所述篮体
(1)
的内壁固定相连，所述压盖圈
(2)
中设置有用于支撑多晶硅的所述氮化硅陶瓷
(5)
，所述安装面上设置有未贯穿且与所述氮化硅陶瓷
(5)
大端配合的第一安装孔
(6)
，所述第一安装孔
(6)
的底部设置有贯穿且与所述氮化硅陶瓷
(5)
小端配合的第二安装孔
(7)
，且所述第一安装孔
(6)
的截面积大于所述第二安装孔
(7)
的截面积，所述篮体
(1)
上设置有贯穿且与所述第一安装孔
(6)
配合的填料孔
(8)
，所述填料孔
(8)
的截面积大于所述第二安装孔
(7)
的截面积，所述氮化硅陶瓷
(5)
大端的端面与所述篮体
(1)
的内壁之间设置有所述卡簧
(3)
，所述篮体
(1)
上设置有贯穿的第一漏水孔
(9)
，所述篮体
(1)
的底部可拆卸设置有所述定位放置台
(4)。2.
根据权利要求1所述的多晶硅生产用高温水淬篮，其特征在于：所述篮体
(1)
的底部呈方形设置，四个侧面向外倾斜设置
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴利德，
申请(专利权)人：吴利德，
类型：新型
国别省市：