本实用新型专利技术公开了一种多晶硅二级振动破碎机,属于破碎机技术领域,以解决现有的一次性破碎到位就容易出现卡料现象,而卡料易导致多晶硅被过度的破碎和磨损鄂板的问题,包括机架,机架的内部由上到下设置有依次对多晶硅进行粉碎处理的上动鄂总成和下动鄂总成,上动鄂总成和下动鄂总成的底端均设置有对破碎后的多晶硅进行导流的导料架,机架的顶端安装有用作于除尘的除尘总成,通过双层且对称设置的破碎部件一和破碎部件二对物料进行粉碎作业,使得物料能够逐级的被进行破碎,从而使得破碎完成后的物料能够快速的从导料架的位置处排出,从而不易出现堵料的情况,从而避免出现因堵料导致多晶硅被过度的破碎和磨损鄂板的情况。导致多晶硅被过度的破碎和磨损鄂板的情况。导致多晶硅被过度的破碎和磨损鄂板的情况。
【技术实现步骤摘要】
一种多晶硅二级振动破碎机
[0001]一种多晶硅二级振动破碎机,本技术属于破碎机
,具体涉及多晶硅破碎机
技术介绍
[0002]多晶硅是单质硅的一种形态,熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,晶粒结合即形成多晶硅。
[0003]这些单晶硅或者多晶硅在使用时需要进行粉碎作业,振动破碎机就是较为常见的一种,其是通过破碎机两颚板之间的高频振动力作用在多晶硅/单晶硅的棒料或大块料上,使多晶硅/单晶硅自身产生破碎,现目前所有的多晶硅/单晶硅破碎机采用的一整块颚板对多晶硅/单晶硅采用一次性破碎,多晶硅/单晶硅采用一次性破碎到位就容易出现卡料现象,而且一次破碎到位,由于颚板的出料口间距就为最后的硅料出料外形尺寸,处于颚口下方的硅料未达到出料口尺寸时,就会对整个颚板内的硅料产生堵塞,上方的硅料在破碎机的振动作用下本来已经达到了合格的出料尺寸,但由于下方颚口的堵塞,就不能很快速的顺利排出,反而又在振动力的作用下继续破碎就形成了更多的粉料和小料,粉料和小料在多晶硅/单晶硅的后续工序就没有价值了,也就是废品,而且多晶硅/单晶硅在颚板的振动作用下不能快速排出就会和颚板产生磨擦,使颚板的非硅材质更易影响多晶硅/单晶硅的纯度,而且多晶硅/单晶硅自身的摩擦也会产生黑料影响多晶硅/单晶硅的质量。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于:提供一种多晶硅二级振动破碎机,以解决上述现有的一次性破碎到位就容易出现卡料现象,而卡料易导致多晶硅被过度的破碎和磨损颚板的问题。
[0005]本技术采用的技术方案如下:
[0006]一种多晶硅二级振动破碎机,包括机架,所述机架的内部由上到下设置有依次对多晶硅进行粉碎处理的上动颚总成和下动颚总成,所述上动颚总成和下动颚总成的底端均设置有对破碎后的多晶硅进行导流的导料架,所述机架的顶端安装有用作于除尘的除尘总成,在所述机架的底端安装有用作于整体减震的主减震器。
[0007]进一步的,所述除尘总成包括安装在机架顶端的顶壳,所述顶壳的顶端设置有抽气孔,所述机架的两侧安装有侧挡板,所述侧挡板上开设有供进气的开口。
[0008]进一步的,所述上动颚总成和下动颚总成均包括在机架的内部呈对称分布的破碎部件一和破碎部件二,所述破碎部件一和破碎部件二均包括动颚架。
[0009]更进一步的,所述动颚架的顶端内部安装有轴套的内部套接有主轴,所述轴套与主轴之间安装有轴承一,所述主轴的两端通过主轴压紧箍固定在机架的表面。
[0010]更进一步的,所述动颚架的底端内部通过压紧法兰固定有连接轴,所述连接轴的两端均贯穿且延伸至机架的外部,且机架的外部对应连接轴的位置处安装有阻尼器,所述
阻尼器的顶端安装有固定座,所述连接轴通过压紧座固定在固定座上。
[0011]更进一步的,所述动颚架的前侧通过螺栓固定安装有动颚板,所述动颚架
[0012]的后侧安装有激振电机,所述激振电机上方的动颚架上安装有浮动支承架,所述侧挡板内部的机架侧面安装有支板,所述支板的表面通过副减震器与浮动支承架的底端连接。
[0013]综上所述,由于采用了上述技术方案,本技术的有益效果是:
[0014]1、通过双层且对称设置的破碎部件一和破碎部件二对物料进行粉碎作业,使得物料能够逐级的被进行破碎,从而使得破碎完成后的物料能够快速的从导料架的位置处排出,从而不易出现堵料的情况,从而避免出现因堵料导致多晶硅被过度的破碎和磨损颚板的情况。
[0015]2、采用二级破碎,上动颚总成底端的导料架开口很大,下动颚总成底端的导料架为想得到的最终硅料尺寸的间距。由于上方开口大,颚板长度设置较短,这样就使上方硅料在破碎后产生的合格料(小于下方出口)能快速掉入下动颚总成并通过下级导料架排出,达到上级出料口尺寸的硅料也会快速掉入下级进行破碎,而不会继续在上方和颚板之间产生摩擦以及硅料与硅料之间的摩擦,这样就更佳的减小硅料的表金涉入,提高了多晶硅/单晶硅的质量,而且多晶硅/单晶硅在颚板间停留的时间变短,也就大大提高破碎的产能。
附图说明
[0016]图1为本技术的立体结构示意图;
[0017]图2为本技术的立体结构内部示意图;
[0018]图3为本技术的内部侧面结构示意图;
[0019]图4为本技术的剖面结构示意图;
[0020]图5为本技术的动颚总成结构示意图;
[0021]1‑
机架;2
‑
上动颚总成;3
‑
下动颚总成;4
‑
主减震器;5
‑
侧挡板;6
‑
除尘总成;7
‑
导料架;8
‑
破碎部件一;9
‑
破碎部件二;10
‑
轴套;11
‑
轴承一;12
‑
主轴;13
‑
动颚架;14
‑
连接轴;15
‑
激振电机;16
‑
动颚板;17
‑
压紧法兰;18
‑
阻尼器;19
‑
固定座;20
‑
压紧座;21
‑
主轴压紧箍;22
‑
浮动支承架;23
‑
副减震器;24
‑
支板;25
‑
顶壳;26
‑
抽气孔。
具体实施方式
[0022]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0023]实施例1
[0024]如图1至图5中所示,一种多晶硅二级振动破碎机,包括机架1,机架1的内部由上到下设置有依次对多晶硅进行粉碎处理的上动颚总成2和下动颚总成3,上动颚总成2和下动颚总成3的底端均设置有对破碎后的多晶硅进行导流的导料架7,机架1的顶端安装有用作于除尘的除尘总成6,在机架1的底端安装有用作于整体减震的主减震器4。
[0025]本申请的技术方案中,需要破碎的单晶硅或多晶硅从机架1的顶端加入到上动颚总成2的内部,通过上动颚总成2的破碎后经过中间的导料架7流入到下动颚总成3的内部,
然后经过下动颚总成3的破碎后物料最终从底端的导料架7排出,由此进行破碎作业,而通过除尘总成6对破碎过程中产生的粉尘进行收集处理作业处,从而避免粉尘的逸散,而主减震器4的设置也能够对机架1产生的震动进行减震作业。
[0026]实施例2
[0027]如图2至图5中所示,在实施例1的基础上,除尘总成6包括安装在机架1顶端的顶壳25,顶壳25的顶端设置有抽气孔26,机架1的两侧安装有侧挡板5,侧挡板5上开设有供进气的开口,把外界的抽气设备与抽气孔26本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多晶硅二级振动破碎机,包括机架(1),其特征在于:所述机架(1)的内部由上到下设置有依次对多晶硅进行粉碎处理的上动颚总成(2)和下动颚总成(3),所述上动颚总成(2)和下动颚总成(3)的底端均设置有对破碎后的多晶硅进行导流的导料架(7),所述机架(1)的顶端安装有用作于除尘的除尘总成(6),在所述机架(1)的底端安装有用作于整体减震的主减震器(4)。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅二级振动破碎机,其特征在于:所述除尘总成(6)包括安装在机架(1)顶端的顶壳(25),所述顶壳(25)的顶端设置有抽气孔(26),所述机架(1)的两侧安装有侧挡板(5),所述侧挡板(5)上开设有供进气的开口。3.根据权利要求2所述的一种多晶硅二级振动破碎机,其特征在于:所述上动颚总成(2)和下动颚总成(3)均包括在机架(1)的内部呈对称分布的破碎部件一(8)和破碎部件二(9),所述破碎部件一(8)和破碎部件二(9)均包括动颚架(13)。4.根据权利要求3所述的一种多晶硅二级振动破碎机,其特征在于:所述动颚架(13)的...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴利德,
申请(专利权)人:吴利德,
类型:新型
国别省市:
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