一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容制造技术

本发明专利技术属于射频芯片技术领域，具体涉及一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，包括

【技术实现步骤摘要】
一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容


[0001]本专利技术属于射频芯片
，具体涉及一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容
。

技术介绍

[0002]现有的可变电容电路，大都采用芯片代工厂提供的标准可变电容器件，比如：用二极管的结电容做成的可变电容
。AMOS
可变电容也就是
NMOS
管做在
NWELL
中的可变电容，这个是特殊
MOS
器件，也是目前芯片比较通用的可变电容器件
。AMOS
器件截面图，如图2所示
。
其电容增益曲线如图8所示
。
[0003]现有技术不管是用二极管结电容，还是用
AMOS
可变电容，电容的线性度都不好，电压调节范围窄，如图8所示的可变电容增益曲线，在压控振荡器用到的控制电压
0.4~1V
区间，增益曲线体现很大的非线性，变化范围达到一倍左右
。
另外其没法避免噪声或干扰调制可变电容，恶化压控振荡电路的相位噪声
>。
专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，其特征在于，包括
PMOS
管
、NMOS
管
、
电感
L1
以及可变电容阵列
Var
，其中，
PMOS
管，其
P1
管和
P2
管的源极接电源
VS
，所述
P1
管的栅极接所述
P2
管的漏极接连接线
RF_P
，所述
P2
管的栅极接
P1
管的漏极接连接线
RF_N
；
NMOS
管，其
N1
管和
N2
管的源极接地，所述
N1
管的栅极接
N2
管的漏极接连接线
RF_N
，所述
N2
管的栅极接
N1
管的漏极接连接线
RF_P
；电感
L1
，其两端跨接在
RF_N
和
RF_P
之间；可变电容阵列
Var
，其跨接在
RF_N
和
RF_P
之间，其电源接
VS
，地接
GND
，可变电容阵列
Var
的
VTN
和
VTP
为差分控制电压；所述可变电容阵列
Var
包括
nvar
可变电容阵列
、pvar
可变电容阵列
、nvar
可变电容单元以及
pvar
可变电容单元
。2.
根据权利要求1所述的一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，其特征在于，所述
VTN
和
VTP
的电压关系为
VTP=VS
‑
VTN。3.
根据权利要求1所述的一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，其特征在于，所述
pvar
可变电容阵列包括：电阻串一，所述电阻串一包括串联的电阻
Rp0
，
Rp1
，
Rp2
～
Rp20
，
Rp21
，
Rp22
；镜像管
PN_0
和镜像管
PN_1
，所述镜像管
PN_0
和镜像管
PN_1
的电流流过所述电阻串一产生偏置电压一，所述偏置电压一包括
Bp<0>
，
Bp<1>
，
Bp<2>
～
Bp<21>
，
Bp<22>
，
Bp<23>
；其中，所述偏置电压一连接所述
pvar
可变电容阵列的偏置电阻阵列的
BIAS
端口
。4.
根据权利要求3所述的一种用于压控振荡器的差分互补型可变电容，其特征在于，所述
nvar
可变电容阵列包括：电阻串二，所述电阻串二包括串联的电阻
Rn0
，
Rn1
，
Rpn2
～
Rn20
，
Rn21
，
Rn22
；镜像管
PN_2
，所述镜像管
PN_2
的电流流过所述电阻串二产生偏置电压二，所述偏置电压二包括
Bn<0>
，
Bn<1>
，
Bn<2>
～
Bn<21>
，
Bn<22>
，
Bn<23>
；其中，所述偏置电压二连接所述
nvar
可变电容阵列的偏置电阻阵列的
...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓建元，李虹，阮庆瑜，
申请(专利权)人：无锡泽太微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：