一种双模式的单核振荡器制造技术

本发明专利技术公开了一种双模式的单核振荡器，包括第一

【技术实现步骤摘要】
一种双模式的单核振荡器


[0001]本专利技术涉及振荡器，特别是涉及一种双模式的单核振荡器
。

技术介绍

[0002]传统的差分振荡器如图1所示，该结构可以实现单个频带的差分信号，通过改变两个
MOS
管漏极之间的变容管对的容值，可以实现频率的连续调节
。
但是工作在共模模式时，变容管对两端相位相同，变容管被短路，此时变容管容值不会对共模频率产生影响，因此无法实现共模模式的频率调谐，因此并不适用于多模式的工作；
[0003]现有的多模振荡器一般用双核振荡器之间的耦合实现差模和共模的切换
。
而现有的多模振荡器因为需要多个振荡器核心，不仅增加了振荡器的功耗，提高了设计的复杂度，还同时增加了振荡器的面积
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种双模式的单核振荡器，通过开关切换，仅在一个振荡器核心实现差模和共模的切换，并能够实现差模和共模状态下频率的调谐
。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种双模式的单核振荡器，包括第一
MOS
管
M1、
第二
MOS
管
M2、
第三
MOS
管
M3、
第一电容
C1、
第二电容
C2、
第一电感
L1
～第五电感
L5
，第一电容
C1
以及第一变容管
Var1
～第四变容管
Var4
；
[0006]所述第一
MOS
管
M1
的漏极与第二电感
L2
的第一端连接，所述第二
MOS
管
M2
的漏极与第三电感
L3
的第一端连接，所述第二电感
L2
的第二端与第三电感
L3
的第二端相连，所述第一电感
L1
的第一端连接到第二电感
L2
与第三电感
L3
之间，第一电感
L1
的第二端连接供电电源；所述第一
MOS
管
M1
的源极和第二
MOS
管
M2
的源极相连且连接的公共点接地；所述第一
MOS
管
M1
的栅极依次通过第一电容
C1
和第二电容
C2
连接到第二
MOS
管
M2
的栅极；
[0007]第四电感
L4
的第一端连接到第一
MOS
管
M1
的栅极，第四电感
L4
的第二端连接到第二
MOS
管
M2
的漏极；第五电感
L5
的第一端连接到第二
MOS
管
M2
的栅极，第五电感
L5
的第二端连接到第一
MOS
管
M1
的漏极；
[0008]第一变容管
Var1
的第一端与第二变容管
Var2
的第一端连接，第一变容管
Var1
的第二端连接到第一
MOS
管
M1
的漏极，第二变容管
Var2
的第二端连接到第二
MOS
管
M2
的栅极；所述第三变容管
Var3
的第一端与第四变容管
Var4
的第一端连接，第三变容管
Var3
的第二端与第二
MOS
管
M2
的漏极连接，第四变容管
Var4
的第二端与第一
MOS
管
M1
的栅极连接；所述第一变容管
Var1
与第二变容管
Var2
之间连接有第一偏置电压输入端口，所述第三变容管
Var3
与第四变容管
Var4
之间连接有第二偏置电压输入端口；
[0009]所述第三
MOS
管
M3
的源极连接到第二电感
L2
的第一端，所述第三
MOS
管
M3
的漏极连接到第三电感
L3
的第一端，所述第三
MOS
管
M3
的栅极连接有第三偏置电压输入端口
。
[0010]进一步地，所述第一
MOS
管
M1
和第二
MOS
管
M2
均为
PMOS
管，所述第三
MOS
管
M3
为
NMOS
管；所述第一偏置电压输入端口和第二偏置电压输入端口输入的偏置电压相同
。
[0011]本专利技术的有益效果是：本专利技术通过第三
MOS
管作为开关进行切换，仅在一个振荡器核心就能够实现差模和共模的切换，并能够实现差模和共模状态下频率的调谐
。
附图说明
[0012]图1为传统差分振荡器的原理示意图；
[0013]图2为本专利技术的原理示意图；
[0014]图3为第三
MOS
管
M3
断开时的等效电路图；
[0015]图4为第三
MOS
管
M3
闭合时的等效电路图；
[0016]图5为双核心的振荡器电路图
。
具体实施方式
[0017]下面结合附图进一步详细描述本专利技术的技术方案，但本专利技术的保护范围不局限于以下所述
。
[0018]如图2所示，一种双模式的单核振荡器，包括第一
MOS
管
M1、
第二
MOS
管
M2、
第三
MOS
管
M3、
第一电容
C1、
第二电容
C2、
第一电感
L1
～第五电感
L5
，第一电容
C1
以及第一变容管
Var1
～第四变容管
Var4
；
[0019]所述第一
MOS
管
M1
的漏极与第二电感
L2
的第一端连接，所述第二
MOS
管
M2
的漏极与第三电感
L3
的第一端连接，所述第二电感
L2
的第二端与第三电感
L3
的第二端相连，所述第一电感
L1
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种双模式的单核振荡器，其特征在于：包括第一
MOS
管
M1、
第二
MOS
管
M2、
第三
MOS
管
M3、
第一电容
C1、
第二电容
C2、
第一电感
L1~
第五电感
L5
，第一电容
C1
以及第一变容管
Var1~
第四变容管
Var4
；所述第一
MOS
管
M1
的漏极与第二电感
L2
的第一端连接，所述第二
MOS
管
M2
的漏极与第三电感
L3
的第一端连接，所述第二电感
L2
的第二端与第三电感
L3
的第二端相连，所述第一电感
L1
的第一端连接到第二电感
L2
与第三电感
L3
之间，第一电感
L1
的第二端连接供电电源；所述第一
MOS
管
M1
的源极和第二
MOS
管
M2
的源极相连且连接的公共点接地；所述第一
MOS
管
M1
的栅极依次通过第一电容
C1
和第二电容
C2
连接到第二
MOS
管
M2
的栅极；第四电感
L4
的第一端连接到第一
MOS
管
M1
的栅极，第四电感
L4
的第二端连接到第二
MOS
管
M2
的漏极；第五电感
L5
的第一端连接到第二
MOS
管
M2
的栅极，第五电感
L5
的第二端连接到第一
MOS
管
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴亮，康泽辉，于陈，
申请(专利权)人：香港中文大学深圳，
类型：发明
国别省市：