用于电流隔离的电容耦合堆叠D类振荡器制造技术

本公开涉及用于电流隔离的电容耦合堆叠D类振荡器。振荡器电路包括在电源电压节点和参考电压节点之间堆叠在一起的总共N(N≥2)个D类振荡器电路。所公开的振荡器电路中的相邻D类振荡器电路的输出端口通过电容器耦合在一起，以确保D类振荡器电路生成的频率信号的频率和相位同步。与由单个D类振荡器电路形成的参考振荡器电路相比，所公开的振荡器电路中的每个D类振荡器电路的振荡幅度是参考振荡器电路的振荡幅度的1/N，并且所公开的振荡器电路的电流消耗是参考振荡器电路的电流消耗的1/N。N。N。

【技术实现步骤摘要】
用于电流隔离的电容耦合堆叠D类振荡器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请是于2022年4月28日提交的题为“Capacitively
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Coupled Stacked Class
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D Oscillators for Galvanic Isolation”的美国专利申请No.17/732，026的继续申请，该申请在此引入作为参考。


[0003]本公开大体上涉及电子电路，且在特定实施例中，涉及适用于半导体封装中的电流隔离的振荡器电路。

技术介绍

[0004]电流隔离技术通常用于电气系统中以改善各种应用(例如，工业传感器，医疗器件，用于电动机控制的栅极驱动器等)的安全性和可靠性。通常，电流隔离系统包括两个电流隔离的功率域，因为例如一个功率域受到危险电压，或者功率域具有不同的接地参考。电流隔离通常用于隔离不同的功率域以防止电流在隔离的功率域之间流动。能量或信息仍然可以通过其它手段在隔离的功率域之间交换，例如电容，电感或光学手段。
[0005]电流隔离的重要性能参数是最大浪涌隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种器件，包括：第一振荡器电路，包括：第一晶体管和第二晶体管，其中所述第一晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的栅极端子耦合到第一节点，其中所述第一晶体管的第一负载路径端子和所述第二晶体管的第一负载路径端子耦合到参考电压节点；以及第一LC储能电路，包括：第一电容器，耦合在所述第一晶体管的第二负载路径端子与所述第二晶体管的第二负载路径端子之间；以及第一线圈，与所述第一电容器并联耦合；第二振荡器电路，包括：第三晶体管和第四晶体管，其中所述第三晶体管的栅极端子和所述第四晶体管的栅极端子耦合到第二节点，其中所述第三晶体管的第一负载路径端子和所述第四晶体管的第一负载路径端子耦合到所述第一线圈的中心抽头；以及第二LC储能电路，包括：第二电容器，耦合在所述第三晶体管的第二负载路径端子与所述第四晶体管的第二负载路径端子之间；以及第二线圈，与所述第二电容器并联耦合；第三电容器，耦合在所述第一晶体管的所述第二负载路径端子与所述第三晶体管的所述第二负载路径端子之间；以及第四电容器，耦合在所述第二晶体管的所述第二负载路径端子与所述第四晶体管的所述第二负载路径端子之间。2.根据权利要求1所述的器件，还包括：第一可控开关，耦合在所述第一晶体管的所述栅极端子与所述参考电压节点之间；以及第二可控开关，耦合在所述第二晶体管的所述栅极端子与所述参考电压节点之间。3.根据权利要求2所述的器件，其中所述第一节点被配置为接收用于所述第一晶体管和所述第二晶体管的第一偏置电压，其中所述第一偏置电压具有第一固定值。4.根据权利要求3所述的器件，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为通过断开所述第一可控开关和所述第二可控开关而接通，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被配置为通过闭合所述第一可控开关和所述第二可控开关而被关断。5.根据权利要求4所述的器件，还包括：第三可控开关，耦合在所述第三晶体管的所述栅极端子与所述第一线圈的所述中心抽头之间；以及第四可控开关，耦合在所述第四晶体管的所述栅极端子与所述第一线圈的所述中心抽头之间。6.根据权利要求5所述的器件，其中所述第二节点被配置为接收用于所述第三晶体管和所述第四晶体管的第二偏置电压，其中所述第二偏置电压具有高于所述第一固定值的第二固定值。7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管被配置为通过
断开所述第三可控开关和所述第四可控开关而被接通，其中所述第三晶体管和所述第四晶体管被配置为通过闭合所述第三可控开关和所述第四可控开关而被关断。8.根据权利要求7所述的器件，其中所述第一可控开关、所述第二可控开关、所述第三可控开关和所述第四可控开关被配置为同时被接通和关断。9.根据权利要求1所述的器件，其中所述第二线圈的中心抽头耦合到电源电压节点。10.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一振荡器电路还包括：第一电阻器，耦合在所述第一节点与所述第一晶体管的所述栅极端子之间；第二电阻器，耦合在所述第一节点与所述第二晶体管的所述栅极端子之间；第五电容器，耦合在所述第一晶体管的所述栅极端子与所述第二晶体管的所述第二负载路径端子之间；以及第六电容器，耦合在所述第二晶体管的所述栅极端子与所述第一晶体管的所述第二负载路径端子之间。11.根据权利要求10所述的器件，其中所述第二振荡器电路还包括：第三电阻器，耦合在所述第二节点与所述第三晶体管的所述栅极端子之间；第四电阻器，耦合在所述第二节点与所述第四晶体管的所述栅极端子之间；第七电容器，耦合在所述第三晶体管的所述栅极端子与所述第四晶体管的所述第二负载路径端子之间；以及第八电容器，耦合在所述第四晶体管的所述栅极端子与所述第三晶体管的所述第二负载路径端子之间。12.一种器件，包括：第一振荡器电路；第二振荡器电路，与所述第一振荡器电路级联，其中所述第一振荡器电路和所述第二振荡器电路被配置为耦合在电源电压和电接地之间，其中所述第一振荡器电路和所述第二振荡器电路中的每个振荡器电路是D类振荡器电路，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：