三维铁电随机存储器器件制造技术

一种三维铁电随机存储器(3D FeRAM)器件包括：电容器结构，包括在基板上的第一电容器电极、围绕第一电容器电极的侧壁的铁电图案以及围绕并接触铁电图案的外侧壁的多个第二电容器电极，第一电容器电极在基本上垂直于基板的上表面的垂直方向上延伸，所述多个第二电容器电极在垂直方向上彼此间隔开；存取晶体管，包括在第一电容器电极上的沟道层、围绕沟道层的外侧壁的栅极绝缘层以及围绕栅极绝缘层的外侧壁的栅电极；在沟道层上的导电焊盘；在导电焊盘上的接触插塞；以及在接触插塞上的位线。线。线。

【技术实现步骤摘要】
三维铁电随机存储器器件


[0001]本专利技术构思的一些示例实施方式涉及三维铁电随机存储器器件。

技术介绍

[0002]铁电随机存取存储器(FeRAM)器件或铁电场效应晶体管(FeFET)可以用作存储器件，其比DRAM器件简单并且像闪存器件一样是非易失性存储器器件。最近，为了具有高集成度，已经开发三维(3D)FeRAM器件，然而，需要制造3D FeRAM器件的改进的方法。

技术实现思路

[0003]本专利技术构思的一些示例实施方式提供一种具有提高的电特性的3D铁电随机存储器器件。
[0004]根据本专利技术构思的一些示例实施方式，提供一种3D FeRAM器件。3DFeRAM器件可以包括：电容器结构，包括在基板上的第一电容器电极、围绕第一电容器电极的侧壁的铁电图案以及围绕并接触铁电图案的外侧壁的多个第二电容器电极，第一电容器电极在基本上垂直于基板的上表面的垂直方向上延伸，所述多个第二电容器电极在垂直方向上彼此间隔开；存取晶体管，包括在第一电容器电极上的沟道层、围绕沟道层的外侧壁的栅极绝缘层以及围绕栅极绝缘层的外侧壁的栅电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维铁电随机存储器器件，包括：电容器结构，包括在基板上的第一电容器电极，所述第一电容器电极在垂直于所述基板的上表面的垂直方向上延伸，铁电图案，围绕所述第一电容器电极的侧壁，以及多个第二电容器电极，围绕并接触所述铁电图案的外侧壁，所述多个第二电容器电极在所述垂直方向上彼此间隔开；存取晶体管，包括沟道层，在所述第一电容器电极上，栅极绝缘层，围绕所述沟道层的外侧壁，以及栅电极，围绕所述栅极绝缘层的外侧壁；导电焊盘，在所述沟道层上；接触插塞，在所述导电焊盘上；以及位线，在所述接触插塞上。2.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述栅极绝缘层围绕所述导电焊盘的侧壁。3.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述导电焊盘包括掺有杂质的多晶硅。4.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，还包括填充层，其中所述沟道层具有杯形，以及其中所述填充层的下表面和侧壁被所述沟道层覆盖。5.根据权利要求4所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述填充层的上表面高于所述沟道层的最上表面。6.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述沟道层的上表面低于所述栅电极的上表面。7.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，还包括填充层，其中所述第一电容器电极具有杯形，以及其中所述填充层的下表面和侧壁被所述第一电容器电极覆盖。8.根据权利要求1所述的三维铁电随机存储器器件，其中每个所述第二电容器电极在第二方向上延伸，多个所述第二电容器电极在第一方向上在相同的高度彼此间隔开，所述第一方向和所述第二方向平行于所述基板的所述上表面并彼此交叉，以及其中所述第一电容器电极是在所述第二方向上彼此间隔开的多个第一电容器电极中的一个。9.根据权利要求8所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述位线在所述第一方向上延伸，并且所述位线是在所述第二方向上彼此间隔开的多条位线中的一条，其中所述导电焊盘是多个导电焊盘中的一个，以及其中所述多条位线中的每条位线在第一方向上分别电连接到所述多个导电焊盘中的在所述多个第一电容器电极中的相应第一电容器电极上的相应导电焊盘。10.根据权利要求8所述的三维铁电随机存储器器件，其中所述栅电极在所述第二方向
上延伸，并且所述栅电极是在所述第一方向上彼此间隔开的多个栅电极中的一个。11.一种三维铁电随机存储器器件，包括：电容器结构，包括在基板上的多个第一电容器电极，所述多个第一电容器电极在垂直于所述基板的上表面的垂直方向上彼此间隔开，铁电图案，覆盖每个所述第一电容器电极的上表面、下表面和侧壁，以及第二电容器电极，在所述垂直方向上延伸穿过...

【专利技术属性】
技术研发人员：李奉镕，金容锡，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：