【技术实现步骤摘要】
一种含钴废水处理系统及方法
[0001]本公开涉及废水回收
,尤其涉及一种含钴废水处理系统及方法
。
技术介绍
[0002]半导体产业是我国社会经济发展的先导产业,也是高新技术发展的核心
。
半导体市场的快速发展,各种需求和机遇也凸显出来
。
半导体生产不仅给中国带来了巨大的经济利益,也产生了新的环境污染问题
。
在半导体生产过程中,芯片生产工艺十分复杂,生产步骤较为繁琐,需要用到多种化学药剂,因此在芯片的清洗过程中会不可避免地产生含各种污染物的废水,如含氟废水
、
研磨废水
、
含铜废水
、
含钴废水
、
含磷废水等
。
其中,含钴废水是半导体
14nm
先进制成当中产生的一种废水,由于在芯片制造过程中清洗环节较为频繁,从而使得产生的含钴废水的水量较大
。
含钴废水直接排放将会造成严重的环境污染问题,当前半导体企业为了避免废水外排引起环境污染,一般都会对生产废水进行处理,然后再进行回用,或是直接排放
。
但由于处理含钴废水的过程过于繁琐,委托处理又会消耗大量资金,带来了一定的经济压力
。
[0003]经查公开
(
公告
)
号:
CN114560591A
,公开了一种含钴废水的清洁处理工艺,此工艺为了解决含钴废水回收时效耗能高,经济效益低下的问题,公开了通过过滤除杂 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种含钴废水处理系统,其特征在于,包括以下内容:动力部
、
反应部
、
检测部
、
中心部;所述反应部连接于所述检测部,所述动力部穿设于所述反应部中;所述反应部包括第一级反应部
、
第二级反应部和第三级反应部,所述第一级反应部
、
所述第二级反应部和所述第三级反应部顺次连接,所述第三级反应部还连接于所述第一级反应部;所述检测部连接于所述第一级反应部
、
所述第二级反应部和所述第三级反应部;所述中心部分别电连接于所述动力部
、
所述反应部和所述检测部
。2.
根据权利要求1所述的含钴废水处理系统,其特征在于,所述第一级反应部连接于所述动力部,所述第一级反应部包括均和池
、
调节池
a、
反应池
、
混凝池
、
絮凝池和沉淀池,所述调节池
、
所述反应池
、
所述混凝池和所述絮凝池中添加的材料均不一致;设置所述第一级反应部的位置高于第二级反应部,所述第二级反应部包括澄清池
、
过滤组
、
调节池
b、
树脂塔和调节池
c
,所述调节池
b
和所述调节池
c
中添加的材料一致,所述第二级反应部也连接于所述动力部;所述第三级反应部包括产水池和所述污泥浓缩池,所述产水池包括应急池和中和排放池,所述污泥浓缩池包括压滤机,所述污泥浓缩池连接于所述沉淀池,所述产水池与所述污泥浓缩池互不连接;所述调节池
a
调节的
PH
值范围为
10
‑
11
,所述调节池
b
调节的
PH
值范围为3‑6,所述调节池
c
调节的
PH
值范围为6‑
9。3.
根据权利要求2所述的含钴废水处理系统,其特征在于,所述动力部包括若干动力设备,若干所述动力设备分别设置于所述第一级反应部
、
所述第二级反应部和所述第三级反应部中
。4.
根据权利要求3所述的含钴废水处理系统,其特征在于,若干所述检测部分别连接于所述第一级反应部
、
所述第二级反应部和所述第三级反应部,若干所述检测部另一端连接于所述中心部
。5.
根据权利要求4所述的含钴废水处理系统,其特征在于,所述检测部连接于所述第一级反应部的所述均和池和所述沉淀池
、
所述第二级反应部的所述澄清池和所述调节池
c
以及第三级反应部的所述产水池,实时将检测数据发送至所述中心部,所述中心部进行判断处理,并根据检测结果对各部分执行发送不同的命令
。6.
根据权利要求5所述的含钴废水处理系统,其特征在于,所述中心部根据检测数据设置净化处理所需要的添加试剂的具体值,并...
【专利技术属性】
技术研发人员:杜永勋,鲁旭萍,罗志刚,魏渤惠,
申请(专利权)人:高频北京科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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