曝光用防护膜制造技术

本发明专利技术提供曝光用防护膜

【技术实现步骤摘要】
曝光用防护膜、防护膜组件、曝光原版、曝光装置及曝光用防护膜的制造方法
[0001]本专利技术是申请号为
2021800278759、
申请日为
2021
年4月2日
、
专利技术名称为“曝光用防护膜
、
防护膜组件
、
曝光原版
、
曝光装置及曝光用防护膜的制造方法”的专利技术申请的分案申请
。


[0002]本公开涉及曝光用防护膜
、
防护膜组件
、
曝光原版
、
曝光装置及曝光用防护膜的制造方法
。

技术介绍

[0003]防护膜组件所使用的防护膜通常是在硅基板上层叠氮化硅
(SiN)
等而制造
。
[0004]另一方面，作为对光
(
例如
EUV
光
)
的透过性和耐性优异的材料，可举出碳纳米管，使用了碳纳米管膜的防护膜组件的开发正在进行
。
[0005]例如，专利文献1中公开了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种曝光用防护膜，其包含碳纳米管膜，所述碳纳米管膜含有碳纳米管，所述碳纳米管膜在波长
13.5nm
时的
EUV
光的透射率为
80
％以上，所述碳纳米管膜的厚度为
1nm
以上
50nm
以下，将所述碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的所述碳纳米管膜，使用反射分光膜厚度计，以下述条件测定反射率时，反射率的3σ
为
15
％以下，＜条件＞测定点的直径：
20
μ
m
，基准测定波长：波长
285nm
，测定点数：
121
点，相邻的测定点的中心点间距离：
40
μ
m。2.
根据权利要求1所述的曝光用防护膜，将所述碳纳米管膜配置于硅基板上，对于配置后的所述碳纳米管膜，在彼此相距
2cm
以上的多个测定位置的各个位置，使用反射分光膜厚度计，以下述条件进行反射率的测定和平均反射率的算出时，从所述平均反射率的最大值减去所述平均反射率的最小值之后的值为
15
％以下，＜条件＞测定点的直径：
20
μ
m
，基准测定波长：波长
285nm
，测定点数：
121
点，相邻的测定点的中心点间距离：
40
μ
m。3.
根据权利要求1或2所述的曝光用防护膜，所述碳纳米管的管径为
0.8nm
以上
6.0nm
以下
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的曝光用防护膜，其进一步具备：以与所述碳纳米管膜相接的方式配置的保护层
。5.
...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野阳介，石川比佐子，小川亮平，大久保敦，高村一夫，关口贵子，加藤雄一，山田健郎，周英，
申请(专利权)人：国立研究开发法人产业技术综合研究所，
类型：发明
国别省市：