芯片产品制备方法技术

本申请关于一种芯片产品制备方法

【技术实现步骤摘要】
芯片产品制备方法、系统及芯片


[0001]本申请涉及微纳加工
，特别涉及一种芯片产品制备方法
、
系统及芯片
。

技术介绍

[0002]在芯片制造中，空桥也称为空气桥，是一种以三维桥型的方式实现平面电路跨接的电路结构
。
[0003]在相关技术中，在空桥结构制备的过程中，首先制备底层电路，将底层电路中的指定区域作为空桥结构的桥墩，然后通过材料沉积的方式制备桥墩上的桥撑，以及连接两个桥撑之间的桥面，最后刻蚀掉除了桥撑和桥面之外多余的沉积材料，即可以得到最终的空桥结构
。
[0004]然后，在上述刻蚀过程中，由于刻蚀精度的原因，可能会将一部分桥墩的材料一并刻蚀掉，从而影响空桥与底层电路之间的连接，进而影响芯片的性能
。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供了一种芯片产品制备方法
、
系统及芯片，可以提高芯片产品的性能，该技术方案如下
。
[0006]一方面，提供了一种芯片产品制备方法，所述方法包括：
>[0007]制备包本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种芯片产品制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备包含底层电路的第一芯片产品；通过第一光刻胶在所述底层电路中对应所述空桥结构的桥墩位置处制备第一金属材料构成的第一金属层；在所述第一芯片产品上涂敷第二光刻胶；通过光刻显影的方式清除所述第一金属层位置处的所述第二光刻胶；在所述第一芯片产品上沉积第二金属材料；刻蚀去除所述第一芯片产品的所述第二金属材料中，除了所述空桥结构的桥撑和桥面之外的所述第二金属材料；清洗所述第二光刻胶，获得包含所述底层电路和所述空桥结构的第二芯片产品
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底层电路的材料为铝；所述第一金属材料为氮化钛
、
铌或者铝
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二芯片产片用于制备超导量子芯片；或者，所述第二芯片产品为超导量子芯片
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第一金属材料为铌的情况下，所述第一金属层用于制备约瑟夫森结的对准标记
。5.
根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述第一芯片产品的所述第二金属材料中，除了所述空桥结构的桥撑和桥面之外的所述第二金属材料，包括：在所述第一芯片产品上涂敷第三光刻胶；通过光刻显影的方式去除与所述空桥结构的桥撑和桥面所在位置处之外的所述第三光刻胶；对所述第一芯片产品进行刻蚀，以去除所述第一芯片产品的所述第二金属材料中，除了所述空桥结构的桥撑和桥面之外的所述第二金属材料
。6.
根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述空桥结构的桥撑所在的区域位于所述第一金属层所在的区域内；或者，所述空桥结构的桥撑所在的区域与所述第一金属层所在的区域内相同
。7.
根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述通过第一光刻胶在所述底层电路中对应所述空桥结构的桥墩位置处制备第一金属材料构成的第一金属层，包括：在所述第一芯片产品上涂敷所述第一光刻胶；通过光刻显影的方式去除所述空桥结构的桥墩位置处的所述第一光刻胶；在所述第一芯片产品上沉积所述第一金属材料；清洗所述第一芯片产品上的所述第一光刻胶，获得所述底层电路中对应所述空桥结构的桥墩...

【专利技术属性】
技术研发人员：李登峰，戴茂春，张文龙，卜坤亮，胡晶晶，
申请(专利权)人：腾讯科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：