应用于后段制程中的刻蚀方法技术

本申请公开了一种应用于后段制程中的刻蚀方法，包括：提供一半导体器件的后段结构，其包括铝焊垫和形成于铝焊垫上的缓冲层；通过刻蚀去除铝焊垫上方目标区域的缓冲层，在缓冲层中形成通孔，通孔底部的铝焊垫暴露；通过刻蚀轰击暴露的铝焊垫表面以去除含氟的氧化铝化合物；通入氧气在暴露的铝焊垫表面生成氧化铝

【技术实现步骤摘要】
应用于后段制程中的刻蚀方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种应用于后段制程的刻蚀方法
。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路制造的后段制程
(backend of line
，
BEOL)
中，通常需要形成缓冲层
(passivation layer)
保护整个器件结构，形成缓冲层后的后段薄膜结构可以是氮化硅
(Si3N4)
层
/
氧化物层
/
氮化钛
(TiN)
层
/
金属铝
(Al)
层
。
形成缓冲层后，需要将铝层打开以进行后续的封装
。
[0003]相关技术中，可通过光刻和刻蚀工艺去除目标区域的薄膜层，使铝层暴露，在刻蚀过程中通常使用包含氟
(F)
元素的反应气体
。
[0004]然而，在工艺过程中，铝表面会形成致密的氧化层，含氟物会在工艺中扩散至界面，而外界的水汽也会迁移至界面，在高化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种应用于后段制程中的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一半导体器件的后段结构，其包括铝焊垫和形成于所述铝焊垫上的缓冲层；通过刻蚀去除所述铝焊垫上方目标区域的缓冲层，在所述缓冲层中形成通孔，所述通孔底部的铝焊垫暴露；通过刻蚀轰击暴露的铝焊垫表面以去除含氟的氧化铝化合物；通入氧气在暴露的铝焊垫表面生成氧化铝
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在通过刻蚀轰击暴露的铝焊垫表面以去除含氟的氧化铝化合物的过程中，通入的反应气体包括氩气
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在通过刻蚀去除所述铝焊垫上方目标区域的缓冲层的过程中，通入的反应气体...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟伟，郭海亮，姚道州，汪健，赵志，贾红丹，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：