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本申请公开了一种应用于后段制程中的刻蚀方法，包括：提供一半导体器件的后段结构，其包括铝焊垫和形成于铝焊垫上的缓冲层；通过刻蚀去除铝焊垫上方目标区域的缓冲层，在缓冲层中形成通孔，通孔底部的铝焊垫暴露；通过刻蚀轰击暴露的铝焊垫表面以去除含氟的氧...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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