连接构造体的制造方法以及连接薄膜技术

本发明专利技术提供一种连接构造体的制造方法以及连接薄膜，其能够得到基于激光照射的芯片部件的优异的着落性以及导通性

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】连接构造体的制造方法以及连接薄膜


[0001]本技术涉及使芯片部件与基板连接的连接构造体的制造方法以及连接薄膜
。
本申请以在日本国于
2021
年5月
12
日申请的日本专利申请编号特愿
2021
－
081171
为基础主张优先权，该申请通过参照而援用于本申请
。

技术介绍

[0002]近年来，作为
LCD(Liquid Crystal Display)、OLED(Organic Light Emitting Diode)
的下一代显示器，微型
LED
的开发非常活跃
。
作为微型
LED
的课题，需要将微米尺寸的
LED
安装于面板基板上的称为质量转移的技术，在各地进行研究
。
[0003]作为质量转移的现在主要的方式，有使用印模材料使
LED
移送到面板基板侧的方法
。
图
11
是示意性地表示印记方式的质量转移的图
。
在印记方式中，如图
11A
以及图
11B
所示，将
LED101
从转印材料
102
转印至印模材料
103
并拾取，如图
11C
以及图
11D
所示，将
LED101
粘贴在面板基板
104
的连接薄膜
105
上
。
然而，使用印模材料的方法中，
LED101
的间距依赖于印模材料
103
的图案，设计的自由度低，芯片转印率也低，非常花费时间，因此不适合批量生产
。
[0004]因此，现在引起瞩目的是使用激光的芯片配置工法
(
例如，参照专利文献1至
4。)。
图
12
是示意性地表示激光方式的质量转移的图
。
在激光方式中，如图
12A
以及图
12B
所示，将
LED111
从转印材料
112
转印至释放材料
113
并拾取，如图
12C
所示，向释放材料
113
照射激光而使
LED111
着落在面板基板
114
的连接薄膜
115
上
。
激光方式的芯片转印与印模材料相比，设计的自由度高，芯片移送节拍非常快
。
[0005]然而，在使用了激光的芯片配置工法中，使
LED
弹起且以非常快的速度着落于面板基板侧，因此例如如图
12D
所示，
LED
偏移
、
或者产生变形
、
脱落
、
破坏等，有引起不良的情况
。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：日本特开
2020
－
096144
号公报
[0009]专利文献2：日本特开
2020
－
145243
号公报
[0010]专利文献3：日本特开
2019
－
176154
号公报
[0011]专利文献4：日本特开
2020
－
053558
号公报

技术实现思路

[0012]专利技术所要解决的课题
[0013]本技术是鉴于这样的以往的实际情况而提出的方案，提供一种连接构造体的制造方法以及连接薄膜，其能够得到基于激光的照射的芯片部件的优异的着落性以及导通性
。
[0014]用于解决课题的方案
[0015]本技术的连接构造体的制造方法具有：使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述
配线基板侧的着落工序；以及使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接的连接工序，上述连接薄膜具有橡胶层和粘接层，在上述着落工序中，在上述配线基板的电极面配置有上述连接薄膜，使上述橡胶层与上述芯片部件的电极面碰撞
。
[0016]本技术的连接构造体的制造方法具有：使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧的着落工序；以及使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接的连接工序，上述连接薄膜具有粘接层，上述芯片部件在电极面具有橡胶层，在上述着落工序中，在上述配线基板的电极面配置有上述连接薄膜，使上述粘接层与上述芯片部件的橡胶层碰撞
。
[0017]本技术的连接构造体的制造方法具有：使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧的着落工序；以及使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接的连接工序，上述连接薄膜具有橡胶层和粘接层，在上述着落工序中，在上述芯片部件的电极面配置有上述连接薄膜，使上述橡胶层与上述配线基板的电极面碰撞
。
[0018]本技术的连接构造体的制造方法具有：使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧的着落工序；以及使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接的连接工序，上述连接薄膜具有粘接层，上述配线基板在电极面具有橡胶层，在上述着落工序中，在上述芯片部件的电极面配置有上述连接薄膜，使上述粘接层与上述配线基板的橡胶层碰撞
。
[0019]本技术的连接薄膜具有橡胶层和粘接层，上述橡胶层的厚度为
0.5
μ
m
以上且
3.0
μ
m
以下
。
[0020]专利技术効果
[0021]根据本技术，由于得到优异的冲击吸收性，因此能够得到芯片部件的优异的着落性，能够得到优异的导通性
。
附图说明
[0022]图1是示意性地表示使设于基体材料的发光元件与配线基板上的连接薄膜对置的状态的剖视图
。
[0023]图2是表示所对置的发光元件与配线基板上的连接薄膜的放大图
。
[0024]图3是示意性地表示从基板侧照射激光，使发光元件转印并排列于配线基板的预定位置的状态的剖视图
。
[0025]图4是示意性地表示使发光元件安装于配线基板的状态的剖视图
。
[0026]图5是示意性地表示使设于基体材料且在电极面具有橡胶层的发光元件与配线基板上的各向异性导电粘接层对置的状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种连接构造体的制造方法，其特征在于，具有：着落工序，其使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧；以及连接工序，其使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接，上述连接薄膜具有橡胶层和粘接层，在上述着落工序中，在上述配线基板的电极面配置有上述连接薄膜，使上述橡胶层与上述芯片部件的电极面碰撞
。2.
一种连接构造体的制造方法，其特征在于，具有：着落工序，其使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧；以及连接工序，其使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接，上述连接薄膜具有粘接层，上述芯片部件在电极面具有橡胶层，在上述着落工序中，在上述配线基板的电极面配置有上述连接薄膜，使上述粘接层与上述芯片部件的橡胶层碰撞
。3.
一种连接构造体的制造方法，其特征在于，具有：着落工序，其使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧；以及连接工序，其使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接，上述连接薄膜具有橡胶层和粘接层，在上述着落工序中，在上述芯片部件的电极面配置有上述连接薄膜，使上述橡胶层与上述配线基板的电极面碰撞
。4.
一种连接构造体的制造方法，其特征在于，具有：着落工序，其使设于相对于激光具有透过性的基体材料的芯片部件与配线基板对置，且从上述基体材料侧照射激光而使上述芯片部件着落于上述配线基板侧；以及连接工序，其使上述芯片部件与上述配线基板经由连接薄膜而连接，上述连接薄膜具有粘接层，上述配线基板在电极面具有橡胶层，在上述着落工序中，在上述芯片部件的电极面配置有上述连接薄膜，使上述粘接层与上述配线基板的橡胶层碰撞
。5.
根据权利要求1至4任一项中所述的连接构造体的制造方法，其特征在于，上述橡胶层是从丙烯酸橡胶
、
硅橡胶选择的一种以上
。6.
根据权利要求1至5任一项中所述的连接构造体的制造方法，其特征在于，上述橡胶层的厚度为
0.5
μ
m
以上且
3.0
μ
m
以下
。7.
根据权利要求1至6任一项中所述的连接构造体的制造方法，其特征在于，上述橡胶层在内部具有空隙
。8.
根据权利要求1至7任一项中所述的连接构造体的制造方法，其特征在于，上述橡胶层的硬度计
A
硬度为
20
～
40
...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚尾怜司，野田大树，林直树，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：