Mn-W-Cu-O系溅射靶及其制备方法技术

课题在于提供抑制异常放电，并且可进行稳定成膜的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶及其制备方法。解决手段是一种溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O的Mn‑W‑Cu‑O系溅射靶，其中，相对密度为90％以上，并且电阻率为9×10‑4Ω·cm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术特别是涉及对光信息记录介质的记录层的形成有用的mn-w-cu-o系溅射靶及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，在光信息记录介质(光盘)的领域中，随着处理数据的增大等，要求光盘的大容量化。光盘大致分为只读和记录型，记录型进一步细分为一次写入型和可擦写型这2类。作为一次写入型的记录层材料，以往广泛研究了有机色素材料，但随着近年来的大容量化，无机材料也被广泛研究。

2、作为使用无机材料的有用的记录方式，有利用如下情况的记录方式：通过对含有分解温度低的无机氧化物的记录层照射激光，记录层的物性变化，光学常数随之变化。作为无机氧化物材料，钯氧化物被实用化，但由于pd为贵金属，材料成本高，所以期望开发可代替钯氧化物以廉价的材料成本实现的记录层。

3、作为以廉价的材料成本得到充分良好的记录特性的材料，开发了包含锰氧化物系材料的记录层。例如，在专利文献1中，公开了mn-w-zn-cu-o系记录层等含有锰氧化物和多种无机元素的记录层，及用于形成该记录层的溅射靶。

4、现有技术文献

5、专利文献>

6、专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.溅射靶，其是在成分组成中含有Mn、W、Cu和O、且在成分组成中不含有Zn的Mn-W-Cu-O系溅射靶，其中，

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，相对于Mn、W和Cu的总计100原子％，Mn为4原子％～40原子％，W为10原子％～70原子％，Cu为10原子％～40原子％。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中进一步含有选自Mo、Nb、Mg、Ag、Ru、Ni、Zr、Sn、Bi、Ge、Co、Al、Pd、Ga、Te、V、Si、Ta、Cr和Tb的至少1种以上的元素。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，相对于除O以外的构成元素的总...

【技术特征摘要】

1.溅射靶，其是在成分组成中含有mn、w、cu和o、且在成分组成中不含有zn的mn-w-cu-o系溅射靶，其中，

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其中，相对于mn、w和cu的总计100原子％，mn为4原子％～40原子％，w为10原子％～70原子％，cu为10原子％～40原子％。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其中，在所述成分组成中进一步含有选自mo、nb、mg、ag、ru、ni、zr、sn、bi、ge、co、al、pd、ga、te、v、si、ta、cr和tb的至少1种以上的元素。

4.根据权利要求3所述的溅射靶，其中，相对于除o以外的构成元素的总计100原子％，所述选自mo、nb、mg、ag、ru、ni、zr、sn、bi、ge...

【专利技术属性】
技术研发人员：菅原淳一，加守雄一，
申请(专利权)人：迪睿合株式会社，
类型：发明
国别省市：