一种线栅偏振器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种线栅偏振器的制造方法，包括：在基材的表面设置金属层，在金属层表面涂覆纳米压印胶层，通过纳米压印模板形成第1掩膜区；清除第1掩膜区中凹槽内的纳米压印胶层直至金属层外露，之后再利用刻蚀工艺对第1掩膜区之间的金属层进行刻蚀，使其形成第1金属线栅区；利用刻蚀工艺去除第1金属线栅区之外的纳米压印胶层及第1掩膜区，使得第1金属线栅区内的金属线栅外露；在第1金属线栅区及金属层的表面重复涂覆纳米压印胶层，重复以上步骤，依次形成第2金属线栅区

【技术实现步骤摘要】
一种线栅偏振器的制造方法


[0001]本专利技术涉及线栅偏振器
，特别是涉及一种线栅偏振器的制造方法
。

技术介绍

[0002]纳米压印技术作为一种微纳加工技术发展迅猛，该技术通过机械转印的手段，达到了超高的分辨率，有望在未来取代光刻技术而成为微电子
、
材料等领域的重要加工手段
。
[0003]目前，大面积纳米压印模板的制作方法主要是将多个小面积纳米压印模板拼接形成大面积纳米压印模板
。
然而，小面积纳米压印模板的拼接无法实现无缝拼接，因此大面积拼接纳米压印模板中通常存在拼接缝，而拼接缝又极大的会降低由拼接纳米压印模板制造的光电器件的质量；譬如采用此拼接模板在制造大面积金属线栅偏振片时，就会因为压印模板之间的拼接接缝，而极大的降低了金属线栅偏振片的光学性能
。
[0004]因此，本领域技术人员致力于开发一种可以制造大幅金属线栅偏振片而不存在拼接缝隙的线栅偏振器的制造方法
。

技术实现思路

[0005]有鉴于现有技术的上述缺陷，本专利技术公开了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种线栅偏振器的制造方法，其特征在于：包括如下的步骤：
1)
在透光性基材
(1)
的表面通过薄膜沉积工艺设置厚度为
50
～
200nm
的金属层
(2)
；之后在金属层
(2)
表面涂覆纳米压印胶层
(3)
，最后通过纳米压印模板形成第1掩膜区
(31)
；
2)
利用刻蚀工艺清除所述第1掩膜区
(31)
中凹槽内的纳米压印胶层
(3)
，直至所述金属层
(2)
外露，之后再利用刻蚀工艺对第1掩膜区
(31)
之间的金属层
(2)
进行刻蚀，使其形成第1金属线栅区
(21)
；
3)
利用刻蚀工艺去除所述第1金属线栅区
(21)
之外的纳米压印胶层
(3)
及所述第1掩膜区
(31)
，使得第1金属线栅区
(21)
内的金属线栅外露；
4)
在所述第1金属线栅区
(21)
及金属层
(2)
的表面重复涂覆纳米压印胶层
(3)
，之后在与第1金属线栅区
(21)
相邻的纳米压印胶层
(3)
区域内，再次通过纳米压印模板形成第2掩膜区
(32)
；
5)
用刻蚀工艺清除第
N
掩膜区中凹槽内的纳米压印胶层
(3)
，直至金属层
(2)
外露，之后再利用刻蚀工艺对第
N
掩膜区之间的金属层
(2)
进行刻蚀，使其形成第
N
金属线栅区，
N
＝2，3，4……
；
6)
利用刻蚀工艺去除所述第
N
金属线栅区之外的纳米压印胶层
(3)
及第
N
掩膜区，使得第
N
金属线栅区内的金属线栅外露；
7)
在第
N
金属线栅区及金属层
(2)
的表面重复涂覆纳米压印胶层
(3)
，之后在与第
N...

【专利技术属性】
技术研发人员：娄飞，
申请(专利权)人：深圳市雕拓科技有限公司，
类型：发明
国别省市：